Комарь Віталій Корнійович

Номер патенту: 78882

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Чугай Олег Миколайович, Новохатська Тетяна Миколаївна, Сулима Сергій Віталійович, Абашин Сергій Леонідович, Олійник Сергій Володимирович, Полубояров Олексій Олександрович, Комарь Віталій Корнійович, Герасименко Андрій Спартакович

МПК: G01N 13/00

Мітки: матеріалах, фотоактивних, центрів, кристалічних, визначення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання прирощення ефективних значень діелектричної проникності  та коефіцієнта діелектричних втрат  в залежності від довжини хвилі монохроматичного світла  з...

Номер патенту: 76301

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Сулима Сергій Віталійович, Охрімовський Андрій Михайлович, Яцина Юрій Анатолійович, Полубояров Олексій Олександрович, Терзін Ігор Сергійович, Олійник Сергій Володимирович, Чугай Олег Миколайович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: G01T 1/24

Мітки: вимірювання, спосіб, потужності, дози, електромагнітного, випромінювання, експозиційної

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання експозиційної дози електромагнітного випромінювання шляхом подачі електричної напруги на пластину з високоомного напівпровідника, який відрізняється тим, що пластину виготовляють з твердого розчину високоомного напівпровідника, а електроди створюють на обох поверхнях пластини; на пластину подають змінну електричну напругу, вимірюють частотні залежності електроємності

Номер патенту: 76300

Опубліковано: 25.12.2012

Автори: Чугай Олег Миколайович, Шматко Олександр Олександрович, Сулима Сергій Віталійович, Комарь Віталій Корнійович, Олійник Сергій Володимирович, Полубояров Олексій Олександрович, Терзін Ігор Сергійович, Новохатська Тетяна Миколаївна

МПК: G01R 31/26

Мітки: електроопору, твердих, напівпровідників, питомого, спосіб, високоомних, вимірювання, розчинів

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання в низькочастотній області тангенса кута діелектричних втрат  та електроємності  вимірювального конденсатора, який утворено за допомогою плоских електродів, діелектричних шарів та досліджуваного зразка;...

Номер патенту: 65066

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Герасименко Андрій Спартакович, Христьян Володимир Анатолійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Коваленко Назар Олегович

МПК: C30B 11/00

Мітки: перестроюванням, елементів, середнього, селеніду, активних, основі, кристалічний, матеріал, частоти, лазерів, цинку, діапазону

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого двовалентними іонами хрому і заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Cr2+:Fe2+:Zn1-xMgxSe при 0,13<х<0,60.

Номер патенту: 64429

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Корбутяк Дмитро Васильович, Дубина Наталія Георгіївна, Гнатів Іван Іванович, Комарь Віталій Корнійович, Демчина Любомир Андрійович, Лоцько Олександр Павлович, Вахняк Надія Дмитрівна, Томашик Василь Миколайович, Стратійчук Ірина Борисівна, Томашик Зінаїда Федорівна

МПК: H01L 21/00

Мітки: спосіб, cd1-xzn, g-та, х-випромінювання, xte-детектора, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення напівпровідникового детектора γ- та X-випромінювання, який включає різку високоомного монокристала Cd1-xZnxTe на пластини, механічне шліфування та полірування, травлення зразка в поліруючому рідкофазному травнику, який містить бром, та нанесення контактів шляхом напилення контактного металу одиночним імпульсом технологічного лазера, який відрізняється тим, що як поліруючий травник використовують бромвиділяючу суміш...

Номер патенту: 95882

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Христьян Володимир Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Коваленко Назар Олегович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Герасименко Андрій Спартакович

МПК: C30B 29/10, C30B 11/00, C30B 29/46 ...

Мітки: основі, активних, елементів, заліза, матеріал, легованого, іонами, лазерів, кристалічний, перестроюванням, діапазону, середнього, селеніду, частоти, цинку

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію, вміст якої складає 0,11<х<0,60 і створює твердий розчин заміщення Fe2+:Zn1-хMgxSe.

Номер патенту: 94142

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Коваленко Назар Олегович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Герасименко Андрій Спартакович, Федоренко Ольга Олександрівна, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: C30B 29/10, C30B 29/46, C30B 11/00 ...

