Спосіб отримання кристалів znse:in n- i p-типу провідності

Спосіб отримання кристалів ZnSe:In n- і р-типу провідності, який полягає в тому, що вихідну речо 3 59326 центрація двозарядних вакансій Цинку V 2  різко Zn спадає, і дещо знижується концентрація комплексів (In V 2 ) . При цьому концентрація вакансій Zn Zn Селену V 2  на всьому проміжку зростає. Ця обSe 4 ставина обумовлює деяке зниження концентрації дірок і зростання концентрації електронів. Дефектна підсистема легованих кристалів описується наступними кристалохімічними формулами: p-ZnSe:In     ' x  '' /  '  Zn x   x  (1)(1 x ) lnx (1 x )   Se1 x Vx  (In Zn VZn )(1 x ) (In Zn VZn )(1 x )(1  )  2(1  x )h  (3 x  (1  x ))e ;   Zn   Se a p-ZnSe:In    ' x  '' /  Zn x   x   (1 x )(1  )   lnx  (1  )(1 x )   Se(1  )(1 x ) V(1 x )  x  (In Zn VZn )(1  )(1 x )  (In Zn VZn )(1  )(1  )(1 x ) ;   Zn   Se  '  Zn   (1  )(1 )(1 x )Zn(1 x )(1  )   ((1  x )(1        (1   ))  3 x )e  i ; тут ,  - відхилення від стехіометричного складу; x - атомна частка індію; Zn x , Sex Zn Se Цинк та Селен у вузлах кристалічної ґратки; ,  коефіцієнти диспропорціювання зарядового стану катіонних та аніонних вакансій відповідно; V 2  Se 2  - двозарядні двозарядні вакансії Селену; V Zn + х вакансії Цинку, " ", " ", " "- позитивний, негативний та нейтральний заряди. Спосіб отримання напівпровідникових кристалів ZnSe:In p- і n-типу наступний: парофазне легування кристалів селеніду цинку індієм здійснюється у процесі вільного росту на затравці в ампулі, розміщеній в печі з вертикальним градієнтом. Температура джерела складає (1450-1520) К. Температура росту на (15-30) К нижча за температуру джерела. Підбір температурних профілів і конструкції ростової камери виключає можливість контакту кристалів з її стінками. У процесі росту дозують певну кількість легуючого компонента (індію). При 20 -3 дозі індію до 0,5-10 м кристали володіють чітко вираженою дірковою провідністю, тобто мають р20 -3 тип, а при дозах більших 0,6-10 м - електронною провідністю, тобто мають n-тип. Отримання монокристалів здійснюється методом вільного росту на затравці в ампулі, розміще Комп’ютерна верстка Л. Ціхановська ній в печі з вертикальним градієнтом. Парофазне легування кристалів відбувається у процесі росту. В якості легуючого матеріалу використовується In2Se3. Температура джерела складає (14501520) К. Температура росту на (15-30) К нижча за температуру джерела. Підбір температурних профілів і конструкції ростової камери виключає можливість контакту кристалів з її стінками. При дозі 20 -3 індію до 0,5-10 м кристали володіють чітко вираженою дірковою провідністю, тобто мають р-тип, 20 -3 а при дозах більших за 0,6-10 м - електронною провідністю, тобто мають n-тип. Таким чином, змінюючи концентрацію легуючої домішки (In) при одержанні кристалів можна впливати на величину відхилення від стехіометричного складу (,), а отже і концентрацію дефектів (в p-ZnSe:In - (In V 2  ) , V 2  , p-ZnSe:In Zn Zn Zn 2  та Zn  відповідно), які і визначають тип - V i Se провідності і холлівську концентрацію носіїв струму nH. Пропонований у даній корисній моделі спосіб є промислово відтворюваним і дозволяє отримувати матеріал із заданими властивостями. Підписне Тираж 24 прим. Міністерство освіти і науки України Державний департамент інтелектуальної власності, вул. Урицького, 45, м. Київ, МСП, 03680, Україна ДП “Український інститут промислової власності”, вул. Глазунова, 1, м. Київ – 42, 01601