Патенти з міткою «snte:bi»
Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур snte:bi p-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю
Номер патенту: 97318
Опубліковано: 10.03.2015
Автори: Межиловська Любов Йосипівна, Дзундза Богдан Степанович, Фреїк Дмитро Михайлович, Никируй Любомир Іванович
МПК: B82B 3/00
Мітки: провідності, структур, потужністю, спосіб, термоелектричною, snte:bi, отримання, p-типу, напівпровідникових, тонкоплівкових, покращеною
Формула / Реферат:
1. Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур SnTe:Bi р-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на ситалові підкладки при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnТе:Ві із вмістом Ві 0,3...