Клембек Сергій Петрович

Номер патенту: 16680

Опубліковано: 29.08.1997

Автори: Семенов Олександр Володимирович, Булдовський Володимир Олександрович, Клембек Сергій Петрович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Дубоносов Володимир Леонідович, Черепков Олексій Іванович

МПК: H01L 29/88

Мітки: переходом, пристрій, тунельним

Формула / Реферат:

Устройство с туннельным переходом, содержащее два металлических электрода, слой диэлектрика между ними и защитный слой, отличающееся тем, что, с целью повышения стабильности характеристик во времени и надежности работы в условиях воздействия климатических и радиационных нагрузок, слой диэлектрика и защитный слой выполнены из поликристаллической алмазной пленки.

Номер патенту: 15690

Опубліковано: 30.06.1997

Автори: Старков Володимир Євгенович, Клембек Сергій Петрович, Філіпченко Ірина Миколаївна, Герасімов Алєксєй Борісовіч, Антонова Валентина Антонівна

МПК: H01L 21/268

Мітки: створення, переходів, кремнії, спосіб

Формула / Реферат:

(57) Способ создания р-n переходов в кремнии, включающий введение примеси с планарной стороны пластины и диффузионную разгонку примеси импульсным некогерентным излучением с длиной волны из области собственного поглощения кремния в течение времени, необходимого для получения р-n перехода заданной глубины залегания, отличающийся тем, что разгонку осуществляют облучением пластины с непланарной стороны излучением с плотностью мощности не менее 20...

Номер патенту: 9295

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Клембек Сергій Петрович, Борщов В'ячеслав Миколайович, Д'яковський Олег Володимирович, Буєров Геннадий Васильович

МПК: H01L 29/84, G01L 9/04

Мітки: hапівпровідhиковий, теhзоперетворювач

Формула / Реферат:

Полупроводниковый тензопреобразователь, содержащий подложку одного типа проводимости, сформированные в ней тензорезистивные области второго типа проводимости, выполненные в виде сплошного зигзагообразного резистивного слоя прямоугольной формы, подзатворный диэлектрик, управляющие электроды и электроды питания, отличающийся тем, что, с целью повышения чув­ствительности, приконтактные области располо­жены с двух сторон вдоль торцовых участков...

Номер патенту: 9294

Опубліковано: 30.09.1996

Автори: Богатов Павло Миколайович, Клембек Сергій Петрович, Борщов В'ячеслав Миколайович, Буєров Геннадий Васильович

МПК: G01B 7/16, G01B 7/00

Мітки: hапівпровідhиковий, теhзоперетворювач

Формула / Реферат:

Полупроводниковый тензопреобразователь, содержащий полупроводниковую пластину перво­го типа проводимости, в которой сформирован тензорезистор второго типа проводимости с решеткой типа меандр, отличающийся тем, что, с целью рас­ширения функциональных возможностей, 20-30% площади тензорсзистора выполнено в виде управляемого резистора с запоминающей структу­рой, расположенного со стороны одного из выводов тензорезистора.