Бєляєв Олександр Євгенович

Номер патенту: 108190

Опубліковано: 11.07.2016

Автори: Кладько Василь Петрович, Сафрюк Надія Володимирівна, Болтовець Микола Силович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Сай Павло Олегович, Саченко Анатолій Васильович, Шеремет Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна, Виноградов Анатолій Олегович

МПК: H01L 21/268, H01L 29/45

Мітки: контакту, омічного, спосіб, створення

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічного контакту до InN, який включає в себе магнетронне напилювання в єдиному технологічному циклі на очищену поверхню n-InN контактоутворюючого шару, товщиною 10÷200 нм, шару дифузійного бар'єру, товщиною 10÷200 нм, зовнішнього контактного шару Au, товщиною 500÷1000 нм, який відрізняється тим, що як дифузійний бар'єр використовують шар Ті, контактоутворюючий - шар Pd, a напилювання проводять на...

Номер патенту: 106825

Опубліковано: 10.05.2016

Автори: Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Кудрик Ярослав Ярославович, Виноградов Анатолій Олегович, Коростинська Тамара Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: H01L 29/00, H01L 21/268

Мітки: метал-si, виготовлення, термостійких, систем, спосіб, контактних

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення термостійких контактних систем метал-Si, який включає в себе очищення поверхні кремнієвої підкладки, магнетронне напилювання контактоутворюючого шару та шару дифузійного бар'єру ТіВ2, товщиною 60¸100 нм, і зовнішнього контактного шару на підігріту до 100¸150 °C підкладку Si, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар Ті, товщиною 10¸30 нм, та наносять додатковий шар...

Номер патенту: 103551

Опубліковано: 25.12.2015

Автори: Конакова Раїса Василівна, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Коростинська Тамара Василівна, Виноградов Анатолій Олегович, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович, Насиров Махсуд Уалієвич, Кудрик Ярослав Ярославович

МПК: H01L 29/47

Мітки: бар'єрних, контактів, а3в5, типу, напівпровідникових, з'єднань, виготовлення, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення бар'єрних контактів до напівпровідникових з'єднань типу А3В5, що включає очищення поверхні підкладки напівпровідникового з'єднання типу А3В5, магнетронне напилювання контактоутворюючого та зовнішнього контактного шарів і швидкий термічний відпал при температурі 450¸550 °C, який відрізняється тим, що для створення контактоутворюючого шару здійснюють магнетронне напилювання квазіаморфної плівки ТіВх товщиною...

Номер патенту: 103208

Опубліковано: 10.12.2015

Автори: Пузіков В'ячеслав Михайлович, Слєпова Олександра Станіславівна, Семенов Олександр Володимирович, Сліпокуров Віктор Сергійович, Бєляєв Олександр Євгенович, Зайцев Борис Васильович, Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Новицький Сергій Вадимович, Виноградов Анатолій Олегович, Коростинська Тамара Василівна

МПК: H01L 29/861, H01L 47/00

Мітки: діод, фосфід-індієвий, ганна

Формула / Реферат:

1. Фосфід-індієвий діод Ганна, що містить епітаксійну фосфід-індієву мезаструктуру n++-n+-n, до якої зі сторін n++ та n нанесені виконані з Аu з'єднувальні шари, омічні та проміжні шари, де між омічними та проміжними шарами сформовані антидифузійні бар'єри з квазіаморфних шарів ТіВх, і яка, разом із з'єднувальними, омічними, проміжними шарами та з шарами антидифузійних бар'єрів, вісесиметрично розміщена та закріплена в кільцевому...

Номер патенту: 101023

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Болтовець Микола Силович, Коростинська Тамара Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Атаубаєва Акумис Берисбаївна, Виноградов Анатолій Олегович

МПК: H01L 21/268, H01L 21/314

Мітки: ненагрівний, виготовлення, контакту, омічного, n+-кремнію, спосіб

Формула / Реферат:

Ненагрівний спосіб виготовлення омічного контакту до n+-кремнію, який включає очищення поверхні пластини кремнію, напилення контактоутворюючого шару, зовнішнього контактного шару та мікрохвильову обробку контактної структури, який відрізняється тим, що попередньо підігрівають пластину n+-кремнію до 290-330 °C, як контактоутворюючий шар напилюють шар паладію товщиною 20-30 нм, а потім шар титану товщиною 50-55 нм і проводять ненагрівну...