Мітки: середнього, частоти, матеріал, основі, селеніду, лазерів, перестроюванням, елементів, кристалічний, хромом, діапазону, цинку, легованого, активних

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом, який відрізняється тим, що матеріал додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Zn1-xMgxSe:Cr2+ при 0,22<х<0,6, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підрешітці.

Номер патенту: 92595

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Комарь Віталій Корнійович, Олійник Сергій Володимирович, Сулима Сергій Віталійович, Абашин Сергій Леонідович, Чугай Олег Миколайович

МПК: G01N 27/22, G01J 5/50

Мітки: кристалічних, неоднорідностей, матеріалах, спосіб, розподілу, електрофізичних, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення розподілу електрофізичних неоднорідностей в кристалічних матеріалах шляхом переміщення електродів відносно поверхні зразка з одночасним вимірюванням в змінному електричному полі їх електрофізичних параметрів, який відрізняється тим, що на плоскому електроді розміщують еталонний зразок товщиною  з pівномірним розподілом діелектричної проникності

Номер патенту: 51304

Опубліковано: 12.07.2010

Автори: Коваленко Назар Олегович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Христьян Володимир Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Федоренко Ольга Олександрівна

МПК: H01L 21/302

Мітки: сполуки, cdznte, основі, детектора, отримання, спосіб, спектрометричного

Формула / Реферат:

Спосіб отримання спектрометричних детекторів на основі кристалів CdZnTe, що включає механічну обробку поверхні, просушування, видалення порушеного шару, нанесення суцільних електричних контактів на протилежні поверхні кристала, отримання захисного шару на боковій поверхні, який відрізняється тим, що спочатку наносять суцільні електричні контакти на протилежні поверхні кристала, а потім видаляють порушений шар із бокової поверхні шляхом...

Номер патенту: 90369

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Сулима Сергій Віталійович, Чуйко Олексій Сергійович, Чугай Олег Миколайович, Терзін Ігор Сергійович, Олійник Сергій Володимирович, Абашин Сергій Леонідович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: G01R 31/26, H01L 21/66

Мітки: напівпровідниках, струму, нерівноважних, часу, життя, носіїв, спосіб, вимірювання

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання часу життя нерівноважних носіїв струму у напівпровідниках шляхом одержання частотної залежності фотопровідності, зумовленої дією прямокутних імпульсів світла, який відрізняється тим, що вимірюють амплітуду першої гармоніки сигналу фотопровідності, одержують залежність її розкладу у ряд Фур’є від частоти слідування імпульсів фотозбудження і з цієї залежності визначають час життя нерівноважних носіїв струму.

Номер патенту: 90037

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Олійник Сергій Володимирович, Сулима Сергій Віталійович, Морозов Дмитро Сергійович, Чугай Олег Миколайович, Комарь Віталій Корнійович, Герасименко Андрій Спартакович, Абашин Сергій Леонідович

МПК: G01R 31/26

Мітки: високоомних, вимірювання, питомого, напівпровідників, розчинів, електроопору, спосіб, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання тангенса кута діелектричних втрат вимірювального конденсатора, який утворений за допомогою плоских електродів діелектричних шарів та досліджуваного зразка, у залежності від частоти змінного електричного поля в низькочастотній області, який відрізняється тим, що вимірюють електроємність вимірювального конденсатора, а питомий електроопір rs...

Номер патенту: 40036

Опубліковано: 25.03.2009

Автори: Герасименко Андрій Спартакович, Коваленко Назар Олегович, Комарь Віталій Корнійович, Христьян Володимир Анатолійович, Федоренко Ольга Олександрівна, Загоруйко Юрій Анатолійович, Сулима Сергій Віталійович

МПК: H01L 21/302

Мітки: сполуки, основі, спосіб, детектора, отримання, спектрометричного, cdznte

Формула / Реферат:

Спосіб отримання детекторів на основі кристалів CdZnTe, який включає механічну обробку поверхні, видалення порушеного шару шляхом хімічного травлення поверхні, просушування, отримання захисного шару на поверхні, нанесення електричних контактів на протилежні поверхні кристала, який відрізняється тим, що спочатку наносять електричні контакти на вказані поверхні, після чого отримують захисний шар шляхом опромінювання УФ випромінюванням у...

