Пузіков В’ячеслав Михайлович

Номер патенту: 113418

Опубліковано: 25.01.2017

Автори: Лапчук Анатолій Степанович, Крючин Андрій Андрійович, Морозов Євгеній Михайлович, Семиноженко Володимир Петрович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Горбов Іван Васильович, Шанойло Семен Михайлович, Манько Дмитро Юрійович, Косяк Ігор Васильович, Петров В'ячеслав Васильович, Бородін Юрій Олександрович, Бутенко Лариса Василівна, Беляк Євген В'ячеславович

МПК: G11B 7/09, G11B 7/24

Мітки: носія, зчитування, система, даних, варіанти, оптичного

Формула / Реферат:

1. Система зчитування даних з оптичного носія, яка складається з джерела лазерного випромінювання, дифракційної ґратки, світлоподільного дзеркала, коліматорної лінзи, чвертьхвильової пластинки, фокусуючої лінзи, циліндричної лінзи, багатоплощадкового фотоприймача, яка відрізняється тим, що між дифракційною ґраткою та світлоподільним дзеркалом розміщено монокристалічну пластинку, яка має інверсне значення різниці показників заломлення...

Номер патенту: 103208

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Сліпокуров Віктор Сергійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Веремійченко Георгій Микитович, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Коростинська Тамара Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Виноградов Анатолій Олегович, Зайцев Борис Васильович, Семенов Олександр Володимирович, Слєпова Олександра Станіславівна, Новицький Сергій Вадимович

МПК: H01L 29/861, H01L 47/00

Мітки: фосфід-індієвий, діод, ганна

Формула / Реферат:

1. Фосфід-індієвий діод Ганна, що містить епітаксійну фосфід-індієву мезаструктуру n++-n+-n, до якої зі сторін n++ та n нанесені виконані з Аu з'єднувальні шари, омічні та проміжні шари, де між омічними та проміжними шарами сформовані антидифузійні бар'єри з квазіаморфних шарів ТіВх, і яка, разом із з'єднувальними, омічними, проміжними шарами та з шарами антидифузійних бар'єрів, вісесиметрично розміщена та закріплена в кільцевому...

Номер патенту: 99224

Опубліковано: 25.05.2015

Автори: Назаренко Борис Петрович, Шеховцов Олексій Миколайович, Космина Мирон Богданович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: C30B 15/00

Мітки: отримання, рідкісноземельного, кристалічного, активованого, неодимом, кальцію, лантату, спосіб, ортованадату, матеріалу, основі

Формула / Реферат:

Спосіб отримання кристалічного матеріалу на основі кристала рідкісноземельного ортованадату кальцію та лантану Ca9La(VO4)7, активованого неодимом, що включає отримання шихти, завантаження в тигель, вирощування кристала методом Чохральського, який відрізняється тим, що попередньо синтезують сполуки Ca9La(VO4)7 та Ca9Nd(VO4)7, перемішують у співвідношенні, щоб концентрація неодиму складала 0,5-5 мас.%, отриману шихту завантажують у...

Номер патенту: 94615

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Веремійченко Георгій Микитович, Голинна Тетяна Іванівна, Шеремет Володимир Миколайович, Семенов Олександр Володимирович, Сай Павло Олегович, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Слєпова Олександра Станіславівна

МПК: H01L 29/00, H01L 47/00

Мітки: ганна, основі, діод

Формула / Реферат:

1. Діод Ганна, який містить епітаксійну напівпровідникову мезаструктуру, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний багатошарові контакти, на яких нанесені з'єднувальні шари із золота та приєднано тепловідвід до катодного контакту, і яка осесиметрично закріплена в діелектричному корпусі із металізованими протилежними поверхнями таким чином, що сторона анодного контакту при допомозі гнучкого виводу і кришки закріплена з...

