Патенти з міткою «тестова»

Номер патенту: 91578

Опубліковано: 10.08.2010

Автор: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 21/04, H01L 21/00

Мітки: p-і-n, структура, тестова, визначення, генерації, виготовлення, процесі, рекомбінації, параметрів, діодів

Формула / Реферат:

1. Тестова структура для визначення параметрів генерації та рекомбінації носіїв заряду в процесі виготовлення р-і-n діодів, що має область (1) іншого типу провідності відносно напівпровідникової основи (2), наприклад р+-область, розташовану на напівпровідниковій основі n-типу провідності, область керованого збіднення (3), що прилягає до р+-області (1), шар ізолятора (5), що покриває р+-область та частину напівпровідникової основи, нанесений...

Номер патенту: 38842

Опубліковано: 26.01.2009

Автор: ПЕРЕВЕРТАЙЛО ВОЛОДИМИР ЛЕОНТІЙОВИЧ

МПК: H01L 21/00

Мітки: виготовлення, генерації, процесі, тестова, параметрів, структура, діодів, визначення, рекомбінації, p-і-n

Формула / Реферат:

1. Тестова структура для визначення параметрів генерації та рекомбінації в процесі виготовлення p-i-n діодів для реєстрації зворотного струму через р-n перехід керованого полем діода, яка має область (1) іншого типу провідності відносно напівпровідникової основи (2), наприклад, р+ область, розташовану на основі n-типу, область керованого збіднення (3), що примикає до області (1), шар ізолятора (5), що покриває основу зі сторони згаданої р+...

Номер патенту: 42481

Опубліковано: 15.10.2001

Автори: Біксей Михайло Петрович, Добровольський Юрій Георгійович

МПК: H01L 21/66

Мітки: тестова, структура

Формула / Реферат:

Тестова структура, яка містить напівпровідникову підкладку та розташовану на її поверхні ізолюючу маску з відкритими в ній отворами, які закриваються ділянками металічних шин, які контактують через отвори з підкладкою і утворюють два резистивні ланцюжки, отвори в одному з яких мають форму прямокутників, а в другому - форму кругів, діаметр кожного з яких дорівнює меншій з сторін прямокутного отвору, яка відрізняється тим, що перший резистивний...

Номер патенту: 4059

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Молчанов Костянтин Вікторович, Ілюк Ігор Євгенович, Пенцак Іван Борисович, Чекмезов Олександр Миколайович, Остапчук Анатолій Іванович

МПК: H01L 21/66

Мітки: тестова, контролю, технологічних, інтегральних, структура, параметрів, схем

Формула / Реферат:

Тестовая структура для контроля технологических параметров интегральных схем, содержащая полупроводниковую подложку со сформированными на ней квадратным и полосчатым резисторами, а также соединенные с ними проводящие дорожки, имеющие контактные площадки на концах, отличающаяся тем, что она дополнительно содержит второй квадратный резистор, а на поверхность структуры нанесен маскирующий слой с окнами, расположенными над полосчатым и одним из...