Патенти з міткою «вісмуту»

Номер патенту: 73612

Опубліковано: 25.09.2012

Автори: Близнюк Антоніна Вікторівна, Литовченко Валентина Данилівна, Козін Валентин Хомич

МПК: B22F 9/00, C22B 30/00

Мітки: вісмуту, одержання, високої, спосіб, чистоти, пластинок, ультрадисперсних

Формула / Реферат:

Спосіб одержання ультрадисперсних пластинок вісмуту високої чистоти в перхлоратних електролітах, що включає диспергування потоком електронів, який відрізняється тим, що процес реалізують при поляризації вісмуту постійним струмом густиною 50-150 мА/см2 в розчині, що містить концентровану хлорну кислоту та 0,1-1,0 моль/л перхлорату алюмінію в температурному інтервалі 75-95 °C.

Номер патенту: 89334

Опубліковано: 11.01.2010

Автори: Галенін Євген Петрович, Герасимов Ярослав Віталійович, Кудін Костянтин Олександрович, Софронов Дмитро Семенович, Ткаченко Сергій Анатолійович, Нагорняк Володимир Теодорович

МПК: C30B 11/00, C30B 29/32, C30B 15/00 ...

Мітки: вісмуту, германату, евлітину, структурою, монокристалів, середовище, вирощування

Формула / Реферат:

Середовище для вирощування монокристалів германату вісмуту зі структурою евлітину на основі інертних газів з вмістом кисню, яке відрізняється тим, що містить 2,5-3 об. % кисню і 97-97,5 об. % суміші інертних газів аргону та гелію, причому аргон і гелій беруть у співвідношенні 13:1.

Номер патенту: 77593

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Рижиков Володимир Діомидович, Пирогов Євген Миколайович, Гриньов Борис Вікторович, Бондар Валерій Григорійович, Кривошеін Вадим Іванович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: вирощування, вісмуту, германату, спосіб, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів германату вісмуту, що включає розплавлення вихідного матеріалу, витягування його на затравку, що обертається, розрощування конусної частини кристала, витягування його циліндричної частини, відділення кристала від розплаву, яке здійснюють збільшенням швидкості витягування до 100-200 мм/хв з подальшим охолодженням одержаного кристала зі швидкістю 100-150 град/год, який відрізняється тим, що перед відділенням...

Номер патенту: 6610

Опубліковано: 16.05.2005

Автори: Кожемякін Геннадій Миколайович, Луцький Денис Валерійович

МПК: C30B 15/00

Мітки: розчинів, уздовж, спосіб, вирощування, твердих, розподілом, регульованим, неоднорідним, вісмуту, сурма-вісмут, кристалів, кристала

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування кристалів твердих розчинів сурма-вісмут з регульованим неоднорідним розподілом вісмуту уздовж кристала, який полягає у тому, що живлення розплаву здійснюють шляхом введення в розплав зливка підживлення, який відрізняється тим, що зливок вісмуту вводять у розплав сурми зі швидкістю від 0,1 до 0,3 мм/хв, при цьому рівень розплаву в тиглі не змінюють, а температуру на фронті кристалізації в процесі росту зменшують від...

Номер патенту: 72610

Опубліковано: 15.03.2005

Автор: Могра Сіпрієн

МПК: C22B 9/10, C22B 13/00

Мітки: вісмуту, спосіб, розплавленого, допомогою, кальцій-магній, сплавів, свинцю, видалення

Формула / Реферат:

1. Спосіб видалення вісмуту з розплавленого свинцю за допомогою магнію і кальцію, який відрізняється тим, що магній і кальцій вводять у ванну розплаву всередині клітки у формі шматків двох сплавів Мg-Са, один з яких містить від 12 до 20 мас. % Са, а інший від 70 до 77 мас. % Са, при цьому кожний має температуру ліквідусу менше 650°С, і тим, що температури ліквідусу двох сплавів відрізняються менше, ніж на 20°С.2. Спосіб за п.1, який...