Номер патенту: 93207

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Холевчук Володимир Васильович, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Кривуца Валентин Антонович, Бєляєв Олександр Євгенович, Мітін Вадим Федорович, Шеремет Володимир Миколайович, Семенов Олександр Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Веремійченко Георгій Микитович

МПК: G01K 1/00

Мітки: температури, датчик

Формула / Реферат:

1. Датчик для вимірювання температури, виготовлений у вигляді чипа, що містить в собі чутливий шар напівпровідникового матеріалу з омічними контактами, корпус якого складається з основи та кришки, електричних виводів для монтажу в вимірювальних колах, який відрізняється тим, що чутливий елемент виконаний у вигляді епітаксійної плівки SiC, вирощеної на підкладці сапфіру, причому до сторони SiC сформовані омічні контакти Ті-Мо-Au, які мають...

Номер патенту: 106699

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Манько Дмитро Юрійович, Семиноженко Володимир Петрович, Морозов Євгеній Михайлович, Бутенко Лариса Василівна, Беляк Євген В'ячеславович, Петров В'ячеслав Васильович, Лапчук Анатолій Степанович, Крючин Андрій Андрійович, Шанойло Семен Михайлович, Горбов Іван Васильович

МПК: G11B 7/24

Мітки: зчитування, система, довготермінового, зберігання, носій, оптичний, оптичного, даних, носія

Формула / Реферат:

1. Оптичний носій для довготермінового зберігання даних, який містить підкладку з монокристалічного матеріалу з рельєфною мікроструктурою для кодування записаної інформації, відбиваючий та захисний шар, який відрізняється тим, що підкладка виконана таким чином, що відхилення її кристалографічної осі від перпендикуляра до площини оптичного носія не перевищує 20 кутових хвилин, при цьому товщина підкладки становить 1,19…1,21 мм.2....

Номер патенту: 105396

Опубліковано: 12.05.2014

Автори: Іщенко Григорій Іванович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Вавілов Олександр Васильович, Дмитрик Віталій Володимирович, Семенов Олександр Володимирович

МПК: C23C 16/42, C23C 12/00, C23C 8/34 ...

Мітки: покриття, термостійке

Формула / Реферат:

Термостійке покриття, яке виконано двошаровим, перший перехідний шар містить матеріал поверхні, вуглець і кремній, а другий шар являє собою суміш фаз, яке відрізняється тим, що до складу суміші фаз другого шару входять нанокристалічні карбіди кремнію і нітриди кремнію.

Номер патенту: 105337

Опубліковано: 25.04.2014

Автори: Назаренко Борис Петрович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Шеховцов Олексій Миколайович, Космина Мирон Богданович

МПК: C30B 15/00, C30B 29/30

Мітки: частоти, ортованадату, ближнього, активних, лазерів, діапазону, матеріал, дискретним, неодимом, кристалічний, активованого, перестроюванням, елементів, основі, кальцію

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів ближнього ІЧ діапазону з дискретним перестроюванням частоти на основі кристалу ортованадату кальцію, активованого неодимом, який відрізняється тим, що додатково містить в своєму складі домішку літію і створює твердий розчин заміщення Ca3-x/2Lix(VO4)2:Nd при 0,3£х£1, а вміст неодиму складає 0,5-5 мас. %.

Номер патенту: 104961

Опубліковано: 25.03.2014

Автори: Шанойло Семен Михайлович, Морозов Євгеній Михайлович, Бутенко Лариса Василівна, Беляк Євген В'ячеславович, Петров В'ячеслав Васильович, Семиноженко Володимир Петрович, Крючин Андрій Андрійович, Лапчук Анатолій Степанович, Манько Дмитро Юрійович, Горбов Іван Васильович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: G11B 7/00, G11B 7/24

Мітки: носія, зчитування, система, оптичного, даних

Формула / Реферат:

1. Система зчитування даних з оптичного носія, який має підкладку з високостабільного монокристалічного матеріалу, яка складається з лазера, фокусуючої лінзи, світлоподільного кубика, багатоплощадкового фотоприймача, дифракційної ґратки, чвертьхвильової пластинки, яка відрізняється тим, що між фокусуючою лінзою та оптичним носієм розміщено компенсуючу монокристалічну пластинку, яка має інверсне значення різниці показників заломлення...

