Патенти з міткою «квантових»

Спосіб підсилення стійкості квантових протоколів прямого безпечного зв’язку

Завантаження...

Номер патенту: 108520

Опубліковано: 25.07.2016

Автори: Кінзерявий Василь Миколайович, Жмурко Тетяна Олександрівна, Одарченко Роман Сергійович, Гнатюк Сергій Олександрович, Абакумова Анастасія Олександрівна, Стояновіч Александар Деспотовіч

МПК: H04K 1/06

Мітки: спосіб, зв'язку, протоколів, прямого, безпечного, підсилення, стійкості, квантових

Формула / Реферат:

Спосіб підсилення стійкості квантових протоколів прямого безпечного зв'язку, що полягає у застосуванні симетричних перетворень (прямого bі=kt+at та зворотного ai=bі-kі), який відрізняється тим, що використовують заміну матриць Mt розміром r х r на ключову послідовність kt розміром r, яка формується за допомогою генератора псевдовипадкових послідовностей та ключа K, який передається відкритим каналом зв'язку після завершення квантової...

Спосіб отримання масиву квантових точок типу “ядро-оболонка” на основі нітриду нікелю

Завантаження...

Номер патенту: 100623

Опубліковано: 10.08.2015

Автори: Прудніков Анатолій Михайлович, Лінник Олексій Іванович, Линнік Тетяна Олексіївна

МПК: C23C 14/54, C23C 14/28

Мітки: нітриду, спосіб, масиву, нікелю, ядро-оболонка, точок, квантових, типу, отримання, основі

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання масиву квантових точок типу "ядро-оболонка" на основі нітриду нікелю за допомогою розпилювання мішені в планарному магнетроні постійного струму малої потужності (до 20 Вт), який відрізняється тим, що згаданий масив формується в одностадійному процесі розпилювання нікелевої мішені на підкладку в атмосфері буферного газу, який являє собою суміш аргону і азоту.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що...

Спосіб отримання колоїдного розчину квантових точок znse

Завантаження...

Номер патенту: 108805

Опубліковано: 10.06.2015

Автори: Масалов Андрій Олександрович, Волошко Антон Володимирович, Беспалова Ірина Ігорівна, Вягін Олег геннадійович, Малюкін Юрій Вікторович, Даніліна Вікторія Віталіївна, Єфимова Світлана Леонідівна

МПК: H01L 21/02, B82B 3/00, A61K 49/00 ...

Мітки: колоїдного, отримання, розчину, точок, квантових, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб отримання колоїдного розчину квантових точок ZnSe, що включає змішування вихідних компонентів, їх перемішування, нагрівання, витримування при певній температурі, який відрізняється тим, що здійснюють змішування діетиленгліколю з безводним хлоридом цинку, при інтенсивному перемішуванні суміш нагрівають до температури 160-200 °C, при цих температурах через розчин пропускають газоподібний селеноводень до появи опалесценції,...

Спосіб отримання нанорозмірних структур in/inp по типу квантових точок

Завантаження...

Номер патенту: 81520

Опубліковано: 10.07.2013

Автор: Сичікова Яна Олександрівна

МПК: C30B 30/00

Мітки: нанорозмірних, точок, отримання, квантових, спосіб, структур, типу

Формула / Реферат:

1. Спосіб отримання нанорозмірних структур Іn/ІnР по типу квантових точок Іn/ІnР на поверхні монокристалічного фосфіду індію методом електрохімічного травлення, який відрізняється тим, що травлення проводять обробкою монокристалу ІnР у розчині кислот у відношенні HF:H2O:HNO3= 5:5:1 при постійній напрузі від 3 до 15 В протягом часу від 3 хв. до 1 години.2. Спосіб за п. 1, який відрізняється тим, що травлення проводять при впливі...

Спосіб керування окремими q-бітами квантових нанокомп’ютерів за допомогою імпульсів ейрі

Завантаження...

Номер патенту: 73609

Опубліковано: 25.09.2012

Автори: Золотарьов Денис Олексійович, Нерух Олександр Георгійович

МПК: G05B 15/00

Мітки: q-бітами, допомогою, ейрі, спосіб, квантових, нанокомп'ютерів, імпульсів, окремими, керування

Формула / Реферат:

Спосіб керування окремими q-бітами квантових нанокомп'ютерів за допомогою імпульсів Ейрі (надалі - Аі) полягає у використанні системи відхилення у горизонтальній площині Аі, що генерує електромагнітне поле, що дозволяє хвилі відхилятися у горизонтальній поперечній площині на кути, достатні для взаємодії із кожним елементом квантової матриці; випромінювача Аі, що здатен генерувати двомірну Аі із різними значеннями параметра розхилу дуги...

