Патенти з міткою «х-випромінювання»
Спосіб виготовлення cd1-xzn xte-детектора g-та х-випромінювання
Номер патенту: 64429
Опубліковано: 10.11.2011
Автори: Томашик Зінаїда Федорівна, Лоцько Олександр Павлович, Стратійчук Ірина Борисівна, Гнатів Іван Іванович, Корбутяк Дмитро Васильович, Комарь Віталій Корнійович, Вахняк Надія Дмитрівна, Демчина Любомир Андрійович, Томашик Василь Миколайович, Дубина Наталія Георгіївна
МПК: H01L 21/00
Мітки: х-випромінювання, виготовлення, спосіб, xte-детектора, cd1-xzn, g-та
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення напівпровідникового детектора γ- та X-випромінювання, який включає різку високоомного монокристала Cd1-xZnxTe на пластини, механічне шліфування та полірування, травлення зразка в поліруючому рідкофазному травнику, який містить бром, та нанесення контактів шляхом напилення контактного металу одиночним імпульсом технологічного лазера, який відрізняється тим, що як поліруючий травник використовують бромвиділяючу суміш...
Сцинтиляційний детектор g- та х-випромінювання
Номер патенту: 54886
Опубліковано: 25.11.2010
Автори: Єрмаков Валерій Миколайович, Лоцько Олександр Павлович, Демчина Любомир Андрійович, Вахняк Надія Дмитрівна, Корбутяк Дмитро Васильович
МПК: G01T 1/20, G01T 3/00, H01L 21/04 ...
Мітки: детектор, сцинтиляційний, х-випромінювання
Формула / Реферат:
Сцинтиляційний детектор γ- та Х-випромінювання, що включає чутливий до γ- та Х-випромінювання сцинтилятор та напівпровідниковий фотоприймач з відповідною чутливістю до діапазону світіння сцинтилятора, який відрізняється тим, що фотоприймачем служить гетерофотоелемент, який виготовлений на основі шаруватих монокристалічних напівпровідників n-InSe та p-GaSe.
Спосіб виготовлення телурид-кадмієвого детектора g- та х-випромінювання
Номер патенту: 47578
Опубліковано: 10.02.2010
Автори: Демчина Любомир Андрійович, Єрмаков Валерій Миколайович, Лоцько Олександр Павлович, Корбутяк Дмитро Васильович, Мілєнін Віктор Володимирович, Редько Роман Анатолійович, Конакова Раїса Василівна
МПК: H01L 21/04
Мітки: спосіб, виготовлення, х-випромінювання, телурид-кадмієвого, детектора
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення телурид-кадмієвого детектора γ- та X-випромінювання, що включає різання високоомного монокристала CdTe на пластини, шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному травнику, нанесення контактів, який відрізняється тим, що напівпровідникову пластину високоомного телуриду кадмію додатково відпалюють шляхом 10 сеансів НВЧ-опромінення потужністю 7,5±0,4 Вт/см2 з частотою 2,45 ГГц протягом 3±1 с кожний...
Спосіб виготовлення детектора g- та х-випромінювання на основі високоомних напівпровідників сdte та cdznte
Номер патенту: 46513
Опубліковано: 15.05.2002
Автори: Корбутяк Дмитро Васильович, Єрмаков Валерій Миколайович, Крилюк Сергій Георгійович, Демчина Любомир Андрійович, Крюченко Юрій Володимирович, Вахняк Надія Дмитрівна, Будзуляк Сергій Іванович, Бобицький Ярослав Васильович
МПК: H01L 21/04
Мітки: cdznte, високоомних, напівпровідників, спосіб, сdte, х-випромінювання, основі, детектора, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення детектора - та X-випромінювання на основі високоомних напівпровідників CdTe та CdZnTe, що включає шліфування, поліровку, обробку зразка в хімічному протравлювачі, очищення контактної площадки на зразку одиночним імпульсом технологічного лазера з енергією кванта hv Eg і густиною...