Номер патенту: 77464

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Мигаль Валерій Павлович, Чугай Олег Миколайович, Комарь Віталій Корнійович, Абашин Сергій Леонідович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Сулима Сергій Віталійович

МПК: G01J 1/10, G01N 21/63

Мітки: визначення, матеріалах, кристалічних, спосіб, центрів, фотоактивних

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання залежності ефективної діелектричної проникності і коефіцієнта діелектричних втрат зразка від довжини хвилі фотозбудження та побудови відповідних діаграм в комплексній площині з використанням вимірювання при планарній та об'ємній схемах розміщення електродів на зразку, визначення значень довжини хвилі λі фотозбудження як таких, що відповідають...

Номер патенту: 66107

Опубліковано: 15.04.2004

Автори: Сулима Сергій Віталійович, Мигаль Валерій Павлович, Комарь Віталій Корнійович, Абашин Сергій Леонідович, Чугай Олег Миколаєвич

МПК: G01N 13/10

Мітки: визначення, фотоактивних, центрів, спосіб, кристалічних, матеріалах

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання залежності ефективних діелектричної проникності і коефіцієнта діелектричних втрат зразка від довжини хвилі фотозбудження та побудови відповідних діаграм в комплексній площині, який відрізняється тим, що вимірювання послідовно виконують при поверхневій та об'ємній схемах розміщення електродів на зразку та його збудження, граничні довжини хвиль

Номер патенту: 65426

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Сулима Сергій Віталійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Мигаль Валерій Павлович, Чугай Олег Миколайович, Олійник Сергій Володимирович

МПК: G01N 13/10

Мітки: потенціалу, приповерхневого, спосіб, напівпровіднику, вимірювання, електростатичного

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання приповерхневого електростатичного потенціалу в напівпровіднику, що включає отримання залежності від довжини хвилі фотозбудження приросту ефективних значень діелектричної проникності і коефіцієнта діелектричних втрат зразка, побудову в комплексній площині відповідних діаграм, з яких визначається характеристична довжина хвилі λi та глибина залягання відповідного енергетичного рівня відносно верхньої межі валентної зони...

Номер патенту: 19567

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Іванов Микола Петрович, Нестеренко Юрій Олександрович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович

МПК: C01B 7/00, C01B 9/00

Мітки: багатокомпонентних, спосіб, фторидів, одержання

Формула / Реферат:

1. Способ получения многокомпонентных фторидов, включающий смешивание фторидов исходных металлов во фторирующей атмосфере и нагрев полученной смеси, отличающийся тем, что смешивание осуществляют в водной среде при температуре 100-150°С.2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что смешивание осуществляют во фторопластовых емкостях.

Номер патенту: 16595

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Карпова Ангеліна Петрівна, Загоруйко Юрій Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Терейковська Ольга Федорівна

МПК: H01L 21/28

Мітки: створення, кристалів, шарів, оптичних, напівпровідних, спосіб, типу, контактних, а(верхній, поверхні, індекс, b(верхній

Формула / Реферат:

Способ создания контактных слоев на поверхности оптических полупроводниковых кристаллов типа АIIВVI, включающий обезжиривание, промывку и нанесение на поверхность кристалла металлического слоя, отличающийся тем, что, с целью получения однородного по толщине механически прочного слоя при сохранении оптических свойств кристаллов и упрощения процесса, обезжиривание проводят в насыщенном растворе кальцинированной соды в течение 20-30 мин при...

Номер патенту: 16727

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Тіман Беніамін Липович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: H01L 21/324

Мітки: одержаhhя, hапівпровідhиковий, елемеhт, спосіб

Формула / Реферат:

1. Полупроводниковый элемент, содержащий подложку с электродом и нанесенные на ее поверхность слои сульфида кадмия CdS и теллурида кадмия CdTe и второй электрод, отличающийся тем, что, с целью повышения фоточувствительности и расширения спектрального диапазона фоточувствительности, он содержит слой сульфида меди Сu2S, нанесенный на слой CdTe, второй электрод, нанесенный на поверхность Сu2S, при этом толщины слоев CdTe и Cu2S относятся как...