Номер патенту: 78036

Опубліковано: 11.03.2013

Автори: Безкровна Ольга Миколаївна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Притула Ігор Михайлович, Плаксій Анна Геннадіївна, Маслов Вячеслав Васильович

МПК: H01S 3/16

Мітки: лазерного, середовища, матриці, спосіб, основі, активного, отримання

Формула / Реферат:

Спосіб отримання активного лазерного середовища на основі SiO2 матриці, що включає приготування при кімнатній температурі розчину з компонентів - тетраметоксисилану, метанолу, формаміду, азотної кислоти і води при перемішуванні, введення барвника з наступним перемішуванням, переливання отриманого розчину в герметичні контейнери, його нагрівання і сушіння, який відрізняється тим, що приготування розчину проводять при наступному мольному...

Номер патенту: 70409

Опубліковано: 11.06.2012

Автори: Гайворонський Володимир Ярославович, Колибаєва Марія Іванівна, Копиловський Максим Андрійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Безкровна Ольга Миколаївна, Косінова Анна Володимирівна, Притула Ігор Михайлович

МПК: C30B 7/00, G02F 1/35

Мітки: спосіб, легованих, вирощування, монокристалів

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування кристалів KDP, легованих наночастинками ТіО2 (у модифікації анатазу) розміром 5-25 нм, які вводять у розчин KDP у вигляді суспензії в концентрації 10-4-10-5 мас. %, що включає підготовку кристалізатора, приготування розчину солі КН2РО4 та його фільтрацію, виготовлення та встановлення затравки, підготовку домішки, перегрівання розчину впродовж доби, заливку розчину у кристалізатор, додавання домішки у розчин, вирощування...

Номер патенту: 96896

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Бабенко Галина Миколаївна, Сало Віталій Іванович, Воронов Олексій Петрович

МПК: G01T 1/202

Мітки: сцинтиляційний, основі, калію, детектор, матеріал, дигідрофосфату, монокристала

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату калію, який відрізняється тим, що додатково активований церієорганічним комплексом з коефіцієнтом когерентної спряженості від  до , причому концентрація церію (Се) в монокристалі складає від 0,01 до 0,001 мас. %.2. Сцинтиляційний...

Номер патенту: 96894

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Сало Віталій Іванович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Воронов Олексій Петрович

МПК: G01T 1/202

Мітки: основі, матеріал, детектор, амонію, дигідрофосфату, сцинтиляційний, монокристала

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату амонію, який відрізняється тим, що монокристал дигідрофосфату амонію додатково активований талієм, причому концентрація активатора в монокристалі складає від 0,1 до 1,0 мас. %.2. Сцинтиляційний детектор, який містить сцинтиляційний елемент, оптично з'єднаний з фотоприймачем, який відрізняється тим, що сцинтиляційний елемент виготовлений з монокристала дигідрофосфату...

Номер патенту: 96893

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Сало Віталій Іванович, Воронов Олексій Петрович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: G01T 1/20

Мітки: монокристала, матеріал, сцинтиляційний, детектор, калію, дигідрофосфату, основі

Формула / Реферат:

1. Сцинтиляційний матеріал на основі монокристала дигідрофосфату калію, який відрізняється тим, що монокристал дигідрофосфату калію додатково активований талієм (Тl), причому концентрація активатора Тl в монокристалі складає від 0,01 до 0,1 мас. %.2. Сцинтиляційний детектор, який містить сцинтиляційний елемент, оптично з'єднаний з фотоприймачем, який відрізняється тим, що сцинтиляційний елемент виготовлений з монокристала...

