Нагорний Ростислав Леонтійович
Спосіб створення невипрямляючих контактів для силового арсенідгалієвого прилада
Номер патенту: 8065
Опубліковано: 26.12.1995
Автори: Нагорний Ростислав Леонтійович, Поліщук Сергій Михайлович, Войтович Віктор Євгенович
МПК: H01L 21/288
Мітки: прилада, контактів, невипрямляючих, спосіб, створення, силового, арсенідгалієвого
Формула / Реферат:
Способ создания невыцрямляющих контактов для силового арсенидгаллисвого прибора, заключающийся в том, что осуществляют предварительную обработку и травление подкон-тактных поверхностей полупроводниковой структуры выпрямительного элемента, проводят химическое осаждение или напыление никеля на эти поверхности и подвергают полупроводниковую структуру термическому воздействию в среде водорода, отличающийся тем, что термическое воздействие...
Спосіб вирощування з рідкої фази арсенід-галієвих епітаксіальних діодних p-і-n структур
Номер патенту: 8064
Опубліковано: 26.12.1995
Автори: Войтович Віктор Євгенович, Нагорний Ростислав Леонтійович, Поліщук Сергій Михайлович
МПК: H01L 21/20
Мітки: спосіб, рідкої, p-і-n, фазі, діодних, арсенід-галієвих, вирощування, структур, епітаксіальних
Формула / Реферат:
1. Способ выращивания из жидкой фазы арсенид-галлиевых эпитаксиальных диодных P-i-N структур, заключающийся в том, что нагревают раствор-расплав GaAs в кварцевом реакторе и кварцевой кассете в среде водорода, содержащего пары воды, при контроле в процессе нагрева температуры и времени выполнения технологических операций, скорости потока водорода и концентрации в нем паров воды, отличающийся тем, что в качестве растворителя для GaAs...