Миколаєнко Валентина Іванівна
Лавино-пролітний діод
Номер патенту: 81185
Опубліковано: 10.12.2007
Автори: Басанець Володимир Васильович, Веремійченко Георгій Микитович, Слєпова Олександра Станіславівна, Болтовець Микола Силович, Миколаєнко Валентина Іванівна
МПК: H01L 29/864, H01L 29/00
Мітки: лавино-пролітний, діод
Формула / Реферат:
Лавино-пролітний діод, що містить багатошарову напівпровідникову структуру із p+- р - n - n+ областями з визначеним розподілом за площиною легуючих елементів, у якій області р-типу і n-типу зазначеної структури створюють асиметричний перехід зі збідненим шаром, а до областей р+ і n+ сформовані омічні контакти, що не випрямляють, з антидифузійними шарами, причому з боку p+ області сформований інтегральний тепловідвід, проміжні та контактні...