Номер патенту: 65066

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Герасименко Андрій Спартакович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Христьян Володимир Анатолійович, Коваленко Назар Олегович

МПК: C30B 11/00

Мітки: перестроюванням, середнього, матеріал, активних, основі, селеніду, елементів, діапазону, цинку, кристалічний, лазерів, частоти

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого двовалентними іонами хрому і заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Cr2+:Fe2+:Zn1-xMgxSe при 0,13<х<0,60.

Номер патенту: 96653

Опубліковано: 25.11.2011

Автори: Сало Віталій Іванович, Воронов Олексій Петрович, Маковеєв Володимир Іванович, Маковеєв Олександр Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: C30B 35/00, C30B 7/00, C30B 29/14 ...

Мітки: групи, пристрій, калію, здійснення, вирощування, спосіб, дигідрофосфату, монокристалів, орієнтованих

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів групи дигідрофосфату калію, що включає підготовку первинного розчину, підготовку та установку на платформі в ростовій камері зародка, вирощування кристала методом рециркуляції розчинника, який відрізняється тим, що у первинний розчин додатково вводять іони заліза з концентрацією 1,0·10-4-3,0·10-4 мас. %, як зародок використовують пласкопаралельну пластину, вирізану з об'ємного кристала таким...

Номер патенту: 96501

Опубліковано: 10.11.2011

Автори: Маковеєв Володимир Іванович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Сало Віталій Іванович, Маковеєв Олександр Володимирович, Воронов Олексій Петрович

МПК: C30B 7/00, C30B 29/14

Мітки: вирощування, калію, спосіб, монокристалів, орієнтованих, групи, дигідрофосфату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування орієнтованих монокристалів групи дигідрофосфату калію, що включає підготовку первинного розчину, підготовку та установку в ростову камеру на платформі зародка, наповнення кристалізатора розчином, вирощування кристала, який відрізняється тим, що концентрація мікродомішок в первинному розчині складає не більше ніж 5,0·10‑5 мас. %, як зародок використовують пласкопаралельну пластину, вирізану з об'ємного кристала таким...

Номер патенту: 95882

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Загоруйко Юрій Анатолійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Герасименко Андрій Спартакович, Христьян Володимир Анатолійович, Комарь Віталій Корнійович, Коваленко Назар Олегович

МПК: C30B 29/10, C30B 29/46, C30B 11/00 ...

Мітки: діапазону, матеріал, легованого, елементів, лазерів, перестроюванням, кристалічний, іонами, активних, частоти, селеніду, цинку, заліза, основі, середнього

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого іонами заліза, який відрізняється тим, що додатково містить домішку магнію, вміст якої складає 0,11<х<0,60 і створює твердий розчин заміщення Fe2+:Zn1-хMgxSe.

Номер патенту: 94142

Опубліковано: 11.04.2011

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Загоруйко Юрій Анатолійович, Герасименко Андрій Спартакович, Коваленко Назар Олегович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Федоренко Ольга Олександрівна

МПК: C30B 29/46, C30B 29/10, C30B 11/00 ...

Мітки: матеріал, середнього, кристалічний, активних, легованого, хромом, діапазону, частоти, лазерів, селеніду, елементів, основі, перестроюванням, цинку

Формула / Реферат:

Кристалічний матеріал для активних елементів лазерів середнього ІЧ діапазону з перестроюванням частоти на основі селеніду цинку, легованого хромом, який відрізняється тим, що матеріал додатково містить домішку магнію і створює твердий розчин заміщення Zn1-xMgxSe:Cr2+ при 0,22<х<0,6, де х - частка домішкових іонів магнію в катіонній підрешітці.