Діод на основі квантових точок, упорядкованих за розміром вздовж однієї з осей просторових координат

Завантаження...

Номер патенту: 67834

Опубліковано: 12.03.2012

Автори: Жук Антон Геннадійович, Семененко Микола Олександрович, Романюк Володимир Романович, Охріменко Ольга Борисівна, Бачеріков Юрій Юрійович, Манойлов Едуард Геннадійович

МПК: H01L 29/88

Мітки: основі, просторових, точок, вздовж, квантових, розміром, упорядкованих, однієї, діод, координат, осей

Формула / Реферат:

Діод, що містить два контакти, який відрізняється тим, що він виконаний у вигляді діелектричної матриці, яка містить квантові точки, розташовані впорядковано за розміром між контактами, за зростанням розміру від анода до катода.

Оптрон на основі квантових точок телуриду кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 62707

Опубліковано: 12.09.2011

Автори: Корбутяк Дмитро Васильович, Будзуляк Сергій Іванович, Щербак Лариса Павлівна, Калитчук Сергій Михайлович, Халавка Юрій Богданович, Єрмаков Валерій Миколайович, Демчина Любомир Андрійович

МПК: H01L 51/00, H01L 21/04, H01L 33/00 ...

Мітки: телуриду, оптрон, кадмію, основі, квантових, точок

Формула / Реферат:

Оптрон, який складається з фотоприймача та світловипромінюючого пристрою, який відрізняється тим, що фотоприймачем є гетерофотоелемент, виготовлений із шаруватих напівпровідників GaSe та InSe, а світловипромінюючий пристрій виконаний у вигляді електролюмінесцентної багатошарової полімерної матриці з квантовими точками телуриду кадмію, яка нанесена на поверхню GaSe.

Спосіб вирощування епітаксійних наногетероструктур з масивами квантових точок

Завантаження...

Номер патенту: 94699

Опубліковано: 10.06.2011

Автори: Марончук Ігор Ігорович, Кулюткіна Тамара Фатихівна, Марончук Ігор Євгенович

МПК: C30B 19/00, C30B 29/00, H01L 21/20 ...

Мітки: наногетероструктур, квантових, точок, масивами, вирощування, спосіб, епітаксійних

Формула / Реферат:

1. Спосіб вирощування епітаксійних наногетероструктур з масивами квантових точок, що включає нагрів до температури  монокристалічної підкладки і насичених розчинів заданого складу, приведення лицевої поверхні підкладки в контакт з розчином для вирощування квантових точок, а тильної поверхні підкладки - в контакт з теплопоглиначем, що має температуру

Світловипромінюючий пристрій на основі квантових точок телуриду кадмію

Завантаження...

Номер патенту: 42339

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Демчина Любомир Андрійович, Корбутяк Дмитро Васильович, Щербак Лариса Павлівна, Калитчук Сергій Михайлович, Купчак Ігор Мирославович

МПК: H01L 51/50, H05B 33/22, H01L 33/00 ...

Мітки: точок, пристрій, світловипромінюючий, телуриду, квантових, кадмію, основі

Формула / Реферат:

Світловипромінюючий пристрій на основі квантових точок телуриду кадмію, що виконаний у вигляді одно- або багатошарової полімерної матриці з квантовими точками, який відрізняється тим, що квантові точки виготовлені з нанокристалів телуриду кадмію, а плівка полімерної матриці виготовлена з неспряженого поліелектроліту полідіаладіамінамодіум хлорид.

Спосіб одержання квантових точок телуриду свинцю

Завантаження...

Номер патенту: 80614

Опубліковано: 10.10.2007

Автори: Водоп'янов Володимир Миколайович, Слинько Євген Іларіонович, Ковалюк Захар Дмитрович, Бахтінов Анатолій Петрович

МПК: C30B 23/02

Мітки: спосіб, точок, свинцю, одержання, квантових, телуриду

Формула / Реферат:

Спосіб одержання квантових точок телуриду свинцю, який включає випаровування матеріалу, що містить телурид свинцю, і його осадження в вакуумі на сколоту в кристалографічній площині (111) підкладку з фториду барію, який відрізняється тим, що матеріал осаджують при температурі підкладки не менше 350 °С на нижню поверхню (111) підкладки, яку деформують зовнішніми силами і створюють в перпендикулярному до площини (111) напрямі направлену від...