H01L 21/265 — з впровадженням іонів

Номер патенту: 114668

Опубліковано: 10.07.2017

Автори: Котик Михайло Васильович, Варварук Василь Миколайович, Новосядлий Степан Петрович, Новосядлий Святослав Володимирович

МПК: H01L 21/265, H01L 21/31, H01L 21/3065 ...

Мітки: міжшарової, схем, інтегральних, формування, ізоляції, плазмового, спосіб, структур, великих

Формула / Реферат:

Спосіб плазмового формування міжшарової ізоляції субмікронних структур ВІС, що містить мікроцикли технологічних операцій транзисторних структур до формування контактних вікон, який відрізняється тим, що міжшарову ізоляцію формують НВЧ-плазмовим низькотемпературним осадженням борофосфоросилікатного скла в реакторі електронно-циклотронного резонансу розкладом дисилану, легованого бором, фосфором із вмістом В2О3 і Р2О5 в склі 11±2%, 2,5±0,5% ат...

Номер патенту: 115174

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Оберемок Олександр Степанович, Сафрюк Надія Володимирівна, Голтвянський Юрій Васильович, Федулов Віктор Васильович, Сабов Томаш Мар'янович, Романюк Андрій Борисович, Кладько Василь Петрович, Мельник Віктор Павлович

МПК: H01L 21/265, H01L 31/18

Мітки: фотодіодів, виготовлення, антимоніді, індію, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіодів, який включає створення на поверхні антимоніду індію 1-го типу провідності з концентрацією легуючих атомів не більше 3·1015 см-3 локальних областей р-n переходу шляхом імплантації іонів, які дозволяють створити 2-ий тип провідності в приповерхневій області підкладки, нанесення маски за допомогою якої долеговують області 1-го типу провідності до концентрації 1017-1019 см-3, зняття маски, після чого...

Номер патенту: 115173

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Сапон Сергій Васильович, Педченко Юрій Миколайович, Калистий Геннадій Володимирович, Дубіковський Олександр Володимирович, Мусаєв Сергій Мусаєвич, Попов Валентин Георгієвич, Гудименко Олександр Йосипович, Романюк Борис Миколайович

МПК: H01L 31/18, H01L 21/265

Мітки: виготовлення, антимоніді, спосіб, індію, фотодіоду

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіодів на основі кристалів антимоніду індію n-типу провідності, що включає в себе підготовку поверхні вихідної пластини антимоніду індію, формування легованих областей р-типу провідності, формування захисної плівки шляхом анодного окиснення (АОП) в електроліті, нанесення пасивуючої просвітлюючої діелектричної плівки та формування контактної системи, який відрізняється тим, що після формування захисної плівки АОП...

Номер патенту: 58700

Опубліковано: 26.04.2011

Автори: Шепелявий Петро Євгенович, Данько Віктор Андрійович, Михайловська Катерина Василівна, Індутний Іван Захарович

МПК: H01L 21/265

Мітки: спосіб, одержання, світловипромінюючого, матеріалу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання світловипромінюючого матеріалу на основі нанокомпозитних поруватих шарів Si-SiOx, що включає формування шару субоксиду кремнію SiOx (де х £ 2) шляхом осадження SiOx у вакуумі на підкладинку, орієнтовану під кутом 20-80° до напряму потоку осаджуваної речовини і наступного термічного відпалу цього шару при температурі 400-1300 °С в атмосфері інертного газу чи у вакуумі, який відрізняється тим, що після відпалу шар...

Номер патенту: 33100

Опубліковано: 10.06.2008

Автори: Майданчук Іван Юрійович, Шепелявий Петро Євгенович, Індутний Іван Захарович, Данько Віктор Андрійович, Минько Віктор Іванович

МПК: H01L 21/265

Мітки: спосіб, матеріалу, світловипромінювального, одержання

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання світловипромінювального матеріалу на основі нанокомпозитних поруватих шарів Si-SiOx, який включає формування шару субоксиду кремнію SiOx (де х £ 2) шляхом осадження SiOx у вакуумі на підкладинку, орієнтовану під кутом 20-80° до напряму потоку осаджуваної речовини, і наступного термічного відпалу цього шару при температурі 400-1300 °С в атмосфері інертного газу чи у вакуумі, який відрізняється тим, що перед відпалом...

Номер патенту: 22865

Опубліковано: 25.04.2007

Автори: Ларкін Сергій Юрійович, Воронько Андрій Олександрович

МПК: H01L 21/265, H01L 21/70

Мітки: транзисторів, спосіб, ефектом, отримання, надтонкого, оксиду, пам'яті, шару

Формула / Реферат:

Спосіб отримання тонких шарів оксиду SiO2, за яким тонкий шар оксиду осаджують з газової фази, відпалюють у атмосфері сухого азоту та опромінюють іонами кремнію, який відрізняється тим, що як імплантовані іони Si використовують низькоенергійні іони Si+ з енергією 1-2 кеВ, а відпал здійснюють при температурі 1030-1070 °С протягом 25-30 хв у атмосфері з вмістом кисню з залишковим тиском кисню 45-50 мбар.

Номер патенту: 75793

Опубліковано: 15.05.2006

Автори: Шепелявий Петро Євгенович, Майданчук Іван Юрійович, Індутний Іван Захарович, Минько Віктор Іванович, Данько Віктор Андрійович

МПК: H01L 21/265

Мітки: одержання, основі, матеріалу, спосіб, кремнію, світловипромінювального

Формула / Реферат:

1. Спосіб одержання світловипромінювального матеріалу на основі кремнію, який включає осадження в вакуумі на підкладку шару субоксиду кремнію SiOx, де х менше 2 і наступного термічного відпалу цього шару при підвищеній температурі в атмосфері інертного газу або у вакуумі, який відрізняється тим, що під час осадження шару SiOx підкладку орієнтують під кутом від 20 до 80 градусів між нормаллю до підкладки і напрямком потоку осаджуваної...