Номер патенту: 93108

Опубліковано: 10.01.2011

Автори: Лобанов Леонід Михайлович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Семенов Олександр Володимирович, Царюк Анатолій Корнілович, Дмитрик Віталій Володимирович

МПК: C23C 14/48, B23K 35/36

Мітки: термостійке, одержання, спосіб, покриття

Формула / Реферат:

1. Термостійке покриття з твердого вуглецевмісного матеріалу, яке виконано двошаровим, перший перехідний шар крім матеріалу поверхні додатково містить кремній, а другий зовнішній шар являє собою карбід кремнію чи легований карбід кремнію, яке відрізняється тим, що перший перехідний шар додатково містить титан в кількості 3-10 %, а другий зовнішній шар являє собою суміш карбіду кремнію (80-60 %) та карбіду титану (решта).2. Спосіб...

Номер патенту: 92595

Опубліковано: 25.11.2010

Автори: Олійник Сергій Володимирович, Сулима Сергій Віталійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Комарь Віталій Корнійович, Абашин Сергій Леонідович, Чугай Олег Миколайович

МПК: G01J 5/50, G01N 27/22

Мітки: неоднорідностей, спосіб, матеріалах, визначення, електрофізичних, розподілу, кристалічних

Формула / Реферат:

Спосіб визначення розподілу електрофізичних неоднорідностей в кристалічних матеріалах шляхом переміщення електродів відносно поверхні зразка з одночасним вимірюванням в змінному електричному полі їх електрофізичних параметрів, який відрізняється тим, що на плоскому електроді розміщують еталонний зразок товщиною  з pівномірним розподілом діелектричної проникності

Номер патенту: 49798

Опубліковано: 11.05.2010

Автори: Притула Ігор Михайлович, Гайворонський Володимир Ярославович, Колибаєва Марія Іванівна, Косінова Анна Володимирівна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Копиловський Максим Андрійович

МПК: C30B 7/00, G02F 1/35

Мітки: нелінійно-оптичний, монокристалічного, основі, матеріал

Формула / Реферат:

Нелінійно-оптичний матеріал на основі монокристалічного KDP, що містить домішку, який відрізняється тим, що як домішки матеріал містить нанокристали ТіO2 (у модифікації анатазу) розміром 5-25 нм у концентрації 10-4-10-5 мас. %.

Номер патенту: 90369

Опубліковано: 26.04.2010

Автори: Олійник Сергій Володимирович, Чуйко Олексій Сергійович, Сулима Сергій Віталійович, Чугай Олег Миколайович, Терзін Ігор Сергійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Абашин Сергій Леонідович, Комарь Віталій Корнійович

МПК: H01L 21/66, G01R 31/26

Мітки: нерівноважних, життя, струму, напівпровідниках, носіїв, вимірювання, спосіб, часу

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання часу життя нерівноважних носіїв струму у напівпровідниках шляхом одержання частотної залежності фотопровідності, зумовленої дією прямокутних імпульсів світла, який відрізняється тим, що вимірюють амплітуду першої гармоніки сигналу фотопровідності, одержують залежність її розкладу у ряд Фур’є від частоти слідування імпульсів фотозбудження і з цієї залежності визначають час життя нерівноважних носіїв струму.

Номер патенту: 90037

Опубліковано: 25.03.2010

Автори: Абашин Сергій Леонідович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Комарь Віталій Корнійович, Чугай Олег Миколайович, Герасименко Андрій Спартакович, Морозов Дмитро Сергійович, Сулима Сергій Віталійович, Олійник Сергій Володимирович

МПК: G01R 31/26

Мітки: вимірювання, високоомних, електроопору, спосіб, розчинів, напівпровідників, питомого, твердих

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання питомого електроопору високоомних твердих розчинів напівпровідників шляхом вимірювання тангенса кута діелектричних втрат вимірювального конденсатора, який утворений за допомогою плоских електродів діелектричних шарів та досліджуваного зразка, у залежності від частоти змінного електричного поля в низькочастотній області, який відрізняється тим, що вимірюють електроємність вимірювального конденсатора, а питомий електроопір rs...

