Марченко Ростислав Іванович
Спосіб гетерування рекомбінаційно-активних домішок в кремнії
Номер патенту: 37744
Опубліковано: 15.05.2001
Автори: Марченко Ростислав Іванович, Попов Валентин Георгійович, Горбулик Володимир Іванович, Романюк Борис Миколайович, Литовченко Володимир Григорович, Мельник Віктор Павлович, Клюй Микола Іванович
МПК: H01L 21/322, H01L 21/265
Мітки: рекомбінаційно-активних, гетерування, домішок, спосіб, кремнії
Текст:
...Ge товщиною 75-500 нм може застосовуватись термічне, електроннопроменеве або магнетронне напилення. Товщина плівки і енергія імплантації іонів інертного газу розраховуються виходячи з умови, щоб середній проекційний пробіг іонів складав ~0,8 товщини плівки германію, чим досягається необхідний ефект перемішування. Температура відпалу знаходиться в інтервалі 900-950°С, час відпалу - не менше 30 хв, що з умовлене необхідністю забезпечення...
Спосіб виготовлення структур si-sio2
Номер патенту: 7560
Опубліковано: 29.09.1995
Автори: Кудіна Альбіна Вікторівна, Литовченко Володимир Григорович, Шаповалов Віталій Павлович, Жолудєв Геннадій Кузьмич, Романюк Борис Миколайович, Марченко Ростислав Іванович, Попов Валентин Георгійович
МПК: H01L 21/265
Мітки: структур, si-sio2, спосіб, виготовлення
Формула / Реферат:
Способ изготовления структур Si - SiO2, включающий нанесение маски на рабочую сторону кремниевой пластины, ионную бомбардировку и окисление поверхности кремния при температуре 850 - 950°С, отличающийся тем, что, с целью повышения качества границы раздела Si - SiO2, бомбардировку проводят с энергией ионов 0,5 - 2 КэВ и дозоой 1017-1018 ион/см , а окисление - в атмосфере сухого кислорода.
Спосіб одержання автоепітаксіальних шарів кремнію
Номер патенту: 7562
Опубліковано: 29.09.1995
Автори: Жолудєв Геннадій Кузьмич, Шаповалов Віталій Павлович, Марченко Ростислав Іванович, Думбров Володимир Іванович, Романюк Борис Миколайович, Литовченко Володимир Григорович
МПК: H01J 37/30, H01L 21/265
Мітки: спосіб, автоепітаксіальних, шарів, одержання, кремнію
Формула / Реферат:
Способ получения автоэпитаксиальных слоев кремния, включающий формирование на рабочей поверхности подложек маски, имплантацию ионов в немаскированные участки подложки, удаление маски, эпитаксиальное наращивание, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества автоэпитаксиальных слоев кремния за счет подавления процесса распространения дефектов из геттерируювдих областей в рабочие участки ав-тоэпитаксиальных слоев, имплантацию...