Номер патенту: 16736

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: C30B 29/48, C30B 33/00

Мітки: кристалів, селеніду, прозорих, одержання, оптично, цинку, спосіб

Формула / Реферат:

Способ получения оптически прозрачных кристаллов селенида цинка, включающий их на­грев в печи, отличающийся тем, что, с целью сни­жения коэффициента оптического поглощения излучения ИК-диапазона, кристалл последова­тельно перемещают в рабочем объеме печи через зоны трех нагревателей с профилями градиента температур, изменяющимися по синусоиде, при­чем профили градиента температур двух боковых и центрального нагревателей в проекции на...

Номер патенту: 16716

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Кулик Валерій Миколайович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович

МПК: C30B 11/02, C30B 29/48

Мітки: цинку, селеніду, спосіб, кристалів, одержання

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов селенида цин­ка, включающий загрузку в графитовый контейнер исходного материала, плавление его в компрессионной печи и кристаллизацию в услови­ях градиента температуры при избытке давления инертного газа, не превышающего кристаллизаци­онное давление, отличающийся тем, что, с целью получения кристаллов диаметром более 60 мм с коэффициентом поглощения не более 3,2- 10' см' на длине волны 10,6 мкм, предварительно...

Номер патенту: 16739

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Терейковська Ольга Федорівна, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Файнер Михайло Шайович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: C03B 11/02, C30B 29/50

Мітки: аiiвvi, одержання, кристалів, спосіб, сполук

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов соединений АII ВIV .включающий рекристаллизацию исходного материала при нагреве и последующее выращивание путем направленной кристаллизации расплава в замкнутом объеме, отличающийся тем, что, с целью повышения объемной однородности электрических свойств кристаллов сульфида кадмия, рекристаллизацию исходного материала проводят при температуре 900-1100°С в течение 10-20 ч в атмосфере инертного газа.

Номер патенту: 16677

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Кулик Валерій Миколайович

МПК: C30B 29/48, C30B 11/02

Мітки: одержання, цинку, спосіб, селеніду, кристалів

Формула / Реферат:

Способ получения кристаллов селенида цин­ка, включающий сплавление исходных компонен­тов в графитовом тигле и выращивание кристаллов под давлением инертного газа в градиенте темпе­ратур, отличающийся тем, что, с целью улучше­ния оптических характеристик кристаллов за счет снижения в них содержания примесных элемен­тов, исходный селенид цинка предварительно очи­щают путем кристаллизации из раствора в расплаве хлорида калия и (или) натрия и...

Номер патенту: 11188

Опубліковано: 25.12.1996

Автори: Кобзар-Зленко Валентин Андрійович, Іванов Микола Петрович, Файнер Михайло Шаєвич, Комарь Віталій Корнійович

МПК: C30B 29/50, C30B 11/02, C30B 29/48 ...

Мітки: халькогенідів, кристалів, спосіб, типу, одержання

Формула / Реферат:

(57) Способ получения кристаллов халькогенидов типа A||BVI, где A|| - металл, a BVI -халькоген, включающий термообработку исходного соединения в атмосфере дезоксидирующего газа и выращивание кристаллов направленной кристаллизацией, отличающийся тем, что в качестве дезоксидирующего используют газ, получаемый в результате взаимодействия воздуха, технического азота и/или углекислого газа с углеродом при 850 - 950°С, а термообработку ведут при...

Номер патенту: 3669

Опубліковано: 27.12.1994

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Єпіфанов Юрій Михайлович, Дряхлов Вадим Львович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Герасимчук Лариса Іванівна

МПК: G01J 5/20

Мітки: поглинання, коефіцієнтів, вимірювання, розсіювання, пристрій, і4-випромінювання

Формула / Реферат:

Устройство для измерения коэффициентов поглощения и рассеяния ИК-излучения, содержащее последовательно установленные на единой оптической оси СО2-лазер, механический затвор с управляющим реле, оптическую делительную пластину и теплоизолирующую камеру с исследуемым и эталонным образцами и первой дифференциальной термопарой, а также первый и второй измерители мощности ИК-излучения, первый многоканальный аналого-цифровой преобразователь,...