Номер патенту: 86876

Опубліковано: 25.05.2009

Автори: Данько Олександр Якович, Мірошников Юрій Петрович, Адонкін Георгій Тимофійович, Ніжанковський Сергій Вікторович, Гринь Леонід Олексійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: C30B 11/00, C30B 13/00, C30B 15/00 ...

Мітки: спосіб, монокристалів, оксиду, алюмінію, вирощування

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів оксиду алюмінію, що включає попереднє відкачування кристалізаційної камери до тиску 10-20 Па і направлену кристалізацію розплаву оксиду алюмінію в захисному газовому середовищі, який відрізняється тим, що перед кристалізацією здійснюють термообробку теплового вузла камери і сировини при 2030-2050 °С протягом 4-5 годин при безперервному відкачуванні, потім напускають аргон до тиску 0,1-0,15 МПа, а в процесі...

Номер патенту: 78462

Опубліковано: 15.03.2007

Автори: Сідельнікова Наталія Степанівна, Качала Володимир Юхимович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Стрілець Геннадій Васильович, Адонкін Георгій Тимофійович, Данько Олександр Якович, Мірошников Юрій Петрович

МПК: C30B 29/20, C01F 7/02, C01F 7/46 ...

Мітки: вирощування, глинозему, сировини, одержання, монокристалів, лейкосапфіру, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб одержання сировини з глинозему для вирощування монокристалів лейкосапфіру, який включає сплавку суміші глинозему з 0,4-0,6 мас. % вуглецю у вигляді дрібнодисперсного порошку графіту, одержання продукту плавки в гарнісажі і його наступне дроблення, який відрізняється тим, що роздроблений глиноземний матеріал попередньо перед вирощуванням засипають у тигель з встановленою у ньому затравкою, тигель поміщають у камеру печі з графітовою...

Номер патенту: 77464

Опубліковано: 15.12.2006

Автори: Чугай Олег Миколайович, Сулима Сергій Віталійович, Мигаль Валерій Павлович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Комарь Віталій Корнійович, Абашин Сергій Леонідович

МПК: G01N 21/63, G01J 1/10

Мітки: центрів, матеріалах, визначення, кристалічних, фотоактивних, спосіб

Формула / Реферат:

1. Спосіб визначення фотоактивних центрів в кристалічних матеріалах шляхом вимірювання залежності ефективної діелектричної проникності і коефіцієнта діелектричних втрат зразка від довжини хвилі фотозбудження та побудови відповідних діаграм в комплексній площині з використанням вимірювання при планарній та об'ємній схемах розміщення електродів на зразку, визначення значень довжини хвилі λі фотозбудження як таких, що відповідають...

Номер патенту: 65027

Опубліковано: 17.04.2006

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Семенов Олександр Володимирович, Дмитрик Віталій Володимирович

МПК: B23K 35/36

Мітки: термостійке, варіанти, спосіб, одержання, покриття

Формула / Реферат:

Тримірний кістковий еквівалент-носій стромальних стовбурових клітин для заміщення дефектів кісток відноситься до біотехнології та медицини, зокрема до тканинної інженерії та клітинної терапії, може бути використаний при лікуванні пошкоджень та захворювань опорно-рухового апарату людини.Як найближчий аналог був покладений колагеновий гель-носій стромальних стовбурових клітин (ССК) який у своєму складі містить колаген І та III типів [1]....

Номер патенту: 73611

Опубліковано: 15.08.2005

Автори: Косско Ігор Олександрович, Петров В'ячеслав Васильович, Крючин Андрій Андрійович, Шанойло Семен Михайлович, Данько Олександр Якович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Семиноженко Володимир Петрович, Бутенко Лариса Василівна

МПК: G11B 7/24, G11B 7/00

Мітки: зберігання, носій, довготермінового, інформації

Формула / Реферат:

1. Носій для довготермінового зберігання інформації, що складається з прозорої підкладки, на якій нанесено рельєфну мікроструктуру, якою записана кодована інформація, відбиваючого шару та захисного шару, який відрізняється тим, що підкладку виконано з монокристалічного матеріалу, наприклад лейкосапфіру з орієнтацією 0001 (с) завтовшки 0,5-1,4 мм, на якій селективним травленням створено рельєфну мікроструктуру завтовшки 80 -110 нм.2....

