Стратійчук Ірина Борисівна
Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розинів pb1-xsnxte
Номер патенту: 95348
Опубліковано: 25.12.2014
Автори: Томашик Зінаїда Федорівна, Литвин Петро Мар'янович, Томашик Василь Миколайович, Стратійчук Ірина Борисівна, Копил Олександр Іванович, Маланич Галина Петрівна, Литвин Оксана Степанівна
МПК: H01L 21/00
Мітки: телуриду, плюмбум, поверхні, розинів, полірованої, формування, твердих, спосіб, кристалів, pb1-xsnxte
Формула / Реферат:
Спосіб формування полірованої поверхні кристалів плюмбум телуриду та твердих розчинів Pb1-xSnxTe, що включає механічне шліфування поверхні пластин, хіміко-механічне полірування рідкофазним травильним розчином, який містить бром, бромідну кислоту та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластини кристалів полірують бромвиділяючим рідкофазним травильним розчином, до складу якого входить гідроген пероксид та бромідна кислота, а як...
Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду
Номер патенту: 71056
Опубліковано: 25.06.2012
Автори: Будзуляк Сергій Іванович, Калитчук Сергій Михайлович, Корбутяк Дмитро Васильович, Стратійчук Ірина Борисівна, Галкін Сергій Миколайович, Сосницька Ольга Олександрівна, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Зінаїда Федорівна, Томашик Василь Миколайович, Кравцова Анна Сергіївна
МПК: H01L 21/465, H01L 21/02
Мітки: цинк, селеніду, спосіб, кристалів, формування, поверхні, полірованої
Формула / Реферат:
Спосіб формування полірованої поверхні кристалів цинк селеніду, який включає механічне шліфування пластини кристала ZnSe, полірування рідкофазним травником, який містить бром та органічний розчинник, який відрізняється тим, що пластину кристала полірують травниками, які містять бромвиділяючу суміш гідроген пероксиду та бромідної кислоти в дві стадії: спочатку здійснюють впродовж 4-6 хв. хіміко-механічне полірування напівпровідникової...
Спосіб виготовлення cd1-xzn xte-детектора g-та х-випромінювання
Номер патенту: 64429
Опубліковано: 10.11.2011
Автори: Лоцько Олександр Павлович, Томашик Василь Миколайович, Демчина Любомир Андрійович, Вахняк Надія Дмитрівна, Стратійчук Ірина Борисівна, Комарь Віталій Корнійович, Дубина Наталія Георгіївна, Томашик Зінаїда Федорівна, Гнатів Іван Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович
МПК: H01L 21/00
Мітки: спосіб, х-випромінювання, xte-детектора, cd1-xzn, g-та, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення напівпровідникового детектора γ- та X-випромінювання, який включає різку високоомного монокристала Cd1-xZnxTe на пластини, механічне шліфування та полірування, травлення зразка в поліруючому рідкофазному травнику, який містить бром, та нанесення контактів шляхом напилення контактного металу одиночним імпульсом технологічного лазера, який відрізняється тим, що як поліруючий травник використовують бромвиділяючу суміш...