Патенти з міткою «світловипромінювального»
Спосіб виготовлення світловипромінювального композита нанокремнію
Номер патенту: 115733
Опубліковано: 11.12.2017
Автори: Карлаш Ганна Юріївна, Скришевський Валерій Антонович, Манілов Антон Ігорович
МПК: H01L 33/34, H01L 21/00
Мітки: нанокремнію, композита, світловипромінювального, спосіб, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення світловипромінювального композита нанокремнію, що включає виготовлення люмінесцентних наночастинок кремнію, синтез аерогелю кремнезему методом надкритичного висушування силікатного гелю та інкорпорацію наночастинок у аерогель, який відрізняється тим що силікатний гель виготовляють на основі тетраетилортосилікату; наночастинки кремнію створюють анодним або хімічним травленням кристалічного Si; виготовлення суміші...
Спосіб одержання світловипромінювального матеріалу
Номер патенту: 33100
Опубліковано: 10.06.2008
Автори: Данько Віктор Андрійович, Майданчук Іван Юрійович, Минько Віктор Іванович, Шепелявий Петро Євгенович, Індутний Іван Захарович
МПК: H01L 21/265
Мітки: спосіб, матеріалу, світловипромінювального, одержання
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання світловипромінювального матеріалу на основі нанокомпозитних поруватих шарів Si-SiOx, який включає формування шару субоксиду кремнію SiOx (де х £ 2) шляхом осадження SiOx у вакуумі на підкладинку, орієнтовану під кутом 20-80° до напряму потоку осаджуваної речовини, і наступного термічного відпалу цього шару при температурі 400-1300 °С в атмосфері інертного газу чи у вакуумі, який відрізняється тим, що перед відпалом...
Спосіб одержання світловипромінювального матеріалу на основі кремнію
Номер патенту: 75793
Опубліковано: 15.05.2006
Автори: Індутний Іван Захарович, Данько Віктор Андрійович, Минько Віктор Іванович, Майданчук Іван Юрійович, Шепелявий Петро Євгенович
МПК: H01L 21/265
Мітки: кремнію, спосіб, світловипромінювального, основі, матеріалу, одержання
Формула / Реферат:
1. Спосіб одержання світловипромінювального матеріалу на основі кремнію, який включає осадження в вакуумі на підкладку шару субоксиду кремнію SiOx, де х менше 2 і наступного термічного відпалу цього шару при підвищеній температурі в атмосфері інертного газу або у вакуумі, який відрізняється тим, що під час осадження шару SiOx підкладку орієнтують під кутом від 20 до 80 градусів між нормаллю до підкладки і напрямком потоку осаджуваної...
Пристрій світловипромінювального діода (свд) іч-діапазону, датчик, що включає в себе пристрій свд іч-діапазону,спосіб приведення в дію свд іч-діапазону та спосіб роботи датчика, що містить свд іч-діапазону
Номер патенту: 57845
Опубліковано: 15.07.2003
Автори: Ешлі Тімоті, Краудер Джон Грехем, Сміт Стенлі Дезмонд, Маннхайм Фолькер Пауль
МПК: G01N 21/01, G01J 3/00, G01N 21/35 ...
Мітки: датчика, діода, іч-діапазону, приведення, містить, світловипромінювального, спосіб, себе, датчик, іч-діапазону,спосіб, роботи, свд, включає, пристрій, дію
Формула / Реферат:
1. Пристрій світловипромінювального діода (СВД), що містить СВД (30) ІЧ-діапазону, який випускає позитивну люмінесценцію при напрузі прямого зміщення і випускає негативну люмінесценцію при напрузі зворотного зміщення,засіб збудження для подачі напруг прямого і зворотного зміщення, що чергуються, на СВД,який відрізняється тим, що рівні напруг прямого (+ν1) і зворотного (-ν2) зміщень, що подаються засобом збудження, встановлюють так,...