C01B 33/037 — очистка
Електронно-променева установка для одержання плоского злитка кремнію
Номер патенту: 115999
Опубліковано: 10.05.2017
Автори: Левицький Микола Іванович, Ладохін Сергій Васильович, Лапшук Тамара Володимирівна
МПК: C01B 33/037, C22B 9/04, C22B 9/22 ...
Мітки: плоского, одержання, електронно-променева, злитка, кремнію, установка
Формула / Реферат:
Установка для електронно-променевої плавки і рафінування кремнію з отриманням плоского злитка в горизонтальному кристалізаторі, що складається з технологічної камери з розміщеними в ній пристроєм для подання на переплав неочищеного кремнію, проміжною ємністю, горизонтальним кристалізатором, щонайменше, двома гарматами високовольтного тліючого розряду (ВТР), яка відрізняється тим, що технологічна камера розділена вакуумною перегородкою на дві...
Спосіб електронно-променевої плавки кремнію з одержанням плоского злитка в горизонтальному кристалізаторі
Номер патенту: 113195
Опубліковано: 25.01.2017
Автори: Ладохін Сергій Васильович, Лапшук Тамара Володимирівна, Левицький Микола Іванович
МПК: C01B 33/037, C22B 9/00
Мітки: одержанням, горизонтальному, кристалізаторі, плавки, спосіб, злитка, кремнію, електронно-променевої, плоского
Формула / Реферат:
Спосіб електронно-променевої плавки і рафінування кремнію з отриманням плоского злитка в горизонтальному кристалізаторі, що включає сплавлення неочищеного кремнію в проміжну ємність, обігрів поверхні розплаву електронним променем у проміжній ємності у потоці і зливання розплаву з проміжної ємності в горизонтальний кристалізатор при обігріві поверхні розплаву в кристалізаторі електронним променем, який відрізняється тим, що в технологічній...
Спосіб очищення кремнію від шкідливих домішок
Номер патенту: 96809
Опубліковано: 25.02.2015
Автори: Овчарук Анатолій Миколайович, Фільов Олександр Сергійович, Тутик Валерій Анатолієвич, Ян Хайян, Гречанюк Микола Іванович, Овчарук Дмитро Сергійович, Гасик Михайло Іванович, Таран Олександр Юрійович, Патяка В'ячеслав Олексійович, Ліу Йонг, Ян Міншен
МПК: C30B 13/16, C30B 13/00, C01B 33/037 ...
Мітки: кремнію, домішок, очищення, шкідливих, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб очищення кремнію від шкідливих домішок, що включає розігрів неочищеного кремнію на першому етапі при тиску нижче атмосферного до утворення розплаву з використанням висококонцентрованого джерела енергії та обробку газовою сумішшю, яка включає інертний газ, відновлювальний газ та пари води, обробку поверхні розплаву електронним променем на другому етапі, який відрізняється тим, що здійснюють третій етап очищення, на якому проводять...
Спосіб виробництва полікристалічного кремнію, придатного для виготовлення фотогальванічних сонячних елементів
Номер патенту: 107555
Опубліковано: 12.01.2015
Автори: Черпак Юрій Володимирович, Власенко Тимур Вікторович, Бучовська Ірина Богданівна, Форвальд Карл, Берінгов Сергій Борисович, Хенриксен Бьорн Руне
МПК: C01B 33/037, C30B 29/06
Мітки: кремнію, полікристалічного, елементів, виготовлення, виробництва, фотогальванічних, придатного, спосіб, сонячних
Формула / Реферат:
Спосіб виробництва полікристалічного кремнію, придатного для виготовлення фотогальванічних сонячних елементів, що включає плавлення металургійного кремнію, попередньо обробленого шляхом шлакування силікатом кальцію з наступними кристалізацією кремнію після шлакування та вилуговуванням кремнію розчином кислотного вилуговування для видалення домішок, кристалізацію розплаву попередньо обробленого металургійного кремнію з одержанням зливка...
Спосіб очищення кремнію методом електронно-променевої плавки
Номер патенту: 106916
Опубліковано: 27.10.2014
Автори: Березос Володимир Олександрович, Северин Андрій Юрійович, Пікулін Олександр Миколайович, Ахонін Сергій Володимирович
МПК: C22B 9/22, C30B 13/00, C01B 33/037 ...
