Кудрявцев Дмитро Петрович
Спосіб вирощування кристалів боратів празеодиму prb3о6 та неодиму ndb3o6
Номер патенту: 22299
Опубліковано: 25.04.2007
Автори: Світанько Микола Вікторович, Просвірнін Андрій Леонідович, Оселедчик Юрій Семенович, Кудрявцев Дмитро Петрович
МПК: C30B 17/00
Мітки: кристалів, боратів, вирощування, prb3о6, празеодиму, неодиму, спосіб, ndb3o6
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування кристалів боратів празеодиму РrВ3О6 та неодиму NdB3O6, що включає приготування шихти з SrO, В2О3 і Рr6O11, чи Nd2O3, здійснення попереднього твердофазного синтезу, розплавлення отриманих сполук з наступним охолодженням і вирощуванням монокристалів на платиновому стрижні, який відрізняється тим, що склад шихти відповідає області діаграми кристалізації борату празеодиму РrВ3О6 або борату неодиму NdB3O6 в потрійних фазових...
Спосіб вирощування кристалів боратів празеодиму prbo3 та неодиму ndbo3
Номер патенту: 18022
Опубліковано: 16.10.2006
Автори: Кудрявцев Дмитро Петрович, Світанько Микола Вікторович, Оселедчик Юрій Семенович, Просвірнін Андрій Леонідович
МПК: C30B 17/00
Мітки: prbo3, празеодиму, спосіб, вирощування, боратів, ndbo3, неодиму, кристалів
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування кристалів боратів празеодиму РrВО3 та неодиму ΝdΒΟ3, що включає приготування шихти з SrO, В2O3 і Рr6O11 чи Nd2O3, здійснення попереднього твердофазного синтезу, розплавлення отриманих сполук з наступним охолодженням і вирощуванням монокристалів на платиновому стрижні, який відрізняється тим, що склад шихти відповідає області діаграми кристалізації борату празеодиму РrВО3 чи борату неодиму NdBO3 в потрійних...
Спосіб вирощування кристалів борату стронцію sr4b14o25
Номер патенту: 61223
Опубліковано: 17.11.2003
Автори: Світанько Микола Вікторович, Оселедчик Юрій Семенович, Просвірнін Андрій Леонідович, Кудрявцев Дмитро Петрович
МПК: C30B 17/00
Мітки: кристалів, вирощування, стронцію, sr4b14o25, борату, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування кристалів борату стронцію Sr4B14O25, який включає приготування шихти з SrO і В2O3, розплавлення її з наступним охолодженням і вирощування монокристалів на орієнтовану затравку з обертанням і програмованим витягуванням, який відрізняється тим, що в шихту вводять В2О3 у кількості 64 - 65 mol%.
Спосіб вирощування кристалу борату стронцію sr4b14 o25 ,легованого лантаноїдами
Номер патенту: 49341
Опубліковано: 16.09.2002
Автори: Кудрявцев Дмитро Петрович, Просвірнін Андрій Леонідович, Оселедчик Юрій Семенович, Світанько Микола Вікторович
МПК: C30B 17/00
Мітки: борату, стронцію, вирощування, кристалу, легованого, sr4b14, лантаноїдами, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб вирощування кристалу борату стронцію Sr4B14O25, легованого лантаноїдами, який включає приготування шихти стехіометричного складу з SrO і В2О3, узятих в молярному відношенні 1:2, розплавлення її, наступне охолодження і вирощування монокристалів на орієнтовану затравку з обертанням і програмованим витягуванням, який відрізняється тим, що в шихту вводять легуючі домішки у вигляді окислу лантаноїду RЕ2О3 в кількості
Спосіб вимірювання тривалості ультракоротких імпульсів лазерного випромінювання ультрафіолетового спектрального діапазону
Номер патенту: 46236
Опубліковано: 15.05.2002
Автори: Швець Евген Якович, Просвірнін Андрій Леонідович, Кудрявцев Дмитро Петрович, Оселедчик Юрій Семенович, Світанько Микола Вікторович
МПК: C30B 17/00
Мітки: тривалості, випромінювання, діапазону, лазерного, вимірювання, ультрафіолетового, ультракоротких, спектрального, імпульсів, спосіб
Формула / Реферат:
Спосіб вимірювання тривалості ультракоротких імпульсів лазерного випромінювання ультрафіолетового спектрального діапазону, який включає вимірювання тривалості кореляційної функції інтенсивності генерації другої гармоніки імпульсів лазерного випромінювання в нелінійному кристалі, який відрізняється тим, що як нелінійний кристал використовують кристал тетраборату стронцію.