Дьяк Віталій Пилипович

Номер патенту: 42200

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Дьяк Віталій Пилипович, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 31/18

Мітки: спосіб, сенсорів, діодних, фосфіду, галію, епітаксійних, температури, високотемпературних, n-p+-типу, структур, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних структур фосфіду галію n-р+-типу для високотемпературних діодних сенсорів температури, що включає послідовні операції епітаксійного нарощування з рідкої фази на леговану телуром підкладку n+-GaP епітаксійних шарів бази n-GaP й емітера p+-GaP, який відрізняється тим, що шар бази n-GaP формують зонною перекристалізацією в градієнті температур 0,5÷1,5 К/мм при температурі підкладки 80÷850 °С, а в...