Номер патенту: 57242

Опубліковано: 16.06.2003

Автори: Шперун Всеволод Михайлович, Никируй Любомир Іванович, Прокопів Володимир Васильович, Фреїк Дмитро Михайлович

МПК: C30B 11/02, C22C 12/00, C22C 11/00 ...

Мітки: спосіб, основі, свинцю, германію, отримання, вісмуту, сурми, сплавів, телуридів

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання сплавів на основі телуридів германію, свинцю, вісмуту і сурми, який полягає в тому, що вихідну речовину, розташовують в кварцовій вакуумованій ампулі, поміщають у двозонну піч, температура першої зони якої є вищою від температури плавлення вихідної речовини, а температура другої зони є нижчою від температури плавлення вихідної речовини, ампулу з вихідною речовиною витримують у першій зоні до отримання розплаву і...

Номер патенту: 36796

Опубліковано: 16.04.2001

Автори: Романюк Ігор Степанович, Добровольський Юрій Георгійович, Ащеулов Анатолій Анатолійович

МПК: C30B 13/00

Мітки: отримання, вісмуту, зонної, телуриду, твердих, вертикальної, спосіб, розчинів, основі, монокристалів, методом, перекристалізації

Текст:

...спостерігання неможливе через заповнення простору між шайбою та контейнером розплавленим матеріалом. При співвідношенні цих діаметрів більше як 0,99 виникає заклинення шайби стінками контейнеру. Збільшення температури в зоні супроводжується передачею додаткової енергії шайбі, яка тоне у розплаві та підплавляє додаткову порцію вихідного матеріалу. Зменшення температури в зоні супроводжується відштовхуванням шайби матеріалом, що...

Номер патенту: 35050

Опубліковано: 15.03.2001

Автори: Дзензерський Віктор Олександрович, Будник Валерій Георгієвич, Матін Василь Іванович, Сорокендя Віктор Степанович, Васильєв Сергій Володимирович, Зарубицький Олег Григорович

МПК: C25C 1/00

Мітки: стані, домішок, миш'яку, анодного, одночасним, вісмуту, свинцю, рафінування, металевому, спосіб, олова, одержанням, сурми

Формула / Реферат:

Спосіб анодного рафінування свинцю і вісмуту від домішок сурми, олова та миш'яку з одночасним одержанням сурми у металевому стані шляхом електролізу розплаву лугу при температурі 350-500°C і анодній щільності струму 0,2-3,0 А/см2, відмінний тим, що електроліз ведуть при катодній щільності струму 0,01-0,2 А/см2.

Номер патенту: 27002

Опубліковано: 28.02.2000

Автори: ДУГЛАС Стефен, ХЕППЕНСТОЛЛ Колін, СМІТ Норман

МПК: A61K 33/00, A61K 31/34

Мітки: шлунково-кишкового, карбоксилату, орального, композиція, ранітидину, твердий, застосування, вісмуту, сіль, яка, дозованій, розладах, форми, придатній, одержання, тракту, містить, одиничній, фармацевтична, спосіб

Формула / Реферат:

1. Фармацевтическая композиция в твердой единичной дозированной форме, пригодная для орального применения при расстройствах желудочно-кишечного тракта, включающая в качестве активного начала комплекс N-[2-[[[5-[(диметиламино)метил]-2-фуранил]метил]тио]этил]-N'-метил-2-нитро-1,1-этендиамин:2-гидрокси-1,2,3-пропантрикарбоксилат-висмут(3+) или комплекс...

Номер патенту: 26669

Опубліковано: 12.11.1999

Автор: Клітроу Джон Уотсон

МПК: C07D 307/52

Мітки: комплексом, ранітидином, утворена, кислотою, яка, фармацевтична, карбоновою, спосіб, сіль, композиція, основі, вісмуту, одержання

Формула / Реферат:

1. Соль, образованная ранитидином и комплексом висмута с карбоновой кислотой, или сольват такой соли, где карбоновая кислота выбрана из лимонной или винной кислот, обладающая терапевтической активностью.2. Соль по п.1, где она представляет собой N-[2-[[[5-[(диметиламино)метил]-2-фуранил]метил]тио]этил]-N'-метил-2-нитро-1,1-этендиамин-2-гидрокси-1,2,3-пропантрикарбоксилат висмута (3+) и ее сольваты.3. Соль по п.1, где она...

