Майданчук Іван Юрійович
Спосіб одержання світловипромінювального матеріалу
Номер патенту: 33100
Опубліковано: 10.06.2008
Автори: Данько Віктор Андрійович, Минько Віктор Іванович, Шепелявий Петро Євгенович, Індутний Іван Захарович, Майданчук Іван Юрійович
МПК: H01L 21/265
Мітки: матеріалу, одержання, спосіб, світловипромінювального
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання світловипромінювального матеріалу на основі нанокомпозитних поруватих шарів Si-SiOx, який включає формування шару субоксиду кремнію SiOx (де х £ 2) шляхом осадження SiOx у вакуумі на підкладинку, орієнтовану під кутом 20-80° до напряму потоку осаджуваної речовини, і наступного термічного відпалу цього шару при температурі 400-1300 °С в атмосфері інертного газу чи у вакуумі, який відрізняється тим, що перед відпалом...
Спосіб одержання світловипромінювального матеріалу на основі кремнію
Номер патенту: 75793
Опубліковано: 15.05.2006
Автори: Майданчук Іван Юрійович, Данько Віктор Андрійович, Минько Віктор Іванович, Індутний Іван Захарович, Шепелявий Петро Євгенович
МПК: H01L 21/265
Мітки: світловипромінювального, матеріалу, кремнію, одержання, спосіб, основі
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання світловипромінювального матеріалу на основі кремнію, який включає осадження в вакуумі на підкладку шару субоксиду кремнію SiOx, де х менше 2 і наступного термічного відпалу цього шару при підвищеній температурі в атмосфері інертного газу або у вакуумі, який відрізняється тим, що під час осадження шару SiOx підкладку орієнтують під кутом від 20 до 80 градусів між нормаллю до підкладки і напрямком потоку осаджуваної...