Номер патенту: 101022

Опубліковано: 25.08.2015

Автори: Сліпокуров Віктор Сергійович, Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Виноградов Анатолій Олегович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Басанець Володимир Васильович, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: G01R 27/04, G01R 19/28, G01R 31/26 ...

Мітки: відбраковування, ненадійних, діодів, спосіб, лавинно-пролітних, імпульсних, потенційно

Формула / Реферат:

Спосіб відбраковування потенційно ненадійних імпульсних лавинно-пролітних діодів, який включає прикладання до діода постійної напруги в зворотному напрямку і вимірювання вольт-амперної характеристики (ВАХ1), який відрізняється тим, що додатково прикладають до діода постійну напругу в прямому напрямку і вимірюють ВАХ2, з якої визначають величину послідовного диференційного опору R0 діода, а з ВАХ1 зворотного напряму в пробійній області...

Номер патенту: 97882

Опубліковано: 10.04.2015

Автори: Арсєнтьєв Іван Нікітовіч, Саченко Анатолій Васильович, Іванов Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Болтовець Микола Силович, Ткаченко Олександр Кирилович, Новицький Сергій Вадимович, Бобиль Алєксандр Васільєвіч, Конакова Раїса Василівна, Шеремет Володимир Миколайович, Пилипчук Олександр Сергійович

МПК: H01L 21/268

Мітки: низькотемпературного, а3в5, напівпровідників, створення, омічного, контакту, типу, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб створення низькотемпературного омічного контакту до напівпровідників типу А3В5, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника і напилення на попередньо підігріту пластину двох контактоутворюючих шарів з шару металу і шару германію, потім шар дифузійного бар'єру тугоплавкої сполуки та зовнішній контактний шар, після чого отриману контактну структуру відпалюють в атмосфері суміші водню та азоту, який відрізняється тим, що як...

Номер патенту: 97274

Опубліковано: 10.03.2015

Автори: Шеремет Володимир Миколайович, Ральчєнко Віктор Грігорьєвіч, Дуб Максим Миколайович, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Веремійченко Георгій Микитович, Болтовець Микола Силович

МПК: H01L 29/40, H01L 23/52, H01L 23/48 ...

Мітки: напівпровідникового, контактна, термостійка, алмазу, приладу, омічна, система

Формула / Реферат:

1. Термостійка контактна омічна система до напівпровідникового приладу з алмазу, яка містить в собі контактний шар титану визначеної товщини, який нанесений на поверхню алмазу, бар'єрний антидифузійний шар з тугоплавкого матеріалу оптимальної товщини та контактуючий шар із золота, до якого приєднуються електричні виводи приладу, причому після термічної обробки утворюється проміжний шар карбіду титану, який забезпечує адгезію та низький...

Номер патенту: 94616

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Жиляєв Юрій Васільєвіч, Болтовець Микола Силович, Шеремет Володимир Миколайович, Саченко Анатолій Васильович, Коростинська Тамара Василівна, Конакова Раїса Василівна, Сай Павло Олегович, Капітанчук Леонід Мусійович, Бєляєв Олександр Євгенович, Пантєлєєв Валєрій Ніколаєвіч

МПК: H01L 21/268

Мітки: спосіб, n-ain, контактів, створення, омічних

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічного контакту до n-A1N, який полягає в напиленні на поверхню напівпровідника шарів металу з подальшим термічним відпалом, який відрізняється тим, що на додатково підігріту до 300-400 °C поверхню n-A1N методом термовакуумного напилення наносять послідовні шари металів Pd-Ti-Pd-Au, а термічний відпал здійснюють при Т=850-950 °C тривалістю 30-60 с.