Номер патенту: 18922

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Воронич Ольга Гаврилівна, Базель Ярослав Рудольфович, Студеняк Ярослав Іванович, Зимомря Іван Іванович

МПК: G01N 31/22

Мітки: екстракційно-фотометричного, визначення, вісмуту, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб екстракційно-фотометричного визначення вісмуту, що включає зв'язування вісмуту в іонний асоціат з галогенідіонами І ціаніновим барвником у водно-органічному середовищі, екстракцію комплексу сумішшю бензолвмісної сполуки з кетоном І наступне фотометрування екстрактів, який відрізняється тим, що як галогенідіон використовують бромід-Іон, як ціаніновий барвник використовують астрафлоксин FF, а зв'язування вісмуту в Іонний асоціат...

Номер патенту: 16599

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Пирогов Євген Миколайович, Тіман Беніамін Липович, Загвоздкін Борис Васильович, Бурачас Станіслав Феліксович, Кривошеін Вадим Іванович, Бондаренко Станіслав Костянтинович, Бондар Валерій Григорович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: вирощування, монокристалів, вісмуту, спосіб, германату

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов герма-ната висмута, включающий вытягивание из рас­плава на вращающуюся затравку и разращивание до заданного диаметра верхней конусной части кристалла, выращивание цилиндрической части кристалла заданной длины, уменьшение скорости вращения, выращивание нижнего когуса, отделе­ние кристалла от расплава и его охлаждение, отли­чающийся тем, что, с целью улучшения качества кристаллов и повышения выхода годных,...

Номер патенту: 16679

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Кривошеін Вадим Іванович, Бондар Валерій Григорович, Бурачас Станіслав Феліксович, Федорова Надія Миколаївна, Горішній Юрій Васильович, Пирогов Євген Миколайович, Салійчук Олена Костянтинівна

МПК: C30B 15/00, C30B 11/02, C30B 29/32 ...

Мітки: одержання, монокристалів, спосіб, вісмуту, германату, структурою, евлітину

Формула / Реферат:

Способ получения монокристаллов германа-та висмута со структурой эвлитина, включающий нагрев и выдержку исходных оксидов германия и висмута, их смешение, загрузку в платиновый ти­гель, нагрев, гомогенизирующую выдержку в тече­ние 2-3 ч, дозагрузку оксидов и выращивание монокристаллов вытягиванием на затравку, отли­чающийся тем, что, с целью сокращения длитель­ности процесса и уменьшения загрязнения расплава и кристаллов и коррозии тигля,...

Номер патенту: 11008

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Дідаш Інеса Микитівна, Бурачас Станіслав Феліксович, Долгих Тамара Миколаївна, Пирогов Євген Миколайович, Галкін Сергій Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C01G 17/00, C01G 29/00

Мітки: вісмуту, спосіб, переробки, відходів, германату

Формула / Реферат:

1. Способ переработки отходов германата висмута, включающий их кислотную обработку и последующее выделение соединений металлов, от­личающийся тем, что проводят обработку отходов германата висмута смесью соляной и фосфорной кислот в соотношении 2:1 при температуре 60-80°С и соотношении твердого к жидкому 1:4.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что исполь­зуют соляную и фосфорную кислоты с концентра­цией 20% и 50% соответственно.

Номер патенту: 9942

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Бороденко Юрій Афанасійович, Бурачас Станіслав Феліксович, Кухтіна Ніна Миколаївна, Пирогов Євген Миколайович, Рижиков Володимир Діамидович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/32

Мітки: вісмуту, кристалів, германату, термообробки, спосіб

Текст:

...что нагрев, выдержку и охлаждение кристаллов BGO в кислородсодержащей атмосфере с цепью улучшения сцинтилляционных параметров и увеличения выхода годных кристаллов осуществляют в следующих режимах; нагрев со скоростью 75-200 град/час до температуры 990 + 40°С, выдержку при этой температуре в течение 0,5-2 часов с пропусканием через кристалл постоянного электрического тока 2 плотностью 0,05-0.25 мА/см , охлаждение со скоростью 50-100 град/час...

