Карачевцева Людмила Анатольєвна

Номер патенту: 11659

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Баранський Петро Іванович, Любченко Олексій Вікторович, Курбанов Курбан Рамазанович, Сальков Євген Андрійович, Мисливець Ксенія Артурівна, Оліх Ярослав Михайлович, Лукинський Юрій Леонідович, Єргаков Валерій Костянтинович, Карачевцева Людмила Анатольєвна

МПК: H01L 21/26, H01L 21/463

Мітки: спосіб, електрофізичними, керування, напівпровідникових, параметрами, типу, сполук, а11в1

Формула / Реферат:

1. Способ управления электрофизическими параметрами полупроводниковых соединений типа АІ ВVI, включающий ультразвуковое воздействие интенсивностью 102 - 2-103 Вт/ч2 на образец соединения и последующее химическое удаление приповерхностного нарушенного слоя на глубину 5-10 мкм, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности управления концентраций, подвижностью и временем жизни носителей заряда в соединениях Cdxtg1-k Te состава...

Номер патенту: 11658

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Карачевцева Людмила Анатольєвна, Любченко Олексій Вікторович, Рябіков Віктор Михайлович, Ергаков Валерій Костянтинович, Лукинський Юрій Леонідович, Сальков Євген Андрійович

МПК: H01L 21/66

Мітки: спосіб, контролю, параметрів, електрофізичних, напівпровідників

Формула / Реферат:

Способ контроля электрофизических пара­метров полупроводников, основанный на измере­нии электропроводимости, коэффициента Холла в слабом магнитном поле и зависимости коэффици­ента Холла от величины магнитного поля, отлича­ющийся тем, что, с целью повышения точности раздельного определения концентрации и подвиж­ности электронов и дырок в CdxHg1-xTe и InSb р-типа проводимости, дополнительно производят измерение коэффициента Холла при значении...

Номер патенту: 11657

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Карачевцева Людмила Анатольєвна, Маловічко Ельза Олександрівна, Любченко Олексій Вікторович, Єргаков Валерій Костянтинович, Волков Юрій Миколайович, Сальков Євген Андрійович, Курбанов Курбан Рамазанович

МПК: H01L 31/0264

Мітки: матеріалу, одержання, pi-cdchihgiota-chite, спосіб, напівпровідникового

Формула / Реферат:

1. Способ получения полупроводникового материала n-CdxHg1-xTe с заданным временем жизни электронов путем изменения концентрации центров рекомбинации, отличающийся тем, что, с целью повышения технологичности и обеспечения обратимости управления временем жизни, в мате­риале состава х=0,22 с концентрацией электронов n<1015 см-3 при температуре Т=77 К в качестве центров рекомбинации используют двухзарядные вакансии ртути, изменение...