Жолудєв Геннадій Кузьмич
Спосіб внутрішнього геттерування в кремнійових пластинах
Номер патенту: 7373
Опубліковано: 29.09.1995
Автори: Рудський Ігор Володимирович, Романюк Борис Миколайович, Думбров Володимир Іванович, Кудіна Альбіна Вікторівна, Литовченко Володимир Григорович, Попов Валентин Георгійович, Москаль Денис Миколайович, Жолудєв Геннадій Кузьмич
МПК: H01L 21/322
Мітки: кремнійових, внутрішнього, спосіб, геттерування, пластинах
Формула / Реферат:
Способ внутреннего геттерирования в кремниевых пластинах с содержанием кислорода 4•1017-1•1018 см-3 , включающий проведение двухстадийного отжига при температурах T1=600-8000С и Т2=1050-1150°С в нейтральной среде, отличающийся тем, что, с целью повышения эффективности процесса геттерирования, отжиг при температуре T1 проводят в течение 3-8 ч в поле градиента механических напряжений, обеспечивающих сжатие рабочей и растяжение нерабочей...
Спосіб виготовлення структур si-sio2
Номер патенту: 7560
Опубліковано: 29.09.1995
Автори: Шаповалов Віталій Павлович, Романюк Борис Миколайович, Кудіна Альбіна Вікторівна, Литовченко Володимир Григорович, Жолудєв Геннадій Кузьмич, Марченко Ростислав Іванович, Попов Валентин Георгійович
МПК: H01L 21/265
Мітки: виготовлення, структур, спосіб, si-sio2
Формула / Реферат:
Способ изготовления структур Si - SiO2, включающий нанесение маски на рабочую сторону кремниевой пластины, ионную бомбардировку и окисление поверхности кремния при температуре 850 - 950°С, отличающийся тем, что, с целью повышения качества границы раздела Si - SiO2, бомбардировку проводят с энергией ионов 0,5 - 2 КэВ и дозоой 1017-1018 ион/см , а окисление - в атмосфере сухого кислорода.
Спосіб одержання автоепітаксіальних шарів кремнію
Номер патенту: 7562
Опубліковано: 29.09.1995
Автори: Марченко Ростислав Іванович, Литовченко Володимир Григорович, Романюк Борис Миколайович, Шаповалов Віталій Павлович, Думбров Володимир Іванович, Жолудєв Геннадій Кузьмич
МПК: H01J 37/30, H01L 21/265
Мітки: автоепітаксіальних, кремнію, одержання, спосіб, шарів
Формула / Реферат:
Способ получения автоэпитаксиальных слоев кремния, включающий формирование на рабочей поверхности подложек маски, имплантацию ионов в немаскированные участки подложки, удаление маски, эпитаксиальное наращивание, отличающийся тем, что, с целью улучшения качества автоэпитаксиальных слоев кремния за счет подавления процесса распространения дефектов из геттерируювдих областей в рабочие участки ав-тоэпитаксиальных слоев, имплантацию...