Номер патенту: 5386

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Пирогов Євген Миколайович, Бондар Валерій Григорович, Мартинов Валерій Павлович, Кривошеін Вадим Іванович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бондаренко Станіслав Костянтинович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/32

Мітки: монокристалів, вирощування, германату, вісмуту, спосіб

Формула / Реферат:

Способ выращивания монокристаллов германата висмута, включающий затравление на вращающуюся затравку, разращивание верхней конусной части монокристалла с заданным телесным углом и вытягивание цилиндрической части, отделение кристалла от расплава и его охлаждение, отличающийся тем, что разращивание верхней конусной части осуществляют в пределах телесного угла 130-160 град.

Номер патенту: 5190

Опубліковано: 28.12.1994

Автори: Бороденко Юрій Афанасійович, Кухтіна Ніна Миколаївна, Бурачас Станіслав Феліксович, Пирогов Євген Миколайович, Рижиков Володимир Діомидович

МПК: C30B 33/02, C30B 29/32

Мітки: германату, спосіб, термообробки, кристалів, вісмуту

Формула / Реферат:

Способ термообработки кристаллов гepманата висмута, включающий нагрев кристаллов со скоростью 75-200 град/час, выдержку и последующее охлаждение в кислородсодержащей атмосфере сначала со скоростью 50-100 град/час до температуры 900-960°С, а затем со скоростью 100-200 град/час, отличающийся тем, что кислородсодержащую атмосферу создают путем ведения процесса в замкнутом объеме в присутствии пятиокиси сурьмы в количестве 0,2-2,0 г/м3, а...

Номер патенту: 3781

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Іванов Микола Петрович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Нагорна Людмила Лаврентіївна

МПК: C01G 29/00, C01G 17/00

Мітки: германату, одержання, вісмуту, спосіб

Формула / Реферат:

Способ получения германата висмута, включающий смешивание соединений германия и висмута и термообработку полученной смеси в тигле, отличающийся тем, что в качестве соединения германия используют германат щелочного металла, в качестве соединения висмута - нитрат-хлорид или сульфат висмута, а термообработку ведут при 300-900°С в течение 0,5-1,5 ч.

Номер патенту: 4270

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Краснова Галина Михайлівна, Волков Сергій Васильович, Козін Валентин Хомич, Буряк Микола Іванович, Шека Іван Арсентійович

МПК: C22B 30/00

Мітки: вісмуту, спосіб, порошку, одержання

Формула / Реферат:

Способ получения порошка висмута, вклю­чающий химическое выделение металла из рас­плава соли висмута, отличающийся тем, что, с целью повышения дисперсности порошка и увели­чения выхода годного, в качестве исходного берут расплав трихлорида висмута, а химическое выде­ление проводят путем воздействия на расплав ме­таллическим висмутом при 280-400 °С до образования субхлорида висмута с последующей обработкой последнего 0,5-2 н. водным раствором...

Номер патенту: 3391

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Загвоздкін Борис Васильович, Мартинов Валерій Павлович, Бурачас Станіслав Феліксович, Бондар Валерій Григорович, Кривошеін Вадим Іванович, Пирогов Євген Миколайович, Бондаренко Станіслав Костянтинович

Мітки: спосіб, вісмуту, монокристалів, вирощування, германату

Формула / Реферат:

(57) Способ выращивания монокристаллов германата висмута, включающий расплавление исходного материала в платиновом тигле с помощью высокочастотного индуктора, затравление на вращающуюся затравку, разращивание конусной части кристалла, вытягивание его цилиндрической части, отделение кристалла от расплава и его охлаждение, о т л и ч а ю щ и й с я тем, что после отделения кристалла мощность индуктора уменьшают в 1,5-2,5 раза в течение 2...