Номер патенту: 94615

Опубліковано: 25.11.2014

Автори: Шеремет Володимир Миколайович, Веремійченко Георгій Микитович, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Слєпова Олександра Станіславівна, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Сай Павло Олегович, Голинна Тетяна Іванівна, Болтовець Микола Силович, Семенов Олександр Володимирович

МПК: H01L 47/00, H01L 29/00

Мітки: ганна, діод, основі

Формула / Реферат:

1. Діод Ганна, який містить епітаксійну напівпровідникову мезаструктуру, на протилежних поверхнях якої сформовані катодний та анодний багатошарові контакти, на яких нанесені з'єднувальні шари із золота та приєднано тепловідвід до катодного контакту, і яка осесиметрично закріплена в діелектричному корпусі із металізованими протилежними поверхнями таким чином, що сторона анодного контакту при допомозі гнучкого виводу і кришки закріплена з...

Номер патенту: 93207

Опубліковано: 25.09.2014

Автори: Холевчук Володимир Васильович, Семенов Олександр Володимирович, Веремійченко Георгій Микитович, Бєляєв Олександр Євгенович, Мітін Вадим Федорович, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Пузіков В'ячеслав Михайлович, Шеремет Володимир Миколайович, Кривуца Валентин Антонович

МПК: G01K 1/00

Мітки: температури, датчик

Формула / Реферат:

1. Датчик для вимірювання температури, виготовлений у вигляді чипа, що містить в собі чутливий шар напівпровідникового матеріалу з омічними контактами, корпус якого складається з основи та кришки, електричних виводів для монтажу в вимірювальних колах, який відрізняється тим, що чутливий елемент виконаний у вигляді епітаксійної плівки SiC, вирощеної на підкладці сапфіру, причому до сторони SiC сформовані омічні контакти Ті-Мо-Au, які мають...

Номер патенту: 91936

Опубліковано: 25.07.2014

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Болтовець Микола Силович, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Саченко Анатолій Васильович, Коростинська Тамара Василівна, Шеремет Володимир Миколайович, Виноградов Анатолій Олегович, Аніщик Віктар Міхайлавіч, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна

МПК: H01L 21/00, H01L 21/268

Мітки: спосіб, контакту, омічного, виготовлення

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення омічного контакту до n-Si, що включає очищення поверхні пластини n-Si, легування фосфором приповерхневого n+-шару n-Si товщиною 150-200 нм до концентрації донорів в n+-шарі ~1-3·1020 см-3 і подальший нагрів n+-n-Si структури до 330-350 °C з одночасним послідовним напиленням шару паладію товщиною 30-35 нм і титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактний шар золота, який відрізняється тим, що легування...

Номер патенту: 88970

Опубліковано: 10.04.2014

Автори: Конакова Раїса Василівна, Шинкаренко Володимир Вікторович, Шеремет Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Сорокін Віктор Михайлович, Кудрик Ярослав Ярославович

МПК: G01N 21/00, G01N 25/00, G01N 27/00 ...

Мітки: прогнозування, спосіб, світлодіодів, світлодіодних, модулів, деградації

Формула / Реферат:

Спосіб прогнозування деградації світлодіодів та світлодіодних модулів, що полягає в навантаженні сталим струмом світлодіодних модулів чи світлодіодів, реєстрації інтенсивності свічення L світлодіода чи елементів світлодіодного модуля протягом часу t при різних стабілізованих температурах Тзовн, який відрізняється тим, що додатково вимірюють температуру р-n переходу Твнутр окремого світлодіода чи кожного елемента світлодіодного модуля, яку...

Номер патенту: 87875

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Новицький Сергій Вадимович, Веремійченко Георгій Микитович, Іванов Володимир Миколайович, Шеремет Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна, Ковтонюк Віктор Михайлович

МПК: H01L 21/66

Мітки: нвч, пристрій, дискретний, активний

Формула / Реферат:

1. Активний дискретний НВЧ-пристрій з двома каскадами радіальної лінії передачі, який містить в собі розташовані вісесиметрично напівпровідникову активну структуру дискової форми, до плоских сторін якої створені низькоомні катодний та анодний контакти, яка представляє собою діод, циліндричний тримач, на торцевій площині циліндричного виступу якого закріплена катодною стороною напівпровідникова структура, кільцевий ізолятор з кришкою, плоскі...

