Лебедь Олег Миколайович

Спосіб визначення перегріву кристала напівпровідникового діода

Завантаження...

Номер патенту: 122011

Опубліковано: 26.12.2017

Автори: Деменський Олексій Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович, Єрохін Сергій Юрійович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: напівпровідникового, спосіб, перегріву, діода, визначення, кристала

Формула / Реферат:

Спосіб визначення перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання прямої вольт-амперної характеристики діода  при заданій температурі експлуатації  і перебудову її у...

Керований струмом напівпровідниковий резистор

Завантаження...

Номер патенту: 114943

Опубліковано: 27.03.2017

Автори: Єрохін Сергій Юрійович, Краснов Василь Олександрович, Деменський Олексій Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: H01L 29/8605, G05F 3/16

Мітки: резистор, керований, напівпровідниковий, струмом

Формула / Реферат:

Керований струмом напівпровідниковий резистор на основі прямозміщеної структури із сильнолегованими р- та n- шарами, який відрізняється тим, що р-n структуру формують на основі подвійної гетероструктури InxGa1-xN/AlyGa1-yN, де 0,05£х£0,25, 0,1£у£0,2 із шарами емітерів електронів, легованих Si, та дірок, легованих Mg, до концентрацій не нижче ~ 1·1019 і ~ (5-7)·1017 см-3 відповідно, які забезпечують переважно тунельний...

Спосіб визначення робочого перегріву кристала напівпровідникового діода

Завантаження...

Номер патенту: 110340

Опубліковано: 10.10.2016

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Деменський Олексій Миколайович, Лебедь Олег Миколайович, Єрохін Сергій Юрійович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 21/00

Мітки: перегріву, робочого, діода, напівпровідникового, спосіб, кристала, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення робочого перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  крізь діод і температурах

Спосіб визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових діодах

Завантаження...

Номер патенту: 104132

Опубліковано: 12.01.2016

Автори: Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович, Єрохін Сергій Юрійович, Деменський Олексій Миколайович

МПК: H01L 21/00

Мітки: носіїв, життя, діодах, визначення, напівпровідникових, заряду, часу, нерівноважних, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду в напівпровідникових діодах, що включає вимірювання при заданій температурі прямої вольт-амперної характеристики діода й знаходження шуканого значення часу життя нерівноважних носіїв заряду, який відрізняться тим, що для визначення часу життя нерівноважних носіїв заряду, що рекомбінують переважно в області просторового заряду активних переходів напівпровідникових діодів, додатково, при...

Спосіб визначення величини перегріву кристала напівпровідникового діода

Завантаження...

Номер патенту: 102780

Опубліковано: 25.11.2015

Автори: Краснов Василь Олександрович, Єрохін Сергій Юрійович, Деменський Олексій Миколайович, Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/00

Мітки: діода, величини, перегріву, напівпровідникового, кристала, спосіб, визначення

Формула / Реферат:

Спосіб визначення величини перегріву кристала напівпровідникового діода за рівнем зниження прямого падіння напруги , що включає вимірювання калібрувальної залежності  при постійному прямому струмі  і температурах

Пристрій для контролю ресурсу комутаційних апаратів

Завантаження...

Номер патенту: 63827

Опубліковано: 25.10.2011

Автори: Грабко Валентин Володимирович, Беспятчук Віталій Михайлович, Лебедь Олег Миколайович, Грабко Володимир Віталійович

МПК: G07C 3/10

Мітки: контролю, пристрій, апаратів, ресурсу, комутаційних

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю ресурсу комутаційних апаратів, що містить датчик струму, датчика початку комутації, вихід якого підключений до першого входу четвертого елемента І, перший вхід першого лічильника імпульсів з'єднаний з виходом третього елемента І, перший вхід якого підключений до виходу першого генератора імпульсів, а другий вхід і вхід формувача сигналу з'єднані з виходом четвертого елемента І, вихід блока установки нуля підключений до...

Пристрій для контролю ресурсу комутаційних апаратів

Завантаження...

Номер патенту: 63421

Опубліковано: 10.10.2011

Автори: Лебедь Олег Миколайович, Грабко Володимир Віталійович, Осельський Олександр В'ячеславович, Грабко Валентин Володимирович

МПК: G07C 3/10

Мітки: апаратів, комутаційних, контролю, пристрій, ресурсу

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю ресурсу комутаційних апаратів, що містить датчик струму, датчик початку комутації, вихід якого підключений до першого входу першого елемента І і через перший диференціюючий елемент з'єднаний з першим входом другого елемента І, другий вхід якого підключений до виходу першого тригера через перший елемент НІ, перший лічильник імпульсів з'єднаний з виходом першого елемента АБО, перший вхід якого підключений до виходу...

Пристрій для контролю ресурсу повітряних високовольтних вимикачів

Завантаження...

