Патенти з міткою «термоелектричною»

Номер патенту: 114114

Опубліковано: 25.04.2017

Автор: Козьма Антон Антонович

МПК: H01L 35/16

Мітки: потужністю, підвищеною, матеріал, системі, твердого, основі, tlbise2-tl4snse4, розчину, термоелектричною

Формула / Реферат:

Матеріал, що містить моноталій(І)монобісмут(III)диселенід - TlBiSe2, який відрізняється тим, що має у складі тетраталій(І)моностанум(IV)тетраселенід - Tl4SnSe4, а утворений у результаті їх взаємодії твердий розчин вихідного складу (TlBiSe2)0,995(Tl4SnSe4)0,005.

Номер патенту: 102226

Опубліковано: 26.10.2015

Автори: Маковишин Володимир Ігорович, Костюк Оксана Богданівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ярослав Святославович

МПК: B82B 3/00

Мітки: слюди, snte:sb, отримання, наноструктур, потужністю, термоелектричною, питомою, високою, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання наноструктур SnTe:Sb на слюді із високою питомою термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі ТВ, осаджують на підкладку при температурі ТП та часі t, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований сурмою станум телурид SnTe:Sb із вмістом 2,5 ат. % Sb, а...

Номер патенту: 102198

Опубліковано: 26.10.2015

Автор: Козьма Антон Антонович

МПК: C01B 19/00, C01G 19/00, C01G 15/00 ...

Мітки: основі, розчину, потужністю, підвищеною, матеріал, твердого, системі, термоелектричною, tlbise2–tl4snse4

Формула / Реферат:

Матеріал, що містить моноталій (І) монобісмут (III) диселенід TlBiSe2, який відрізняється тим, що містить у складі тетраталій (І) моностанум (IV) тетраселеніду Tl4SnSe4, а утворений у результаті їх взаємодії твердий розчин вихідного складу (TlBiSe2)0,995(Tl4SnSe4)0,005 має на ~ 50 % вищу термоелектричну потужність та потребує при синтезі в 3 рази менших енерговитрат і в 2 рази менших затрат часу.

Номер патенту: 101359

Опубліковано: 10.09.2015

Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Маковишин Володимир Ігорович, Яворський Ярослав Святославович, Костюк Оксана Богданівна, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: потужністю, наноструктур, термоелектричною, отримання, слюди, snte:sb, питомою, спосіб, високою

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання термоелектричних парофазних конденсатів SnTe:Sb р-типу на слюді, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому як вихідну речовину використовують синтезовану сполуку, яку випаровують при температурі Тв, осаджують на підкладку при температурі Тп та часі t, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований стибієм телурид олова SnTe:Sb із вмістом 1,0 ат. % Sb, а товщина конденсату...

Номер патенту: 97318

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Никируй Любомир Іванович, Фреїк Дмитро Михайлович, Межиловська Любов Йосипівна, Дзундза Богдан Степанович

МПК: B82B 3/00

Мітки: потужністю, напівпровідникових, термоелектричною, snte:bi, отримання, провідності, спосіб, структур, p-типу, покращеною, тонкоплівкових

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових тонкоплівкових структур SnTe:Bi р-типу провідності із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв і осаджують на ситалові підкладки при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовується наперед синтезований p-SnТе:Ві із вмістом Ві 0,3...

Номер патенту: 84497

Опубліковано: 25.10.2013

Автор: Яворський Ярослав Святославович

МПК: B82B 3/00

Мітки: отримання, n-pbte:bi, напівпровідникових, потужністю, структур, покращеною, термоелектричною, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання напівпровідникових структур n-РbТе:Ві із покращеною термоелектричною потужністю, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованої сполуки при температурі Тв=(970±10)К, на підкладку ситалу при температурі Тп, який відрізняється тим, що як вихідний матеріал використовують легований вісмутом телурид свинцю n-РbТе:Ві з вмістом легуючої домішки 0,05...