Вахняк Надія Дмитрівна
Спосіб вирощування монокристалів cdte та його твердих розчинів cdxzn1-xte, cdxmn1-xte
Номер патенту: 113185
Опубліковано: 26.12.2016
Автори: Фочук Петро Михайлович, Дремлюженко Сергій Григорович, Раренко Іларій Михайлович, Вахняк Надія Дмитрівна, Захарук Зінаїда Іванівна, Будзуляк Сергій Іванович, Демчина Любомир Андрійович, Колісник Михайло Георгійович, Єрмаков Валерій Миколайович, Корбутяк Дмитро Васильович, Мисевич Ігор Захарович
МПК: C30B 13/10, C30B 13/02, C30B 1/00 ...
Мітки: cdxzn1-xte, твердих, вирощування, cdxmn1-xte, розчинів, спосіб, монокристалів
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів CdTe та його твердих розчинів CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe через розчин-розплав в телурі методом зонного плавлення шихти відповідного складу з кристалу-затравки відповідної сполуки в кварцовій ампулі, яку рухають через зонний нагрівник з заданим градієнтом температури зверху вниз, причому на дні кварцової ампули розташовують графітову вкладинку, а розчин-розплав CdTe або його твердий розчин CdxZn1-xTe, CdxMn1-xTe в...
Спосіб виготовлення cd1-xzn xte-детектора g-та х-випромінювання
Номер патенту: 64429
Опубліковано: 10.11.2011
Автори: Гнатів Іван Іванович, Лоцько Олександр Павлович, Корбутяк Дмитро Васильович, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Василь Миколайович, Стратійчук Ірина Борисівна, Дубина Наталія Георгіївна, Томашик Зінаїда Федорівна, Вахняк Надія Дмитрівна, Комарь Віталій Корнійович
МПК: H01L 21/00
Мітки: виготовлення, cd1-xzn, спосіб, х-випромінювання, g-та, xte-детектора
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення напівпровідникового детектора γ- та X-випромінювання, який включає різку високоомного монокристала Cd1-xZnxTe на пластини, механічне шліфування та полірування, травлення зразка в поліруючому рідкофазному травнику, який містить бром, та нанесення контактів шляхом напилення контактного металу одиночним імпульсом технологічного лазера, який відрізняється тим, що як поліруючий травник використовують бромвиділяючу суміш...
Сцинтиляційний детектор g- та х-випромінювання
Номер патенту: 54886
Опубліковано: 25.11.2010
Автори: Вахняк Надія Дмитрівна, Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Лоцько Олександр Павлович
МПК: H01L 21/04, G01T 1/20, G01T 3/00 ...
Мітки: х-випромінювання, сцинтиляційний, детектор
Формула / Реферат:
Сцинтиляційний детектор γ- та Х-випромінювання, що включає чутливий до γ- та Х-випромінювання сцинтилятор та напівпровідниковий фотоприймач з відповідною чутливістю до діапазону світіння сцинтилятора, який відрізняється тим, що фотоприймачем служить гетерофотоелемент, який виготовлений на основі шаруватих монокристалічних напівпровідників n-InSe та p-GaSe.
Спосіб вирощування монокристалів cdte та cdznte
Номер патенту: 40276
Опубліковано: 25.03.2009
Автори: Британ Віктор Богданович, Попович Володимир Дмитрович, Корбутяк Дмитро Васильович, Лоцько Олександр Павлович, Цюцюра Дмитро Іванович, Вахняк Надія Дмитрівна, Пігур Ольга Миколаївна, Демчина Любомир Андрійович
МПК: C30B 23/00, C30B 11/00
Мітки: вирощування, спосіб, cdznte, монокристалів
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування монокристалів CdTe та CdZnTe, що включає синтез відповідної сполуки з вихідних компонентів і формування монокристала з подрібненої шихти шляхом нагрівання кварцевої ампули з шихтою в вертикальній двозонній печі, який відрізняється тим, що синтез і формування монокристала проводять в атмосфері водню, нагрівання кварцевої ампули з шихтою і формування монокристала проводять в першій зоні печі при температурі Т1 = 900-1050 °С,...
Спосіб виготовлення детектора g- та х-випромінювання на основі високоомних напівпровідників сdte та cdznte
Номер патенту: 46513
Опубліковано: 15.05.2002
Автори: Вахняк Надія Дмитрівна, Бобицький Ярослав Васильович, Крюченко Юрій Володимирович, Будзуляк Сергій Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Крилюк Сергій Георгійович, Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович
МПК: H01L 21/04
Мітки: cdznte, виготовлення, напівпровідників, х-випромінювання, спосіб, основі, сdte, високоомних, детектора
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення детектора - та X-випромінювання на основі високоомних напівпровідників CdTe та CdZnTe, що включає шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному протравлювачі, очищення контактної площадки на зразку одиночним імпульсом технологічного лазера з енергією кванта hv Eg і густиною...