Мітки: спосіб, кремнію, електронно-променевої, методом, плавки, очищення
Формула / Реферат:
1. Спосіб вакуумного очищення кремнію, що включає завантаження кремнію, що очищається, в тигель, розплавлення його з використанням електронно-променевого нагріву у вакуумі, витримку розплаву в тиглі для випару домішок і його кристалізацію з отриманням очищеного кремнію, який відрізняється тим, що процес очищення проводиться в чотири стадії: на першій стадії очищення кремнію проводять шляхом розплавлення в кварцовій проміжній ємності з...
Спосіб рафінування металів і сплавів при електронно-променевій гарнісажній плавці і установка для його здійснення
Номер патенту: 105577
Опубліковано: 26.05.2014
Автори: Ладохін Сергій Васильович, Лапшук Тамара Володимирівна
МПК: C22B 9/04, C21C 5/56, C01B 33/037 ...
Мітки: рафінування, електронно-променевий, здійснення, гарнісажній, плавці, металів, спосіб, установка, сплавів
Формула / Реферат:
1. Спосіб рафінування металів і сплавів при електронно-променевій гарнісажній плавці з електромагнітним перемішуванням розплаву в тиглі з донним зливом, що включає завантаження шихти в плавильний тигель, створення в плавильній камері необхідного розрідження, плавлення шихти і нагрів розплаву, що утворюється, електронним променем і злив розплаву з тигля, який відрізняється тим, що в плавильній камері над поверхнею розплаву в тиглі створюються...
Галогенідвмісний кремній, спосіб його одержання і застосування
Номер патенту: 103480
Опубліковано: 25.10.2013
Автори: Гебель Торальф, Моссені-Ала Сеєд-Жавад, Баух Крістіан, Дельчев Румен, Аунер Норберт, Ліппольд Герд
МПК: C01B 33/03, C01B 33/037
Мітки: спосіб, одержання, застосування, кремній, галогенідвмісний
Формула / Реферат:
1. Галогенідвмісний гранульований кремній, який одержаний термічним розщепленням галогенізованого полісилану і має вміст галогеніду, що становить 1 ат. % -50 ат. %.2. Галогенідвмісний кремній за п. 1, який відрізняється тим, що має об'ємну густину, що становить 0,2-1,5 г/см3.3. Галогенідвмісний кремній за будь-яким із попередніх пунктів, який відрізняється тим, що має розмір зерен, що становить 50-20000 мкм.4....
Установка для очищення кремнію технічної чистоти
Номер патенту: 98161
Опубліковано: 25.04.2012
Автори: Марончук Ігор Євгенович, Кулюткіна Тамара Фатихівна
МПК: C01B 33/02, C30B 13/00, C01B 33/037, C01B 33/00 ...
Мітки: кремнію, чистоти, установка, технічної, очищення
Формула / Реферат:
1. Установка для очищення кремнію технічної чистоти у вакуумі або атмосфері інертного газу, яка містить камеру (1) для очищення кремнію, з герметично замкненими дверима, в якій розміщена піч опору (2) з електричними введеннями (3), що забезпечує нагрівання до 1200 °С, тигель (4) з розплавом легкоплавкого металу, введення для штоків для здійснення обертання і переміщення уздовж своїх осей, ємність (5) з множиною отворів для витягання...
Спосіб одержання твердого полікристалічного кремнію високої чистоти
Номер патенту: 97691
Опубліковано: 12.03.2012
Автори: Буасвер Рене, Леблан Домінік
МПК: C01B 33/00, C01B 33/037
Мітки: спосіб, полікристалічного, чистоти, кремнію, високої, одержання, твердого
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання твердого полікристалічного кремнію високої чистоти шляхом очищення металургійного кремнію низької чистоти, що містить щонайменше одну з наступних забруднювальних домішок Аl, As, Ba, Ві, Са, Cd, Fe, Co, Cr, Cu, Fe, La, Mg, Mn, Mo, Na, Ni, P, Pb, Sb, Sc, Sn, Sr, Ті, V, Zn, Zr і В, причому вказаний спосіб включає етапи, на яких:(a) витримують розплав металургійного кремнію низької чистоти у формі, причому вказана...