Номер патенту: 87820

Опубліковано: 25.02.2014

Автори: Шеремет Володимир Миколайович, Піліпєнка Владзімір Аляксандравіч, Коростинська Тетяна Василівна, Пятліцкая Таццяна Владзіміравна, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Виноградов Анатолій Олегович, Саченко Анатолій Васильович, Бєляєв Олександр Євгенович, Кудрик Ярослав Ярославович, Аніщик Віктар Міхайлавіч

МПК: H01L 21/268

Мітки: омічного, формування, контакту, спосіб

Формула / Реферат:

Спосіб формування омічного контакту до n-Si, який включає очищення поверхні пластини кремнію і напилення на неї шару титану товщиною 50-55 нм, на який напилюють зовнішній контактній шар золота, який відрізняється тим, що спочатку приповерхневий шар товщиною 150-200 нм пластини кремнію додатково легують фосфором дифузійним методом до концентрації донорів ~1-3·1020 см-3, перед напиленням шару титану на пластину кремнію, попередньо нагріту до...

Номер патенту: 83664

Опубліковано: 25.09.2013

Автори: Іванов Володимир Миколайович, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Бобиль Олександр Васильович, Новицький Сергій Вадимович, Бєляєв Олександр Євгенович, Саченко Анатолій Васильович

МПК: H01L 21/268

Мітки: спосіб, омічного, створення, контакту

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічного контакту до ІnР та GaAs, який включає очищення пластини, на яку у вакуумі в одному технологічному циклі напилюють шари золота, германію, бориду або нітриду тугоплавкого металу та зовнішній контактний шар золота, після чого в інертній атмосфері проводять швидкий термічний відпал всієї структури, який відрізняється тим, що напилюють спочатку шар золота, а потім шар германію однакових товщин, сумарна товщина яких...

Номер патенту: 78936

Опубліковано: 10.04.2013

Автори: Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Саченко Анатолій Васильович, Новицький Сергій Вадимович, Болтовець Микола Силович, Виноградов Анатолій Олегович, Кудрик Ярослав Ярославович, Шеремет Володимир Миколайович

МПК: H01L 21/268

Мітки: контакту, спосіб, омічного, кремнію, формування

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування омічного контакту до кремнію, який включає очищення поверхні пластини напівпровідника, підігрів пластини, напилення контактоутворюючого шару та зовнішнього контактного шару золота товщиною 100-110 нм, який відрізняється тим, що як контактоутворюючий шар наносять шар паладію товщиною 20-30 нм, а між шаром паладію та золота додатково напилюють шар титану товщиною 50-55 нм, при цьому напилення металів здійснюють на...

Номер патенту: 76966

Опубліковано: 25.01.2013

Автори: Шеремет Володимир Миколайович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Бєляєв Олександр Євгенович, Сорокін Віктор Михайлович

МПК: G01N 25/00

Мітки: спосіб, теплового, опору, ланок, структури, вимірювання, світлодіодної

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання теплових параметрів ланок світлодіодної структури, який полягає в вимірюванні залежності температури p-n переходу світлодіода Τ від часу t після включення світлодіодної структури, вимірюванні потужності, що споживає світлодіодна структура Ρ1 і визначенні експериментальних значень Ri теплового опору і часових констант τi кожної з ланок структури, де і - номер ланки, який відрізняється тим, що додатково...

Номер патенту: 76618

Опубліковано: 10.01.2013

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Кисельов Віталій Семенович

МПК: A61C 8/00

Мітки: виготовлення, основі, спосіб, карбіду, кремнію, композитних, виробів

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення композитних виробів на основі карбіду кремнію для використання як імплантатів, що включає виготовлення заготовки з заболонної частини стовбуру деревини листвяних розсіяно судинних порід, розмір якої для компенсації усадки при піролізі на 25-30 % більший, ніж розмір потрібного виробу, проведення піролізу в атмосфері інертного газу, після якого, одержаній таким чином, вуглецевій матриці надають потрібної форми та розміри, а...

