Патенти з міткою «терморезистивного»
Чутливий елемент мікроелектронного терморезистивного сенсора для вимірювання кріогенних температур в сильних магнітних полях
Номер патенту: 22368
Опубліковано: 25.04.2007
Автори: Когут Ігор Тимофійович, Ховерко Юрій Миколайович, Мар'ямова Інна Йосифівна, Дружинін Анатолій Олександрович
МПК: G01K 7/00
Мітки: кріогенних, мікроелектронного, магнітних, сенсора, елемент, сильних, терморезистивного, полях, вимірювання, температур, чутливий
Формула / Реферат:
Чутливий елемент мікроелектронного терморезистивного сенсора для вимірювання кріогенних температур в сильних магнітних полях, що містить шар полікремнію, легованого бором, який відрізняється тим, що полікремній рекристалізований лазером з концентрацією носіїв заряду (4-5)x1017 cм-3 при кімнатній температурі.
Спосіб виготовлення терморезистивного матеріалу на основі оксидів ванадію
Номер патенту: 60009
Опубліковано: 15.06.2006
Автори: Каурковська Вероніка Миколаївна, Горбик Петро Петрович, Чуйко Олексій Олексійович
МПК: A61K 36/28, A61K 31/7016, A61K 38/43 ...
Мітки: матеріалу, ванадію, основі, виготовлення, спосіб, терморезистивного, оксидів
Формула / Реферат:
Переобладнаний транспортний засіб є наземним колісним транспортним засобом, який після спеціального переобладнання переобладнується в кафе або інший подібний заклад для приймання їжі і короткочасного відпочинку. Причому переобладнання транспортного засобу відбувається, як на стадії збирання нових транспортних засобів в умовах складального цеху, заводу так і після певного періоду експлуатації транспортного засобу, наприклад на стадії...
Спосіб виготовлення напівпровідникового терморезистивного датчика
Номер патенту: 31815
Опубліковано: 15.12.2000
Автори: Прохорович Анатолій Вікторович, Шкумбатюк Петро Степанович, Возний Орест Зеновійович, Варшава Славомир Степанович, Венгер Евген Федорович
МПК: G01N 19/00, G01K 7/00, G01N 27/12 ...
Мітки: датчика, виготовлення, напівпровідникового, спосіб, терморезистивного
Текст:
...аморфного сплаву QeTe , відокремлюють підкладку І на сплав наносять з про тилежних сторін [п -контакти. Використання лазерної технологїі сплавлення пластинки Тв підкладкою Н-Оє з при певних режимах дозволяє порівняно просто одержати аморфний ибТє , який є основою для створення напівпровідникового тернорезистивного датчика; нові властивості аморфного сплаву забезпечують те, що датчик, крім температури, може вимірювати І другий...