Криськов Цезарій Андрійович

Номер патенту: 80799

Опубліковано: 10.06.2013

Автори: Криськов Цезарій Андрійович, Люба тетяна Сергіївна, Фреїк Дмитро Михайлович, Горічок Ігор Володимирович

МПК: C22C 43/00

Мітки: телуриду, легованого, отримання, термоелектричного, плюмбум, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованого термоелектричного плюмбум телуриду, який полягає в тому, що вихідну речовину завантажують у кварцову вакуумовану ампулу, яку поміщають у піч, температура якої є вищою від температури плавлення вихідних компонентів, ампулу витримують при цій температурі, здійснюють гомогенізуючий відпал і охолоджують на повітрі до кімнатної температури, після чого одержані злитки дроблять і здійснюють пресування, який відрізняється...

Номер патенту: 78465

Опубліковано: 25.03.2013

Автори: Горічок Ігор Володимирович, Криськов Цезарій Андрійович, Рачковський Олег Михайлович, Люба тетяна Сергіївна, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/00

Мітки: змінним, температури, області, розплаву, вирощування, пристрій, градієнтом, кристалізації, кристалів

Формула / Реферат:

Пристрій зі змінним градієнтом температури в області кристалізації для вирощування кристалів з розплаву, що складається з двох термоізольованих нагрівників опору, системи контрольованого нагріву ВРТ-3 з термопарами, пристрою руху герметизованого контейнера з речовинами, який відрізняється тим, що в області кристалізації між нагрівниками розміщена труба, рухаючись по якій теплоносій відводить частину тепла, змінюючи величину температурного...

Номер патенту: 65759

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Босий Віталій Ісаєвич, Велещук Віталій Петрович, Криськов Анатолій Андрійович, Криськов Цезарій Андрійович, Ляшенко Олег Всеволодович, Власенко Олександр Іванович, Киселюк Максим Павлович

МПК: G01R 31/02

Мітки: світлодіодів, неактивного, пристрій, тестування

Формула / Реферат:

Пристрій для неактивного тестування світлодіодів, який містить джерело живлення, вихід якого з'єднаний з клемами для підключення виводів світлодіодів, які перевіряються, і з'єднаними з ними і між собою вимірювальними пристроями, який відрізняється тим, що застосовується джерело живлення постійного струму і паралельно до нього під'єднано додаткове джерело живлення постійної напруги, а як вимірювальні пристрої використовуються амперметр та...

Номер патенту: 43898

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Левицький Сергій Миколайович, Криськов Цезарій Андрійович, Криськов Анатолій Андрійович, Власенко Олександр Іванович

МПК: C30B 15/10, C30B 13/00

Мітки: халькогенідних, високооднорідних, напівпровідникових, отримання, матеріалів, спосіб, aivbvi

Формула / Реферат:

Спосіб отримання халькогенідних напівпровідникових кристалів AІVBVI, який включає синтез відповідної сполуки з вихідних компонентів, які завантажують в кварцову ампулу, вакуумування її, нагрівання в печі до температури, на 50-100 К вищої за температуру плавлення сполуки, протягом 2-3 діб, формування кристалу шляхом охолодження ампули до температури, на 50-100 К нижчої за температуру плавлення сполуки, протягом 1-1,5 доби та охолодження ампули...

Номер патенту: 43897

Опубліковано: 10.09.2009

Автори: Левицький Сергій Миколайович, Криськов Анатолій Андрійович, Власенко Олександр Іванович, Криськов Цезарій Андрійович

МПК: C30B 13/00, C30B 11/00

Мітки: однорідної, легованих, кристалів, aivbvi, спосіб, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання легованих кристалів термоелектричного матеріалу АIVВVI, який включає завантаження в кварцову ампулу вихідних компонентів бінарної сполуки та легуючої домішки, вакуумування її, нагрівання в печі до температури, на 50-100 К вищої за температуру плавлення сполуки, протягом 2-3 діб, формування кристалу шляхом охолодження ампули до температури, на 50-100 К нижчої за температуру плавлення сполуки, протягом 1-1,5 доби та охолодження...