Слєпова Олександра Станіславівна

Номер патенту: 103208

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Виноградов Анатолій Олегович, Кудрик Ярослав Ярославович, Новицький Сергій Вадимович, Семенов Олександр Володимирович, Слєпова Олександра Станіславівна, Зайцев Борис Васильович, Болтовець Микола Силович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Сліпокуров Віктор Сергійович, Веремійченко Георгій Микитович, Бєляєв Олександр Євгенович, Коростинська Тамара Василівна, Конакова Раїса Василівна

МПК: H01L 29/861, H01L 47/00

Мітки: фосфід-індієвий, ганна, діод

Формула / Реферат:

1. Фосфід-індієвий діод Ганна, що містить епітаксійну фосфід-індієву мезаструктуру n++-n+-n, до якої зі сторін n++ та n нанесені виконані з Аu з'єднувальні шари, омічні та проміжні шари, де між омічними та проміжними шарами сформовані антидифузійні бар'єри з квазіаморфних шарів ТіВх, і яка, разом із з'єднувальними, омічними, проміжними шарами та з шарами антидифузійних бар'єрів, вісесиметрично розміщена та закріплена в кільцевому...

Номер патенту: 95630

Опубліковано: 25.12.2014

Автори: Голинна Тетяна Іванівна, Слєпова Олександра Станіславівна, Литвин Петро Мар'янович, Венгер Євген Федорович, Холевчук Володимир Васильович, Матвєєва Людмила Олександрівна, Болтовець Микола Силович, Мітін Вадим Федорович

МПК: G01K 7/22, G01J 5/20

Мітки: спосіб, терморезистора, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення терморезистора, який включає осадження термочутливої плівки монокристалічного германію у вакуумі на підкладку із напівізолюючого арсеніду галію, який відрізняється тим, що термочутливу плівку осаджують зі швидкістю V£Vn, при якій у плівці відбувається релаксація пружних напружень шляхом утворення крупномасштабного рельєфу на поверхні плівки і випадкових нанонеоднорідностей в об'ємі, до товщини d£dr, де товщина...

Номер патенту: 94615

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Семенов Олександр Володимирович, Болтовець Микола Силович, Слєпова Олександра Станіславівна, Конакова Раїса Василівна, Голинна Тетяна Іванівна, Веремійченко Георгій Микитович, Сай Павло Олегович, Бєляєв Олександр Євгенович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Шеремет Володимир Миколайович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: основі, ганна, діод

Формула / Реферат:

1. Діод Ганна, який містить епітаксійну напівпровідникову мезаструктуру, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний багатошарові контакти, на яких нанесені з'єднувальні шари із золота та приєднано тепловідвід до катодного контакту, і яка осесиметрично закріплена в діелектричному корпусі із металізованими протилежними поверхнями таким чином, що сторона анодного контакту при допомозі гнучкого виводу і кришки закріплена з...

Номер патенту: 81185

Опубліковано: 10.12.2007

Автори: Миколаєнко Валентина Іванівна, Слєпова Олександра Станіславівна, Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович, Басанець Володимир Васильович

МПК: H01L 29/864, H01L 29/00

Мітки: діод, лавино-пролітний

Формула / Реферат:

Лавино-пролітний діод, що містить багатошарову напівпровідникову структуру із p+- р - n - n+ областями з визначеним  розподілом за площиною легуючих елементів, у якій області р-типу  і n-типу зазначеної структури створюють асиметричний перехід зі збідненим шаром, а до областей р+ і n+ сформовані омічні контакти, що не випрямляють, з антидифузійними шарами, причому з боку p+ області сформований інтегральний тепловідвід, проміжні та контактні...