Патенти з міткою «aivbvi»
Спосіб отримання високооднорідних халькогенідних напівпровідникових матеріалів аivbvi
Номер патенту: 43898
Опубліковано: 10.09.2009
Автори: Левицький Сергій Миколайович, Криськов Анатолій Андрійович, Криськов Цезарій Андрійович, Власенко Олександр Іванович
МПК: C30B 13/00, C30B 15/10
Мітки: високооднорідних, напівпровідникових, отримання, aivbvi, спосіб, халькогенідних, матеріалів
Формула / Реферат:
Спосіб отримання халькогенідних напівпровідникових кристалів AІVBVI, який включає синтез відповідної сполуки з вихідних компонентів, які завантажують в кварцову ампулу, вакуумування її, нагрівання в печі до температури, на 50-100 К вищої за температуру плавлення сполуки, протягом 2-3 діб, формування кристалу шляхом охолодження ампули до температури, на 50-100 К нижчої за температуру плавлення сполуки, протягом 1-1,5 доби та охолодження ампули...
Спосіб отримання однорідно легованих кристалів аivbvi
Номер патенту: 43897
Опубліковано: 10.09.2009
Автори: Власенко Олександр Іванович, Левицький Сергій Миколайович, Криськов Цезарій Андрійович, Криськов Анатолій Андрійович
МПК: C30B 13/00, C30B 11/00
Мітки: кристалів, легованих, однорідної, aivbvi, отримання, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованих кристалів термоелектричного матеріалу АIVВVI, який включає завантаження в кварцову ампулу вихідних компонентів бінарної сполуки та легуючої домішки, вакуумування її, нагрівання в печі до температури, на 50-100 К вищої за температуру плавлення сполуки, протягом 2-3 діб, формування кристалу шляхом охолодження ампули до температури, на 50-100 К нижчої за температуру плавлення сполуки, протягом 1-1,5 доби та охолодження...
Спосіб отримання нанокристалів aivbvi на скляних підкладках
Номер патенту: 39127
Опубліковано: 10.02.2009
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Дзундза Богдан Степанович, Борик Віктор Васильович, Никируй Ростислав Іванович
МПК: C30B 11/02
Мітки: нанокристалів, aivbvi, отримання, підкладках, спосіб, скляних
Формула / Реферат:
Спосіб отримання нанокристалів AIVBVI на скляних підкладках методом осадження газодинамічного потоку пари у циліндричній кварцовій камері із температурно-градієнтними стінками, у нижній частині якої знаходиться випарник із наважкою, а підкладку розміщують паралельно осі циліндра біля стінок камери, який відрізняється тим, що використовують скляні підкладки, які розміщують у верхній частині камери при певній температурі.