H01L 29/864 — инжекционно-прогонові діоди, наприклад лавинно-пролітні діоди, лавинно-ключові діоди

Номер патенту: 71701

Опубліковано: 25.07.2012

Автори: Болтовець Микола Силович, Басанець Володимир Васильович, Маруненко Юрій Володимирович, Веремійченко Георгій Микитович, Рижков Микола Ігорович, Крицька Тетяна Володимирівна, Зоренко Олександр Вольтович

МПК: H01L 29/00, H01L 29/864

Мітки: діод, імпульсний, лавинно-пролітний

Формула / Реферат:

1. Імпульсний лавинно-пролітний діод, який складається з кремнієвої мезаструктури типу р+ - р - n - n+, до протилежних сторін якої сформовані низькоомні контактні системи, до сторони р+ створений інтегральний тепловід визначеної товщини і форми, проміжні і контактуючі шари до сторін р+ та n+, які забезпечують приєднання до зовнішніх електричних виводів, корпуса з діелектричного матеріалу у вигляді циліндричної порожнистої втулки з...

Номер патенту: 81185

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Миколаєнко Валентина Іванівна, Басанець Володимир Васильович, Слєпова Олександра Станіславівна, Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 29/00, H01L 29/864

Мітки: лавино-пролітний, діод

Формула / Реферат:

Лавино-пролітний діод, що містить багатошарову напівпровідникову структуру із p+- р - n - n+ областями з визначеним  розподілом за площиною легуючих елементів, у якій області р-типу  і n-типу зазначеної структури створюють асиметричний перехід зі збідненим шаром, а до областей р+ і n+ сформовані омічні контакти, що не випрямляють, з антидифузійними шарами, причому з боку p+ області сформований інтегральний тепловідвід, проміжні та контактні...