Патенти з міткою «високооднорідних»
Спосіб отримання високооднорідних халькогенідних напівпровідникових матеріалів аivbvi
Номер патенту: 43898
Опубліковано: 10.09.2009
Автори: Власенко Олександр Іванович, Левицький Сергій Миколайович, Криськов Цезарій Андрійович, Криськов Анатолій Андрійович
МПК: C30B 15/10, C30B 13/00
Мітки: aivbvi, спосіб, високооднорідних, напівпровідникових, матеріалів, халькогенідних, отримання
Формула / Реферат:
Спосіб отримання халькогенідних напівпровідникових кристалів AІVBVI, який включає синтез відповідної сполуки з вихідних компонентів, які завантажують в кварцову ампулу, вакуумування її, нагрівання в печі до температури, на 50-100 К вищої за температуру плавлення сполуки, протягом 2-3 діб, формування кристалу шляхом охолодження ампули до температури, на 50-100 К нижчої за температуру плавлення сполуки, протягом 1-1,5 доби та охолодження ампули...