Добровольський Юрій Георгійович

Номер патенту: 42481

Опубліковано: 15.10.2001

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Біксей Михайло Петрович

МПК: H01L 21/66

Мітки: структура, тестова

Формула / Реферат:

Тестова структура, яка містить напівпровідникову підкладку та розташовану на її поверхні ізолюючу маску з відкритими в ній отворами, які закриваються ділянками металічних шин, які контактують через отвори з підкладкою і утворюють два резистивні ланцюжки, отвори в одному з яких мають форму прямокутників, а в другому - форму кругів, діаметр кожного з яких дорівнює меншій з сторін прямокутного отвору, яка відрізняється тим, що перший резистивний...

Номер патенту: 39347

Опубліковано: 15.06.2001

Автори: Романюк Ігор Степанович, Ащеулов Анатолій Анатолійович, Добровольський Юрій Георгійович

МПК: H01L 31/06

Мітки: фотоелектричний, приймач, лазерного, випромінювання

Формула / Реферат:

Фотоелектричний приймач лазерного випромінювання, що містить напівпровіднико­вий фотодіод з кремнієвим вхідним вікном, який відрізняється тим, що на поверхні фотодіоду сформовано шар окислу кремнію, а кремнієве вхідне вікно розташовано безпо­середньо на поверхні цього шару у вигляді плоскопаралельної пластини, при цьому го­ловна вісь конструкції розвернута до джерела випромінения під кутом 80°, а її сумарна товщина не перевищує глибини...

Номер патенту: 36197

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Добровольський Юрій Георгійович, Годованюк Василь Миколайович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: H01L 31/18

Мітки: фотодіодів, виготовлення, спосіб

Текст:

...Ащеулов А.А., Добровольскій Ю.Г., Годованюк В.М. та ін. Технологічний метод зменшення темнового струму кремнієвих р-і-n фотодіодів // Науковий вісник Чернівецького університету. Вип. 32. - Фізика. – Чернівці: ЧДУ, 1998. - С. 135-142 (аналог). 2. Годованюк В.М. Конструкція та виготовлення порогового ФД337А на основі монокристалічного кремнію // Науковий вісник Чернівецького університету. Вип.40. – Фізика. – Чернівці: ЧДУ, 1998. - С. 54-58...

Номер патенту: 36796

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Романюк Ігор Степанович, Добровольський Юрій Георгійович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, вертикальної, спосіб, вісмуту, твердих, основі, перекристалізації, методом, телуриду, монокристалів, розчинів, зонної

Текст:

...спостерігання неможливе через заповнення простору між шайбою та контейнером розплавленим матеріалом. При співвідношенні цих діаметрів більше як 0,99 виникає заклинення шайби стінками контейнеру. Збільшення температури в зоні супроводжується передачею додаткової енергії шайбі, яка тоне у розплаві та підплавляє додаткову порцію вихідного матеріалу. Зменшення температури в зоні супроводжується відштовхуванням шайби матеріалом, що...