Криськов Анатолій Андрійович
Пристрій для неактивного тестування світлодіодів
Номер патенту: 65759
Опубліковано: 12.12.2011
Автори: Ляшенко Олег Всеволодович, Власенко Олександр Іванович, Велещук Віталій Петрович, Босий Віталій Ісаєвич, Криськов Цезарій Андрійович, Киселюк Максим Павлович, Криськов Анатолій Андрійович
МПК: G01R 31/02
Мітки: неактивного, тестування, пристрій, світлодіодів
Формула / Реферат:
Пристрій для неактивного тестування світлодіодів, який містить джерело живлення, вихід якого з'єднаний з клемами для підключення виводів світлодіодів, які перевіряються, і з'єднаними з ними і між собою вимірювальними пристроями, який відрізняється тим, що застосовується джерело живлення постійного струму і паралельно до нього під'єднано додаткове джерело живлення постійної напруги, а як вимірювальні пристрої використовуються амперметр та...
Спосіб отримання високооднорідних халькогенідних напівпровідникових матеріалів аivbvi
Номер патенту: 43898
Опубліковано: 10.09.2009
Автори: Криськов Анатолій Андрійович, Криськов Цезарій Андрійович, Левицький Сергій Миколайович, Власенко Олександр Іванович
МПК: C30B 13/00, C30B 15/10
Мітки: матеріалів, aivbvi, халькогенідних, напівпровідникових, отримання, високооднорідних, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання халькогенідних напівпровідникових кристалів AІVBVI, який включає синтез відповідної сполуки з вихідних компонентів, які завантажують в кварцову ампулу, вакуумування її, нагрівання в печі до температури, на 50-100 К вищої за температуру плавлення сполуки, протягом 2-3 діб, формування кристалу шляхом охолодження ампули до температури, на 50-100 К нижчої за температуру плавлення сполуки, протягом 1-1,5 доби та охолодження ампули...
Спосіб отримання однорідно легованих кристалів аivbvi
Номер патенту: 43897
Опубліковано: 10.09.2009
Автори: Криськов Анатолій Андрійович, Левицький Сергій Миколайович, Криськов Цезарій Андрійович, Власенко Олександр Іванович
МПК: C30B 13/00, C30B 11/00
Мітки: легованих, aivbvi, кристалів, отримання, спосіб, однорідної
Формула / Реферат:
Спосіб отримання легованих кристалів термоелектричного матеріалу АIVВVI, який включає завантаження в кварцову ампулу вихідних компонентів бінарної сполуки та легуючої домішки, вакуумування її, нагрівання в печі до температури, на 50-100 К вищої за температуру плавлення сполуки, протягом 2-3 діб, формування кристалу шляхом охолодження ампули до температури, на 50-100 К нижчої за температуру плавлення сполуки, протягом 1-1,5 доби та охолодження...