Номер патенту: 58284

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Грабко Володимир Віталійович, Грабко Валентин Володимирович, Лебедь Олег Миколайович, Бальзан Ігор Вікторович

МПК: G07C 3/10

Мітки: контролю, високовольтних, повітряних, ресурсу, пристрій, вимикачів

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю ресурсу повітряних високовольтних вимикачів, що містить три датчики струму, шість компараторів, три тригери, три електронних ключі, датчик тиску, регістр, два функціональних перетворювачі, цифровий компаратор, чотири елементи НІ, перший одновібратор, перший генератор імпульсів, датчик комутації, вісім елементів І, блок установки нуля, формувач імпульсів, елемент затримки сигналу, п'ять лічильників імпульсів,...

Пристрій для контролю ресурсу групи повітряних високовольтних вимикачів

Завантаження...

Номер патенту: 58283

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Лебедь Олег Миколайович, Грабко Валентин Володимирович, Бальзан Ігор Вікторович, Грабко Володимир Віталійович

МПК: G07C 3/10

Мітки: ресурсу, пристрій, високовольтних, контролю, групи, повітряних, вимикачів

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю ресурсу групи повітряних високовольтних вимикачів, що містить три датчики струму, шість компараторів, тринадцять елементів І, шість електронних ключів, перший генератор імпульсів, п'ять лічильників імпульсів, дешифратор, регістр, функціональний перетворювач, три датчики тиску, цифровий компаратор, шість елементів АБО, блок установки нуля, формувач імпульсів, блок затримки сигналу, тригер, три датчики комутації, три...

Пристрій для контролю ресурсу повітряних високовольтних вимикачів

Завантаження...

Номер патенту: 58281

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Грабко Володимир Віталійович, Бальзан Ігор Вікторович, Грабко Валентин Володимирович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: G07C 3/10

Мітки: високовольтних, повітряних, ресурсу, вимикачів, пристрій, контролю

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю ресурсу повітряних високовольтних вимикачів, що містить датчик струму, чотири компаратори, одинадцять елементів І, три лічильники імпульсів, два шифратори, два генератори імпульсів, п'ять елементів НІ, чотири елементи АБО, датчик тиску, три тригери, датчик комутації, блок установки нуля, формувач імпульсів, блок затримки сигналу, датчик початку руху, два диференціюючих елементи, цифровий компаратор, блок задання часу...

Пристрій для контролю ресурсу групи комутаційних апаратів

Завантаження...

Номер патенту: 58280

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Грабко Валентин Володимирович, Грабко Володимир Віталійович, Бальзан Ігор Вікторович, Лебедь Олег Миколайович

МПК: G07C 3/10

Мітки: групи, комутаційних, пристрій, апаратів, ресурсу, контролю

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю ресурсу групи комутаційних апаратів, що містить три датчики струму, чотири компаратори, три тригери, три електронні ключі, регістр, перший генератор імпульсів, шість елементів АБО, чотирнадцять елементів І, диференціюючий елемент, блок установки нуля, формувач імпульсів, елемент затримки сигналу, сім лічильників імпульсів, цифровий компаратор, три елементи НІ, два датчики комутації, причому виходи першого, другого і...

Пристрій для контролю ресурсу повітряних високовольтних вимикачів

Завантаження...

Номер патенту: 58279

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Грабко Володимир Віталійович, Лебедь Олег Миколайович, Бальзан Ігор Вікторович, Грабко Валентин Володимирович

МПК: G07C 3/10

Мітки: вимикачів, високовольтних, ресурсу, пристрій, повітряних, контролю

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю ресурсу повітряних високовольтних вимикачів, що містить три датчики струму, шість компараторів, три тригери, три електронних ключі, датчик тиску, регістр, функціональний перетворювач, перший генератор імпульсів, вісім елементів І, датчик комутації, блок установки нуля, формувач імпульсів, елемент затримки сигналу, п'ять елементів АБО, чотири лічильники імпульсів, цифровий компаратор, три елементи НІ, диференціюючий...

Пристрій для контролю ресурсу комутаційних апаратів

Завантаження...

Номер патенту: 58278

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Грабко Валентин Володимирович, Лебедь Олег Миколайович, Грабко Володимир Віталійович, Бальзан Ігор Вікторович

МПК: G07C 3/10

Мітки: ресурсу, контролю, пристрій, комутаційних, апаратів

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю ресурсу комутаційних апаратів, що містить датчик струму, два компаратори, датчик початку комутації, сім елементів І, чотири елементи АБО, два диференціюючих елементи, два генератора імпульсів, тригер, три лічильники імпульсів, чотири елементи НІ, шифратор, блок установки нуля, формувач сигналу, цифровий компаратор, датчик початку руху, датчик напруги, блок задання часу відключення, індикатор, причому вихід датчика...

Пристрій для контролю ресурсу групи комутаційних апаратів

Завантаження...

