Деменський Олексій Миколайович
Спосіб визначення перегріву кристала напівпровідникового діода
Номер патенту: 122011
Опубліковано: 26.12.2017
Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович, Деменський Олексій Миколайович, Лебедь Олег Миколайович, Єрохін Сергій Юрійович
МПК: H01L 21/00
Мітки: спосіб, перегріву, кристала, напівпровідникового, діода, визначення
Формула / Реферат:
Спосіб визначення перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання прямої вольт-амперної характеристики діода при заданій температурі експлуатації і перебудову її у...
Спосіб виготовлення діодів зі змінною ємністю
Номер патенту: 120347
Опубліковано: 25.10.2017
Автори: Філіпщук Олександр Миколайович, Самойлов Микола Олександрович, Деменський Олексій Миколайович, Фролов Олександр Миколайович, Шевченко Віктор Васильович, Глухова Валентина Іванівна
МПК: H01L 21/761, H01L 21/00
Мітки: діодів, спосіб, виготовлення, змінною, ємністю
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення діодів зі змінною ємністю в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури шляхом анодного окислювання кремнію в киплячому розчині борної кислоти в режимах отримання пористого окислу кремнію, термічне окислювання, селективне видалення...
Керований струмом напівпровідниковий резистор
Номер патенту: 114943
Опубліковано: 27.03.2017
Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Лебедь Олег Миколайович, Єрохін Сергій Юрійович, Краснов Василь Олександрович, Деменський Олексій Миколайович
МПК: H01L 29/8605, G05F 3/16
Мітки: струмом, напівпровідниковий, резистор, керований
Формула / Реферат:
Керований струмом напівпровідниковий резистор на основі прямозміщеної структури із сильнолегованими р- та n- шарами, який відрізняється тим, що р-n структуру формують на основі подвійної гетероструктури InxGa1-xN/AlyGa1-yN, де 0,05£х£0,25, 0,1£у£0,2 із шарами емітерів електронів, легованих Si, та дірок, легованих Mg, до концентрацій не нижче ~ 1·1019 і ~ (5-7)·1017 см-3 відповідно, які забезпечують переважно тунельний...
Спосіб визначення робочого перегріву кристала напівпровідникового діода
Номер патенту: 110340
Опубліковано: 10.10.2016
Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Деменський Олексій Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович
МПК: H01L 21/00
Мітки: перегріву, напівпровідникового, діода, робочого, визначення, кристала, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб визначення робочого перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності при постійному прямому струмі крізь діод і температурах
Спосіб визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових діодах
Номер патенту: 104132
Опубліковано: 12.01.2016
Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Краснов Василь Олександрович, Єрохін Сергій Юрійович, Лебедь Олег Миколайович, Деменський Олексій Миколайович
МПК: H01L 21/00
Мітки: носіїв, визначення, заряду, життя, напівпровідникових, часу, нерівноважних, діодах, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових діодах, що включає вимірювання при заданій температурі прямої вольт-амперної характеристики діода й знаходження шуканого значення часу життя нерівноважних носіїв заряду, який відрізняться тим, що для визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду, що рекомбінують переважно в області просторового заряду активних переходів напівпровідникових діодів, додатково, при...
Спосіб визначення величини перегріву кристала напівпровідникового діода
Номер патенту: 102780
Опубліковано: 25.11.2015
Автори: Деменський Олексій Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович, Єрохін Сергій Юрійович, Шутов Станіслав Вікторович
МПК: H01L 21/00
Мітки: діода, перегріву, визначення, спосіб, напівпровідникового, кристала, величини
Формула / Реферат:
Спосіб визначення величини перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності при постійному прямому струмі і температурах
Спосіб виготовлення високовольтних діодів зі змінною ємністю
Номер патенту: 102197
Опубліковано: 26.10.2015
Автори: Шевченко Віктор Васильович, Шутов Станіслав Вікторович, Боскін Олег Осипович, Філіпщук Олександр Миколайович, Деменський Олексій Миколайович, Фролов Олександр Миколайович
МПК: H01L 21/329, H01L 29/93, H01L 21/31 ...
Мітки: діодів, високовольтних, змінною, ємністю, виготовлення, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення високовольтних діодів зі змінною ємністю в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар нітриду кремнію, першу фотолітографію по нітриду кремнію, формування меза-структури за допомогою травлення кремнію, термічне окислювання, селективне видалення нітриду кремнію над меза-структурами, формування р-n переходу за...
Спосіб визначення температури на фронті кристалізації злитків легованих монокристалів
Номер патенту: 79670
Опубліковано: 25.04.2013
Автори: Краснов Василь Олександрович, Деменський Олексій Миколайович, Прохорович Анатолій Вікторович, Шутов Станіслав Вікторович
МПК: G01J 5/00
Мітки: злитків, кристалізації, легованих, фронті, температури, визначення, спосіб, монокристалів
Формула / Реферат:
Спосіб визначення температури на фронті кристалізації злитків легованих монокристалів, які переважно отримуються способами направленої кристалізації, що включає операції вимірювання пірометром яскравісної температури меніска на границі кристал-розплав та обчислення температури на фронті кристалізації за залежностями, які ґрунтуються на законах теплового випромінювання, який відрізняється тим, що температуру на фронті кристалізації визначають...
Спосіб виготовлення діодів шотткі з охоронним кільцем
Номер патенту: 79669
Опубліковано: 25.04.2013
Автори: Деменський Олексій Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Фролов Олександр Миколайович, Самойлов Микола Олександрович
МПК: H01L 21/329, H01L 21/31, H01L 21/04 ...
Мітки: виготовлення, шотткі, спосіб, діодів, охоронним, кільцем
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення діодів Шотткі з охоронним кільцем в епітаксійному шарі першого типу провідності, нанесеному на високолеговану підкладку того ж типу провідності, який включає нанесення на епітаксійний шар першого маскувального шару, який відрізняється тим, що як маскувальний шар використовують шар нітриду кремнію, при першій фотолітографії видаляють нітрид кремнію навкруг основної площі контакту Шотткі, проводять дифузію домішки другого...
Спосіб створення просвітлюючих покриттів на поверхні оптичних деталей з використанням іто
Номер патенту: 70310
Опубліковано: 11.06.2012
Автори: Щербина Антон Павлович, Деменський Олексій Миколайович, Самойлов Микола Олександрович, Литвиненко Віктор Миколайович, Марончук Олександр Ігоревич
МПК: C03C 21/00
Мітки: оптичних, використанням, створення, поверхні, деталей, спосіб, іто, покриттів, просвітлюючих
Формула / Реферат:
Спосіб створення просвітлюючих покриттів на поверхні оптичних деталей з використанням ІТО, що включає пульверизацію на повітрі суміші розчинів хлоридів металів SnCl4 и ІnСl3 на нагріті скляні основи, з наступним відпалом, який відрізняється тим, що для пульверизації використовують розчини хлоридів металів SnCl4 та ІnСl3 наступного складу, мас. %: розчин ІnСl3 розчин SnCl4 С2Н5ОН ...