Потяк Володимир Юрійович
Пристрій для отримання двошарових структур
Номер патенту: 77224
Опубліковано: 11.02.2013
Автори: Горічок Ігор Володимирович, Яворський Ярослав Святославович, Фреїк Дмитро Михайлович, Потяк Володимир Юрійович
МПК: H01L 21/00
Мітки: пристрій, отримання, структур, двошарових
Формула / Реферат:
Пристрій для отримання двошарових структур, що містить мікропічки, підкладки, випарники із наважками, заслінку, що розміщаються у вакуумі, який відрізняється тим, що використовують систему поворотних мікропічок з підкладками на радіальних кронштейнах, рухому заслінку із асиметричним нецентральним отвором та два окремі випарники із наважками різних речовин.
Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур
Номер патенту: 62086
Опубліковано: 10.08.2011
Автори: Соколов Олександр Леонідович, Потяк Володимир Юрійович, Фреїк Дмитро Михайлович, Яворський Ярослав Святославович, Дзундза Богдан Степанович
МПК: B82B 3/00
Мітки: наноструктур, отримання, багатошарових, напівпровідникових, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання багатошарових напівпровідникових наноструктур, що включає метод відкритого випаровування у вакуумі, в якому вихідні речовини випаровують із наперед синтезованих сполук РbТе та SnTe при температурі випаровування наважки Тв, шари n-РbТе, p-SnTe, n-РbТе осаджують послідовно на підкладку із сколів (001) КСl при температурі Тп, який відрізняється тим, що температура випарника складає Тв= (970±10) К, температура підкладки - Тп =...
Спосіб отримання кристалів znse:in n- i p-типу провідності
Номер патенту: 59326
Опубліковано: 10.05.2011
Автори: Фреїк Наталія Дмитрівна, Гургула Галина Ярославівна, Фреїк Дмитро Михайлович, Потяк Володимир Юрійович
МПК: C30B 1/00
Мітки: znse:in, p-типу, отримання, провідності, кристалів, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб отримання кристалів ZnSe:In n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речовину, за яку використовують ZnSe, поміщають в ампулу із затравкою, а як легуючий матеріал використовують In2Se3, ампулу поміщають у піч з вертикальним градієнтом, парофазне легування здійснюють у процесі вільного росту, при якому контролюють дозування вихідного матеріалу домішкового індію, який відрізняється тим, що при дозі індію до 0,5·1020 м-3...