Шаповалов Віталій Павлович

Номер патенту: 58670

Опубліковано: 15.08.2003

Автор: Шаповалов Віталій Павлович

МПК: A61B 5/04

Мітки: спосіб, рака, новоутворень, діагностики, злоякісних

Формула / Реферат:

Спосіб діагностики злоякісного новоутворення (рака), що передбачає біопсію і гістологію, який відрізняється тим, що додатково визначають знак (плюс або мінус) і вимірюють величину электричного потенціалу злоякісного новоутворення (рака) відносно близьких здорових тканин і з цих вимірювань визначають природу злоякісного новоутворення (рака), ступінь патології і призначають метод лікування.

Номер патенту: 32802

Опубліковано: 15.02.2001

Автори: Татаринов В'ячеслав Ігорович, Черненко Олександр Анатолійович, Шаповалов Віталій Павлович

МПК: H01L 29/861

Мітки: діод, високочастотний, точковий

Формула / Реферат:

Високочастотний точковий діод, що містить підкладку з монокристалічного напівпровідникового матеріалу n-типу провідності, з якою контактує загостреній кінець вольфрамового дроту, який зігнутий у пружину, що відрізняється тим, що підкладка доповнена n+-шаром із сторони дроту та р-шаром з іншої сторони підкладки.

Номер патенту: 7560

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Кудіна Альбіна Вікторівна, Романюк Борис Миколайович, Литовченко Володимир Григорович, Попов Валентин Георгійович, Марченко Ростислав Іванович, Шаповалов Віталій Павлович, Жолудєв Геннадій Кузьмич

МПК: H01L 21/265

Мітки: виготовлення, спосіб, структур, si-sio2

Формула / Реферат:

Способ изготовления структур Si - SiO2, включающий нанесение маски на рабочую сторону кремниевой пластины, ионную бомбардировку и окисление поверхности кремния при температуре 850 - 950°С, отличающийся тем, что, с целью повышения качества границы раздела Si - SiO2, бомбардировку проводят с энергией ионов 0,5 - 2 КэВ и дозоой 1017-1018 ион/см , а окисление - в атмосфере сухого кислорода.

Номер патенту: 7562

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Шаповалов Віталій Павлович, Романюк Борис Миколайович, Думбров Володимир Іванович, Марченко Ростислав Іванович, Жолудєв Геннадій Кузьмич, Литовченко Володимир Григорович

МПК: H01J 37/30, H01L 21/265

Мітки: одержання, кремнію, спосіб, шарів, автоепітаксіальних

Формула / Реферат:

Способ получения автоэпитаксиальных сло­ев кремния, включающий формирование на рабо­чей поверхности подложек маски, имплантацию ионов в немаскированные участки подложки, уда­ление маски, эпитаксиальное наращивание, отли­чающийся тем, что, с целью улучшения качества автоэпитаксиальных слоев кремния за счет подавления процесса распространения дефектов из геттерируювдих областей в рабочие участки ав-тоэпитаксиальных слоев, имплантацию...

Номер патенту: 4018

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Верхацький Юрій Павлович, Шаповалов Віталій Павлович, Жадько Іван Павлович, Романов Валентин Олександрович, Козловський Сергій Іванович, Бабічев Геннадій Григорович, Бідусенко Надія Петрівна

МПК: H04R 19/00

Мітки: капсул, мікрофона, конденсаторного

Формула / Реферат:

1. Капсюль конденсаторного микрофона, со­стоящий из подвижного электрода и отделенного от него воздушным промежутком неподвижного электрода, выполненного в виде высокоомной по­лупроводниковой пластины, легированной со сто­роны подвижного электрода и содержащей слой электрета, нанесенного на легированную поверх­ность, отличающийся тем, что, с целью повыше­ния стабильности работы капсюля за счет увеличения термостабильности и равномерности...