Номер патенту: 65426

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Комарь Віталій Корнійович, Олійник Сергій Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Мигаль Валерій Павлович, Сулима Сергій Віталійович, Чугай Олег Миколайович

МПК: G01N 13/10

Мітки: електростатичного, спосіб, вимірювання, потенціалу, приповерхневого, напівпровіднику

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання приповерхневого електростатичного потенціалу в напівпровіднику, що включає отримання залежності від довжини хвилі фотозбудження приросту ефективних значень діелектричної проникності і коефіцієнта діелектричних втрат зразка, побудову в комплексній площині відповідних діаграм, з яких визначається характеристична довжина хвилі λi та глибина залягання відповідного енергетичного рівня відносно верхньої межі валентної зони...

Номер патенту: 65027

Опубліковано: 15.03.2004

Автори: Дмитрик Віталій Володимирович, Семенов Олександр Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: B23K 35/36

Мітки: термостійке, одержання, спосіб, покриття

Формула / Реферат:

Тримірний кістковий еквівалент-носій стромальних стовбурових клітин для заміщення дефектів кісток відноситься до біотехнології та медицини, зокрема до тканинної інженерії та клітинної терапії, може бути використаний при лікуванні пошкоджень та захворювань опорно-рухового апарату людини.Як найближчий аналог був покладений колагеновий гель-носій стромальних стовбурових клітин (ССК) який у своєму складі містить колаген І та III типів [1]....

Номер патенту: 50039

Опубліковано: 15.10.2002

Автори: Ткаченко Сергій Анатолійович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Гриньов Борис Вікторович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 29/04, C01B 31/06

Мітки: алмазу, синтезу, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб синтезу алмазу, який включає осадження атомів вуглецю із середовища, що містить вуглець, у розплаві металу-каталізатора, який відрізняється тим, що як метал - каталізатор використовують метали з анізотропією швидкості кристалізації, аналогічною анізотропії швидкості кристалізації алмазу, і не взаємодіючи з вуглецем, осадження ведуть в умовах градієнту температур на запалювальні кристали алмазу.

Номер патенту: 44136

Опубліковано: 15.01.2002

Автори: Чирва Людмила Артемівна, Сало Віталій Іванович, Колибаєва Марина Іванівна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Васильчук Валентина Григорівна, Притула Ігор Михайлович

МПК: C30B 29/14, C30B 7/00

Мітки: калію, монокристалів, спосіб, вирощування, дигідрофосфату

Формула / Реферат:

Спосіб вирощування монокристалів дигідрофосфату калію (КДР), що включає приготування первинного водного розчину солі дигідрофосфату калію і кристалізацію на затравку, який відрізняється тим, що затравку вирізують паралельно площині (001), а процес вирощування кристала проводять при температурі 80 - 90°С уздовж напрямку [001].

Номер патенту: 24489

Опубліковано: 21.07.1998

Автори: Стаднік Петро Омел'янович, Маліков Віталій Якович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Семенов Олександр Володимирович

МПК: H04R 19/00, G01T 1/02

Мітки: пристрій, заряду, вимірювання, електретів

Формула / Реферат:

Устройство для измерения заряда электретов, содержащее электрод с установленным на нем электретом, противоэлектрод электрета, измеритель амплитуды и усилитель электрических колебаний, вход которого подключен к противоэлектроду, отличающееся тем, что оно дополнительно содержит шторку, закрепленную на валу электродвигателя и расположенную между электретом и противоэлектродом, при этом выход усилителя электрических колебаний подключен к...

