Спосіб вирощування кристалів борату стронцію sr4b14o25

Спосіб вирощування кристалів борату стронцію S14B14O25, який включає приготування шихти з SrO і В2О3, розплавлення її з наступним охолодженням і вирощування монокристалів на орієнтовану затравку з обертанням і програмованим витягуванням, який відрізняється тим, що в шихту вводять В2О3 у КІЛЬКОСТІ 64-65mol% Оселедчик Петрович, Винахід ВІДНОСИТЬСЯ до виробництва оптичних матеріалів і може бути використаний для створення нових оптичних пристроїв (елементів) Відомий спосіб вирощування монокристалів тетрабората стронцію [L Bohaty, I Liebertz, S Stahz -Z Knstallogr, 172 (1985), р 135] із розплаву стехіометричного складу Компонентами шихти є SrO і В2О3, які взяті в молярному відношенні 1 2 Недоліком відомого способу є одержання маленьких голчатої форми кристалів, які не годні для використання в оптиці Найбільш близькими за сукупністю ознак до заявляемого є спосіб вирощування кристалів бората стронцію З^ВмОгб, легованих іонами празеодиму, (Kudrjavtcev D Р , Oseledchik Yu S , Prosvirnm A L , Svitanko N V , Petrov V V The luminescence of the praseodimiump-doped strontium borate Sr4Bi4025 Pr3+ // UkrJPhysOpt V3 №2 2002 - P155-160), який включає приготування шихти з SrO і В2О3, взятих в молярному відношенні 1 2, розплавлення її, наступне охолодження і вирощування монокристалів на орієнтовану затравку з обертанням і програмованим витягуванням В шихту вводять легуючі домішки у вигляді окислу празеодима лантаноіда РГ2О3 в КІЛЬКОСТІ —2—?_ _ (02-10Ї моль% Таким чином забезпеSrO чується можливість вирощування однорідних легованих монокристалів S^BuCbs Рг3+ великих розмірів, що дає можливість використовувати їх для створення активних лазерних елементів Недоліком відомого способу є неможливість одер жання нелегованих кристалів, що використовуються як оптичні пристрої (елементи) у яких відсутні полоси поглинання в усьому діапазоні прозорості В основу винаходу поставлено завдання створення способу вирощування кристалів бората стронцію, в якому, за рахунок нового складу шихти, забезпечується вирощування нелегованих монокристалів бората стронцію З^ВмОгб, У яких відсутні полоси поглинання в усьому діапазоні прозорості, й які можна використовувати як оптичні пристрої (елементи) з широкою полосою прозорості та високим рівнем двопроменезаломлення Для вирішення поставленого завдання в способі вирощування кристалів бората стронцію Sr4Bi4O25, що включає виготовлення шихти із SrO і В2О3, розплавлення її з наступним охолодженням і вирощування монокристалів на орієнтовану затравку з обертанням й програмованим витягуванням, згідно винаходу в шихту вводять В2О3 у КІЛЬКОСТІ 64-65mol% Як встановлено, кристали бората стронцію Sr4Bi4O25, інконгруентно плавляться при температурі 1012±5°С і в наслідок цього не можуть бути вирощені способом Чохральського з використанням шихти стехіометричного складу із SrO і В2О3, взятих в молярному відношенні 4 7, що відповідає концентрацій 36,36mol% SrO та 63,64mol% В2О3 При вирощуванні кристалів з розплаву стехіометричного складу SrO ВгОз=4 7 спостерігається ріст кристалів SrB2O4, а при концентрації SrO