Спосіб очищення кремнію технічної чистоти
Номер патенту: 97576
Опубліковано: 27.02.2012
Автори: Марончук Ігор Ігорович, Кулюткіна Тамара Фатихівна, Найденкова Марія Владиміровна, Марончук Ігор Євгенович
МПК: C01B 33/037
Мітки: технічної, кремнію, чистоти, очищення, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб очищення кремнію технічної чистоти, в якому металургійний кремній вводять в примусово переміщуваний розплав легкоплавкого металу при постійній температурі розплаву, величину якої обмежують летючістю легкоплавкого металу, потім здійснюють кристалізацію розчиненого кремнію на поверхні кристалічної затравки, опущеної в одержаний розчин-розплав, витягання отриманого зливка кристалічного кремнію з тигля та його очищення від атомів...
Спосіб очищення кремнієвмісного матеріалу низької чистоти, застосування барабанної печі у ньому, розплав кремнієвмісного матеріалу, відхідні гази та твердий полікристалічний кремній, одержані цим способом
Номер патенту: 97488
Опубліковано: 27.02.2012
Автори: Леблан Домінік, Буасвер Рене
МПК: C30B 29/06, C01B 33/02, C01B 33/037 ...
Мітки: кремній, ньому, спосіб, печі, застосування, способом, твердий, чистоти, матеріалу, цим, кремнієвмісного, газі, очищення, барабанної, полікристалічний, відхідні, низької, розплав, одержані
Формула / Реферат:
1. Спосіб очищення кремнієвмісного матеріалу низької чистоти, який включає етапи, на яких:(a) забезпечують плавильний пристрій, обладнаний кисневим пальником, і(b) в цьому плавильному пристрої плавлять кремнієвмісний матеріал низької чистоти з одержанням розплаву кремнієвмісного матеріалу більш високої чистоти.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що плавильний пристрій з етапу (а) включає в себе барабанну...
Спосіб очищення оборотів кремнію
Номер патенту: 95003
Опубліковано: 25.06.2011
Автори: Гаврилюк Олег Якович, Гринь Григорій Васильович
МПК: C22B 9/22, C30B 33/00, C01B 33/037 ...
Мітки: кремнію, очищення, оборотів, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб очищення оборотів кремнію, що включає послідовне плавлення кремнію в локальних точках поверхні оборотів електронним променем у вакуумі, який відрізняється тим, що одержаний розплав додатково супроводжують електронним променем під час його руху по похилій поверхні піддона до стікання в тигель.
Спосіб очищення кремнію від шкідливих домішок, наприклад, бору і фосфору
Номер патенту: 58120
Опубліковано: 25.03.2011
Автори: Лапшук Тамара Володимирівна, Фільов Олександр Сергійович, Овчарук Анатолій Миколайович, Тутик Валерій Анатолійович, Цвітков Ігор Валерійович, Саф'ян Павло Павлович, Гасик Михайло Іванович, Ладохін Сергій Васильович, Гладков Андрій Сергійович
МПК: C01B 33/037
Мітки: наприклад, шкідливих, кремнію, фосфору, очищення, спосіб, домішок, бору
Формула / Реферат:
1. Спосіб очищення кремнію від шкідливих домішок, наприклад, бору і фосфору, що включає розігрів неочищеного кремнію до утворення розплаву з використанням висококонцентрованого джерела енергії, обробку газовою фазою, яка включає інертний газ, відновлювальний газ та пари води, який відрізняється тим, що як висококонцентроване джерело енергії використовують низьковакуумну газорозрядну електронну гармату, а спосіб очищення ведуть поступово в...
Спосіб одержання si шляхом відновлення sicl4 рідким zn
Номер патенту: 93503
Опубліковано: 25.02.2011
Автори: Робер Ерік, Зейлема Тьякко
МПК: C01B 33/00, C01B 33/033, C01B 15/00 ...