Номер патенту: 19688

Опубліковано: 25.12.1997

Автори: Притула Сергій Іванович, Дмитрик Віталій Володимирович, Семенов Олександр Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Семиноженко Володимир Петрович, Мізяк Анатолій Сергійович, Патон Борис Євгенович, Момот Дмитро Іванович

МПК: C30B 23/02, C30B 29/04, B23K 10/02 ...

Мітки: термостійке, покриття

Формула / Реферат:

1. Термостойкое покрытие на поверхности сопел, мундштуков, сварочных горелок или плазмотронов, выполненное из твердого углеродсодержащего материала, отличающееся тем* что покрытие выполнено в виде алмазоподобной пленки углерода толщиной > 1000 Å, содержащей области из гексагонального алмаза, имеющего форму близкую к эллипсоиду вращения с осями величиной 9-10 Å и 5-6 Å, а граничные участки между ними представляют собой...

Номер патенту: 16680

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Клембек Сергій Петрович, Семенов Олександр Володимирович, Булдовський Володимир Олександрович, Черепков Олексій Іванович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Дубоносов Володимир Леонідович

МПК: H01L 29/88

Мітки: тунельним, пристрій, переходом

Формула / Реферат:

Устройство с туннельным переходом, содержащее два металлических электрода, слой диэлектрика между ними и защитный слой, отличающееся тем, что, с целью повышения стабильности характеристик во времени и надежности работы в условиях воздействия климатических и радиационных нагрузок, слой диэлектрика и защитный слой выполнены из поликристаллической алмазной пленки.

Номер патенту: 16738

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Семенов Олександр Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: H01J 27/02

Мітки: вуглецю, пристрій, підложек, обробки, іонами

Формула / Реферат:

Устройство для обработки подложек ионами углерода, содержащее электрод-подложкодержатель с обрабатываемой подложкой и источник ионов дугоплазматронного типа с термокатодом, анодом, промежуточным анодом с полостью, в которой расположен графитовый тигель, электродом-экспандером и извлекающим электродом, отличающееся тем, что, с целью повышения эффективности обработки за счет снижения энергозатрат на создание интенсивного пучка ионов углерода...

Номер патенту: 16707

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Піщік Валеріан Володимирович, Литвинов Леонід Аркадійович

МПК: C30B 15/34

Мітки: пристрій, вирощування, профільованих, монокристалів

Формула / Реферат:

1. Способ получения пластмассового сцинтиллятора, основанный на термической радикальной блочной полимеризации винил-ароматических мономеров, люминесцирующих добавок и металлсодержащих соединений, отличающийся тем, что, с целью повышения теплостойкости и прозрачности пластмассовых сцинтилляторов к свету собственной люминесценции при сохранении высокого светового выхода, в исходный состав в качестве металлсодержащих соединений вводят...

Номер патенту: 16718

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Семенов Олександр Володимирович, Пузіков В'ячеслав Михайлович

МПК: C30B 23/02, C30B 29/04

Мітки: спосіб, алмазу, одержання, плівок

Формула / Реферат:

Способ получения пленок алмаза, включаю­щий бомбардировку подложки потоком атомов или ионов углерода с энергией 10-100 эВ при комнат­ной температуре, отличающийся тем, что, с целью обеспечения монокристаллической структуры пленок, подложку размещают под углом 10-80° к потоку атомов или ионов углерода.   "

Номер патенту: 20589

Опубліковано: 15.07.1997

Автори: Маліков Віталій Якович, Стаднік Петро Омел'янович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Семенов Олександр Володимирович

МПК: G01R 29/24

Мітки: заряду, вимірювання, пристрій, поверхневого, електретів

Формула / Реферат:

Устройство для измерения поверхностного заряда электретов, содержащее акустический пре­образователь, мембрану, неподвижный электрод с установленным на нем электретом, противоэлектрод электрета, усилитель электрических колеба­ний, отличающееся тем, что устройство допол­нительно содержит шток, при этом противоэлектрод и неподвижный электрод с электретом включе­ны в цепь положительной обратной связи между штоком и усилителем электрических...