Номер патенту: 67488

Опубліковано: 27.02.2012

Автори: Тоцький Ігор Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Макара Володимир Арсенійович

МПК: C04B 35/58, B22F 3/10, C04B 35/56 ...

Мітки: карбідів, основі, матеріалів, композитних, виготовлення, допомогою, нвч, радіаційностійких, спосіб, боридів, обробки

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення радіаційностійких композитних матеріалів на основі карбідів і боридів за допомогою НВЧ обробки, що включає змішування порошків з карбідів і боридів, засипання їх в форму і спікання шляхом термічного відпалу при температурі 1000-2000 °С протягом 0,5-15 хв, який відрізняється тим, що після швидкого термічного відпалу матеріал опромінюють хвилями НВЧ протягом 1 с - 10 хв, потужністю 0,2-15 Вт/см2 з частотою 1,5-15 ГГц при...

Номер патенту: 65947

Опубліковано: 26.12.2011

Автори: Павлюченко Олексій Сергійович, Чегель Володимир Іванович, Кукла Олександр Леонідович, Лопатинський Андрій Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Лукас Брендон, Гуо Джей

МПК: G01N 33/53, G01N 21/00, G01N 21/25 ...

Мітки: плазмонного, резонансу, поверхневого, основі, біосенсор, локалізованого

Формула / Реферат:

1. Біосенсор для реєстрації біомолекулярних взаємодій у водних розчинах на основі явища поверхневого плазмонного резонансу, який має джерело випромінювання, прозорий оптичний елемент, на поверхню якого нанесений чутливий шар золота або срібла, робочу кювету, блок керування та фоточутливий елемент, який відрізняється тим, що джерело випромінювання дає світло з неперервним спектром видимого та ближнього інфрачервоного діапазону довжин хвиль,...

Номер патенту: 65725

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Іванов Володимир Миколайович, Ковтонюк Віктор Михайлович, Арсентьєв Іван Микитович, Мілєнін Віктор Володимирович, Новицький Сергій Вадимович, Бобиль Олександр Васильович, Бєляєв Олександр Євгенович, Веремійченко Георгій Микитович, Конакова Раїса Василівна, Тарасов Ілля Сергійович, Шеремет Володимир Миколайович, Кудрик Ярослав Ярославович

МПК: H01L 21/66

Мітки: контакту, діодів, катодного, ганна, спосіб, якості, контролю

Формула / Реферат:

Спосіб контролю якості катодного контакту діодів Ганна, який полягає в тому, що на напівпровідниковій пластині формують омічні контакти, за допомогою зондового блока, який дозволяє пропускати струм через досліджувану мезаструктуру і закорочені сусідні мезаструктури, вимірюють ВАХ (вольт-амперні характеристики), прикладаючи до досліджуваної мезаструктури імпульси напруги з послідовно зростаючою амплітудою однієї і іншої полярності, з ВАХ...

Номер патенту: 65395

Опубліковано: 12.12.2011

Автори: Болтовець Микола Силович, Шеремет Володимир Миколайович, Бєляєв Олександр Євгенович, Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович

МПК: G01N 25/00

Мітки: вимірювання, діодів, спосіб, напівпровідникових, опору, теплового

Формула / Реферат:

Спосіб вимірювання теплового опору напівпровідникових діодів, який включає пропускання через діод струму імпульсом періодом τF, причому τF<<τпp, де τпр - характерний час теплової релаксації діода, і вимірювання залежності напруги від температури корпусу U(T), пропускання постійного розігріваючого струму ІT протягом періоду, більшого за τF, при підтриманні постійної температури корпусу діода, вимірювання...

