Білецький Микола Іванович
Уф-фотодіод з бар’єром шотткі
Номер патенту: 94679
Опубліковано: 25.05.2011
Автори: Онищенко Геннадій Михайлович, Білецький Микола Іванович, Рижиков Володимир Діомидович, Воронкін Євгеній Федорович, Галкін Сергій Миколайович
МПК: H01L 31/0264, H01L 31/06
Мітки: шотткі, уф-фотодіод, бар'єром
Формула / Реферат:
1. УФ-фотодіод з бар'єром Шотткі, виготовлений на основі селеніду цинку (ZnSe) з напівпрозорим бар'єрним металевим шаром з лицьового боку ZnSe-підкладки та шаром індію на її зворотному боці, та додатковим шаром, який відрізняється тим, що додатковий шар утворений з оксиду цинку товщиною 1×10-5-2×10-5 мм на лицьовому боці ZnSe-підкладки та на її торцевих боках під напівпрозорим бар'єрним металевим шаром, на який нанесений по...