Номер патенту: 73075

Опубліковано: 15.06.2005

Автор: Мілз Ренделл Л.

МПК: C01B 33/04, B01D 59/00, C01B 33/113 ...

Мітки: гідрогенні, використанням, реактор, неорганічні, здійснення, сполуки, способу, одержання, електролітична, спосіб, батарея

Формула / Реферат:

1. Гідрогенна сполука, яка відрізняється тим, що містить щонайменше один різновид водню зі збільшеною енергією зв'язку, вибраний з групи, що містить:(a) атом водню, що має енергію зв'язку приблизно 13,6/(1/р)2 еВ, де р - ціле число більше одиниці;(b) іон гідриду (Н-) зі збільшеною енергією зв'язку, що має енергію зв'язку (Е), розраховану за формулою:де s = 1/2, p - пі, ћ - постійна Планка, поділена на 2p, m0 -...

Номер патенту: 63399

Опубліковано: 15.01.2004

Автори: Єфремов Олексій Олександрович, Євтух Анатолій Антонович, Клюй Микола Іванович, Рассамакін Юрій Володимирович, Попов Валентин Георгійович, Костильов Віталій Петрович, Саріков Андрій Вікторович, Литовченко Володимир Григорович

МПК: H01L 21/265, H01L 21/322

Мітки: спосіб, рекомбінаційно-активних, кремнії, домішок, монокристалічному, гетерування, полікристалічному

Формула / Реферат:

Спосіб гетерування рекомбінаційно-активних домішок в монокристалічному та полікристалічному кремнії, що включає нанесення на пластину кремнію шару алюмінію та подальший термічний відпал в нейтральному середовищі, який відрізняється тим, що на тильній стороні пластини попередньо формують шар пористого кремнію товщиною 0,5-10 мкм, на який наносять шар алюмінію товщиною 0,3-1 мкм, а термічний відпал проводять в нейтральному середовищі при...

Номер патенту: 37744

Опубліковано: 15.05.2001

Автори: Марченко Ростислав Іванович, Литовченко Володимир Григорович, Горбулик Володимир Іванович, Попов Валентин Георгійович, Романюк Борис Миколайович, Клюй Микола Іванович, Мельник Віктор Павлович

МПК: H01L 21/265, H01L 21/322

Мітки: гетерування, кремнії, спосіб, рекомбінаційно-активних, домішок

Текст:

...Ge товщиною 75-500 нм може застосовуватись термічне, електроннопроменеве або магнетронне напилення. Товщина плівки і енергія імплантації іонів інертного газу розраховуються виходячи з умови, щоб середній проекційний пробіг іонів складав ~0,8 товщини плівки германію, чим досягається необхідний ефект перемішування. Температура відпалу знаходиться в інтервалі 900-950°С, час відпалу - не менше 30 хв, що з умовлене необхідністю забезпечення...

Номер патенту: 7560

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Жолудєв Геннадій Кузьмич, Литовченко Володимир Григорович, Марченко Ростислав Іванович, Шаповалов Віталій Павлович, Кудіна Альбіна Вікторівна, Попов Валентин Георгійович, Романюк Борис Миколайович

МПК: H01L 21/265

Мітки: структур, виготовлення, si-sio2, спосіб

Формула / Реферат:

Способ изготовления структур Si - SiO2, включающий нанесение маски на рабочую сторону кремниевой пластины, ионную бомбардировку и окисление поверхности кремния при температуре 850 - 950°С, отличающийся тем, что, с целью повышения качества границы раздела Si - SiO2, бомбардировку проводят с энергией ионов 0,5 - 2 КэВ и дозоой 1017-1018 ион/см , а окисление - в атмосфере сухого кислорода.

Номер патенту: 7563

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Литовченко Володимир Григорович, Лісовський Ігор Петрович, Литвинов Ренальд Олімпійович

МПК: H01L 21/265

Мітки: спосіб, поверхневих, густини, межі, станів, розділу, кремнію, кремній-двоокис, зменшення

Номер патенту: 7562

Опубліковано: 29.09.1995

Автори: Литовченко Володимир Григорович, Шаповалов Віталій Павлович, Марченко Ростислав Іванович, Романюк Борис Миколайович, Думбров Володимир Іванович, Жолудєв Геннадій Кузьмич

МПК: H01L 21/265, H01J 37/30

Мітки: шарів, кремнію, автоепітаксіальних, одержання, спосіб

Формула / Реферат:

Способ получения автоэпитаксиальных сло­ев кремния, включающий формирование на рабо­чей поверхности подложек маски, имплантацию ионов в немаскированные участки подложки, уда­ление маски, эпитаксиальное наращивание, отли­чающийся тем, что, с целью улучшения качества автоэпитаксиальных слоев кремния за счет подавления процесса распространения дефектов из геттерируювдих областей в рабочие участки ав-тоэпитаксиальных слоев, имплантацию...

Номер патенту: 3333

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Молчанов Костянтин Вікторович, Алєксандров Євген Веніамінович, Ілюк Ігор Євгенович, Навроцький Михайло Васильович

МПК: H01L 21/265

Мітки: іонного, травлення, спосіб, пластин

Формула / Реферат:

1. Способ ионного травления пластин, включающий размещение пластин на электроде и обработку пластин путем чередования стадий травления и откачки, отличающийся тем, что во время вакуумной откачки пластины поворачивают вокруг общей оси, параллельной осям пластин, на угол , который выбирают из условия