Патенти з міткою «si-sio2»

Номер патенту: 7560

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Литовченко Володимир Григорович, Попов Валентин Георгійович, Шаповалов Віталій Павлович, Марченко Ростислав Іванович, Кудіна Альбіна Вікторівна, Романюк Борис Миколайович, Жолудєв Геннадій Кузьмич

МПК: H01L 21/265

Мітки: виготовлення, структур, спосіб, si-sio2

Формула / Реферат:

Способ изготовления структур Si - SiO2, включающий нанесение маски на рабочую сторону кремниевой пластины, ионную бомбардировку и окисление поверхности кремния при температуре 850 - 950°С, отличающийся тем, что, с целью повышения качества границы раздела Si - SiO2, бомбардировку проводят с энергией ионов 0,5 - 2 КэВ и дозоой 1017-1018 ион/см , а окисление - в атмосфере сухого кислорода.