H01L 29/8605 — площинні резистори з pn переходом

Номер патенту: 114943

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Деменський Олексій Миколайович, Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович, Єрохін Сергій Юрійович

МПК: H01L 29/8605, G05F 3/16

Мітки: струмом, напівпровідниковий, керований, резистор

Формула / Реферат:

Керований струмом напівпровідниковий резистор на основі прямозміщеної структури із сильнолегованими р- та n- шарами, який відрізняється тим, що р-n структуру формують на основі подвійної гетероструктури InxGa1-xN/AlyGa1-yN, де 0,05£х£0,25, 0,1£у£0,2 із шарами емітерів електронів, легованих Si, та дірок, легованих Mg, до концентрацій не нижче ~ 1·1019 і ~ (5-7)·1017 см-3 відповідно, які забезпечують переважно тунельний...

Номер патенту: 114155

Опубліковано: 27.02.2017

Автор: Смірний Михайло Федорович

МПК: G01R 33/00, G01R 33/24, H01L 29/72 ...

Мітки: пристрій, індукції, магнітного, вимірювання, поля

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання індукції магнітного поля, що містить одноперехідний магнітотранзистор, конденсатор, підключений до емітера, джерело постійної напруги, до емітера одноперехідного магнітотранзистора та до полюса джерела постійної напруги підключено польовий транзистор, увімкнутий за схемою каррентора, перший та другий резистори з'єднано відповідно з першою та другою базами одноперехідного магнітотранзистора, емітер якого через...