Дубина Наталія Георгіївна
Спосіб виготовлення cd1-xzn xte-детектора g-та х-випромінювання
Номер патенту: 64429
Опубліковано: 10.11.2011
Автори: Вахняк Надія Дмитрівна, Демчина Любомир Андрійович, Комарь Віталій Корнійович, Томашик Василь Миколайович, Лоцько Олександр Павлович, Томашик Зінаїда Федорівна, Гнатів Іван Іванович, Дубина Наталія Георгіївна, Стратійчук Ірина Борисівна, Корбутяк Дмитро Васильович
МПК: H01L 21/00
Мітки: g-та, спосіб, cd1-xzn, виготовлення, xte-детектора, х-випромінювання
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення напівпровідникового детектора γ- та X-випромінювання, який включає різку високоомного монокристала Cd1-xZnxTe на пластини, механічне шліфування та полірування, травлення зразка в поліруючому рідкофазному травнику, який містить бром, та нанесення контактів шляхом напилення контактного металу одиночним імпульсом технологічного лазера, який відрізняється тим, що як поліруючий травник використовують бромвиділяючу суміш...