Номер патенту: 61621

Опубліковано: 25.07.2011

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Кудрик Ярослав Ярославович, Шеремет Володимир Миколайович, Конакова Раїса Василівна, Новицький Сергій Вадимович, Болтовець Микола Силович, Мілєнін Віктор Володимирович

МПК: H01L 21/268

Мітки: спосіб, створення, контактів, широкозонних, напівпровідників, омічних

Формула / Реферат:

Спосіб створення омічних контактів до широкозонних напівпровідників з густиною структурних дефектів >105 см-2, який включає напилення на поверхню напівпровідника контактоутворюючого шару, в ролі якого виступає метал з роботою виходу, меншою ніж в напівпровіднику, створення дифузійного бар'єра шляхом напилення тугоплавких металів або їх сполук, напилення шару золота і проведення НВЧ обробки з частотою опромінення 2,45 ГГц, який...

Номер патенту: 60572

Опубліковано: 25.06.2011

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Кисельов Віталій Семенович

МПК: A61C 8/00

Мітки: кремнію, матеріалу, трансплантації, кісток, композитного, карбіду, виготовлення, губчастих, імплантів, спосіб, зубних

Формула / Реферат:

1. Спосіб виготовлення композитного матеріалу з карбіду кремнію для трансплантації губчастих кісток та зубних імплантів, що включає виготовлення вуглецевої матриці потрібної форми з відкритою пористістю шляхом піролізу заготовки із заболонної частини стовбура деревини листвяних розсіяно судинних порід, просочення її рідким кремнієм та синтез карбіду кремнію, який відрізняється тим, що для виготовлення вуглецевої матриці розмір заготовки з...

Номер патенту: 55762

Опубліковано: 27.12.2010

Автори: Шинкаренко Володимир Вікторович, Кудрик Ярослав Ярославович, Конакова Раїса Василівна, Болтовець Микола Силович, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: G01R 27/08

Мітки: вимірювання, омічного, напівпровідника, пристрій, параметрів, контакту

Формула / Реферат:

Пристрій для вимірювання параметрів омічного контакту до напівпровідника, який містить вимірювальний блок, що складається з генератора постійного струму і не менше ніж чотирьох зондів, два з яких під'єднано до генератора, а решта - до вимірювача напруги, і предметний столик для досліджуваних зразків, який відрізняється тим, що пристрій додатково має термостат з керованою температурою, в якому розміщені предметний столик разом з зондами.

Номер патенту: 47386

Опубліковано: 25.01.2010

Автори: Бєляєв Олександр Євгенович, Шинкаренко Володимир Вікторович, Конакова Раїса Василівна, Кудрик Ярослав Ярославович, Болтовець Микола Силович

МПК: G01R 19/28, G01R 27/04, G01R 31/26 ...

Мітки: діагностики, напівпровідникових, надійності, лпд, імпульсних, надпотужних, апаратура, діодів, лавинопрольотних

Формула / Реферат:

Апарат для діагностики надійності напівпровідникових надпотужних імпульсних лавинопрольотних діодів (ЛПД), що містить зчитуючий пристрій, другу коаксіальну лінію затримки, формувач наносекундних імпульсів, до якого приєднана перша коаксіальна лінія затримки, який відрізняється тим, що до першої коаксіальної лінії затримки під'єднаний трійник, до якого підключені через узгоджувальні навантаження входи другої та третьої коаксіальних...

Номер патенту: 87187

Опубліковано: 25.06.2009

Автори: Кисельов Віталій Семенович, Бєляєв Олександр Євгенович

МПК: C01B 31/36, C01B 33/00

Мітки: виготовлення, карбіду, спосіб, виробів, кремнію

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення виробів з карбіду кремнію, що включає використання вуглецевої матриці потрібної форми з відкритою пористістю, просочення її рідким кремнієм та синтез карбіду кремнію, який відрізняється тим, що використовують вуглецеву матрицю з відстанню між порами не більше 2Н, де Н товщина синтезованого карбіду кремнію, просочення її рідким кремнієм виконують в атмосфері інертного газу всмоктуванням кремнію в пори методом зниження тиску...