Номер патенту: 58277

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Лебедь Олег Миколайович, Бальзан Ігор Вікторович, Грабко Валентин Володимирович, Грабко Володимир Віталійович

МПК: G07C 3/10

Мітки: ресурсу, групи, апаратів, комутаційних, контролю, пристрій

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю ресурсу групи комутаційних апаратів, що містить три датчики струму, чотири компаратори, шістнадцять елементів І, три електронних ключі, перший генератор імпульсів, вісім лічильників імпульсів, дешифратор, перший елемент НІ, чотири формувачі імпульсів, сім елементів АБО, блок установки нуля, елемент затримки сигналу, тригер, перший функціональний перетворювач, цифровий комутатор, цифровий компаратор, три датчики...

Пристрій для контролю ресурсу групи повітряних високовольтних вимикачів

Завантаження...

Номер патенту: 57808

Опубліковано: 10.03.2011

Автори: Лебедь Олег Миколайович, Бальзан Ігор Вікторович, Грабко Валентин Володимирович, Грабко Володимир Віталійович

МПК: G07C 3/10

Мітки: ресурсу, повітряних, вимикачів, високовольтних, пристрій, групи, контролю

Формула / Реферат:

Пристрій для контролю ресурсу групи повітряних високовольтних вимикачів, що містить три датчики струму, шість компараторів, шістнадцять елементів І, шість електронних ключів, перший елемент НІ, перший генератор імпульсів, вісім лічильників імпульсів, дешифратор, три датчики тиску, чотири формувачі імпульсів, сім елементів АБО, два функціональних перетворювачаі, цифровий комутатор, цифровий компаратор, блок установки нуля, блок затримки...

Спосіб отримання епітаксійних структур арсеніду галію для фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 39071

Опубліковано: 10.02.2009

Автори: Краснов Василь Олександрович, Лебедь Олег Миколайович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/20

Мітки: випромінювання, галію, діапазону, фотовольтаїчних, структур, отримання, арсеніду, рентгенівського, епітаксійних, детекторів, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання епітаксійних структур арсеніду галію для фотовольтаїчних детекторів рентгенівського діапазону випромінювання, в якому епітаксійне вирощування проводять на сильнолегованій підкладці n-типу нижнього n-GaAs буферного шару товщиною 2-5 μм, активного n-GaAs шару, верхнього p+-GaAs шару товщиною 1-2 μм, який відрізняється тим, що епітаксійне вирощування проводять шляхом примусового охолодження із обмеженого...

Спосіб отримання епітаксійних p-n структур арсеніду галію для світлодіодів інфрачервоного діапазону випромінювання

Завантаження...

Номер патенту: 34736

Опубліковано: 26.08.2008

Автори: Шутов Станіслав Вікторович, Лебедь Олег Миколайович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 21/02

Мітки: світлодіодів, інфрачервоного, отримання, спосіб, арсеніду, галію, епітаксійних, структур, випромінювання, діапазону

Формула / Реферат:

Спосіб отримання р-n структур арсеніду галію для світлодіодів інфрачервоного діапазону випромінювання з рідкої фази, при якому епітаксійне вирощування проводять на підкладці арсеніду галію шляхом примусового охолодження з обмеженого об'єму насиченого розчину арсеніду галію, легованого амфотерною домішкою кремнію, який відрізняється тим, що до розплаву галію добавляють ізовалентний компонент вісмуту в кількості 5-15 ат. %, а вміст кремнію в...

Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію

Завантаження...

Номер патенту: 28402

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Лебедь Олег Миколайович, Краснов Василь Олександрович, Шутов Станіслав Вікторович

МПК: H01L 21/20

Мітки: арсеніду, отримання, товстих, галію, спосіб, гомоепітаксійних, шарів

Формула / Реферат:

Спосіб отримання товстих гомоепітаксійних шарів арсеніду галію із розчину-розплаву на основі вісмуту, що включає здійснення послідовності з 38 циклів, кожний з яких являє собою перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал кристалізації, другий інтервал гомогенізації розчину-розплаву, інтервал розчинення, який відрізняється тим, що перший інтервал гомогенізації розчину-розплаву проводять при температурі 900 °С, а другий...

Безкорпусний світлодіод

Завантаження...

Номер патенту: 27917

Опубліковано: 26.11.2007

Автори: Лубяна Марія Дмитрівна, Шутов Станіслав Вікторович, Войцеховський Олександр Нікіфорович, Лебедь Олег Миколайович, Буряченко Володимир Іванович, Краснов Василь Олександрович

МПК: H01L 27/10

Мітки: безкорпусний, світлодіод

Формула / Реферат:

Безкорпусний світлодіод, що складається з підкладки, на яку знизу нанесений суцільний омічний контакт, зверху нього нанесені шари дзеркальної структури, n- та р-шари напівпровідникового випромінюючого матеріалу GaAs, багатошарова дзеркальна гетероструктура Al0,8Ga0,2As/AlAs p-типу, на тильному боці якої розташований омічний контакт, який відрізняється тим, що дзеркало, яке лежить на підкладці, виконано з багатошарової дзеркальної...