Гнатів Іван Іванович
Спосіб виготовлення cd1-xzn xte-детектора g-та х-випромінювання
Номер патенту: 64429
Опубліковано: 10.11.2011
Автори: Дубина Наталія Георгіївна, Томашик Василь Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Гнатів Іван Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Вахняк Надія Дмитрівна, Томашик Зінаїда Федорівна, Лоцько Олександр Павлович, Стратійчук Ірина Борисівна, Комарь Віталій Корнійович
МПК: H01L 21/00
Мітки: cd1-xzn, спосіб, g-та, xte-детектора, х-випромінювання, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення напівпровідникового детектора γ- та X-випромінювання, який включає різку високоомного монокристала Cd1-xZnxTe на пластини, механічне шліфування та полірування, травлення зразка в поліруючому рідкофазному травнику, який містить бром, та нанесення контактів шляхом напилення контактного металу одиночним імпульсом технологічного лазера, який відрізняється тим, що як поліруючий травник використовують бромвиділяючу суміш...