Фреїк Наталія Дмитрівна
Спосіб отримання кристалів znse:in n- i p-типу провідності
Номер патенту: 59326
Опубліковано: 10.05.2011
Автори: Фреїк Дмитро Михайлович, Потяк Володимир Юрійович, Фреїк Наталія Дмитрівна, Гургула Галина Ярославівна
МПК: C30B 1/00
Мітки: p-типу, znse:in, спосіб, кристалів, отримання, провідності
Формула / Реферат:
Спосіб отримання кристалів ZnSe:In n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину, за яку використовують ZnSe, поміщають в ампулу із затравкою, а як легуючий матеріал використовують In2Se3, ампулу поміщають у піч з вертикальним градієнтом, парофазне легування здійснюють у процесі вільного росту, при якому контролюють дозування вихідного матеріалу домішкового індію, який відрізняється тим, що при дозі індію до 0,5·1020 м-3...