Мітки: шляхом, sicl4, спосіб, рідким, відновлення, одержання
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання Si шляхом відновлення рідким Zn, який включає стадії:- введення газоподібного SiCl4 в контакт із рідкою металічною фазою, що містить Zn, з одержанням таким чином металічної фази, що містить Si, і хлориду Zn,- відділення хлориду Zn від металічної фази, що містить Si; і- очищення металічної фази, що містить Si, при температурі, що перевищує температуру кипіння Zn, з випаровуванням таким чином Zn і...
Спосіб отримання порошку кремнію високої чистоти “нанотехнологія “сонячного” кремнію”
Номер патенту: 49266
Опубліковано: 26.04.2010
Автори: Косінов Микола Васильович, Каплуненко Володимир Георгійович
МПК: C01B 33/02, C01B 33/00, C01B 33/037 ...
Мітки: отримання, спосіб, високої, порошку, кремнію, сонячного, чистоти, нанотехнологія
Формула / Реферат:
Спосіб отримання порошку кремнію високої чистоти, що включає подрібнення металургійного кремнію і обробку його водним розчином неорганічних кислот для відділення домішок, який відрізняється тим, що подрібнення металургійного кремнію здійснюють у воді шляхом пропускання імпульсного електричного струму через гранули кремнію, здійснюють сублімацію домішок в проміжках між кристалітами з подальшим розділенням домішок і кристалітів кремнію шляхом...
Спосіб одержання порошку полікристалічного кремнію
Номер патенту: 89460
Опубліковано: 25.01.2010
Автори: Ройтман Юхим Мойсейович, Бакай Едуард Аполлінарійович, Котвицький Денис Вадимович, Бурцев Федір Володимирович, Тарновський Олександр Васильович
МПК: C01B 33/02, C01B 33/037
Мітки: порошку, кремнію, одержання, спосіб, полікристалічного
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання порошку полікристалічного кремнію сонячної градації, який включає багатостадійну хімічну обробку технічного кремнію, який відрізняється тим, що хімічну обробку кремнію здійснюють кислотою в три стадії, на першій - використовують хлористоводневу кислоту, на другій - азотну кислоту й на третій - фтористоводневу кислоту, причому на першій стадії використовують технічний кремній, а на другій і третій стадіях кремній,...
Спосіб очищення металургійного кремнію
Номер патенту: 84653
Опубліковано: 10.11.2008
Автори: Марончук Ігор Ігорович, Комар Фідель Леонідович, Марончук Ігор Євгенович, Кулюткіна Тамара Фатихівна
МПК: C30B 15/02, C01B 33/02, C01B 33/037, C01B 33/021 ...
Мітки: спосіб, очищення, кремнію, металургійного
Формула / Реферат:
Спосіб очищення металургійного кремнію, який включає введення кремнію в розплав металу-розчинника, нагрівання цього розплаву, кристалізацію кремнію на кристалічній затравці, що опущена в розплав, масоперенос розчиненого кремнію до фронту кристалізації, який відрізняється тим, що введення металургійного кремнію в розплав металу-розчинника здійснюють шляхом безперервного подавання його при фіксованій температурі, величину якої обмежують...
Спосіб одержання тетрафториду кремнію, спосіб відділення тетрафториду кремнію від кисню і високолетких фторидів домішок, спосіб одержання порошку кремнію з тетрафториду кремнію
Номер патенту: 73847
Опубліковано: 15.09.2005
Автори: Карєлін Владімір Алєксандровіч, Карєлін Алєксандр Івановіч, Домашев Євген Дмитрович, Абубекєров Равіль Абдурахімович
МПК: C01B 33/021, C01B 33/02, C01B 33/03 ...
Мітки: тетрафториду, одержання, порошку, фторидів, домішок, спосіб, кремнію, високолетких, кисню, відділення
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання тетрафториду кремнію, що полягає в тому, що здійснюють фторування природних кремнієвмісних концентратів з 97,0 - 99,998 % мас. SiO2 у дві наступні стадії, що протікають незалежно без поділу продуктів реакцій:- на 1-ій стадії фторування проводять у факелі при 1500 - 2000 °С з надлишком елементного фтору 15-20 % мас. щодо стехіометрії реакцій фторування з виводом із процесу нелетких фторидів при 100 - 350°С, а...