Поліщук Сергій Михайлович

Номер патенту: 77243

Опубліковано: 11.02.2013

Автори: Чижикова Вікторія Михайлівна, Кіпоренко Ганна Сергіївна, Трищ Роман Михайлович, Поліщук Сергій Михайлович

МПК: F16L 3/00

Мітки: трубопроводу, віброізолююча, опора

Формула / Реферат:

Віброізолююча опора трубопроводу горизонтальна, що містить раму, сприймаючу коливальні переміщення на демпфуючі гумові елементи через хомутовий блок, жорстко закріплений на трубопроводі, при цьому вушко та гайки вільно переміщуються відносно один одного в осьовому і вертикальному напрямках, яка відрізняється тим, що має гумові еластичні демпфуючі елементи, що виконані у формі циліндрів та сприймають як поперечні, так і вертикальні коливання,...

Номер патенту: 8065

Опубліковано: 26.12.1995

Автори: Нагорний Ростислав Леонтійович, Войтович Віктор Євгенович, Поліщук Сергій Михайлович

МПК: H01L 21/288

Мітки: спосіб, прилада, арсенідгалієвого, невипрямляючих, створення, силового, контактів

Формула / Реферат:

Способ создания невыцрямляющих контак­тов для силового арсенидгаллисвого прибора, за­ключающийся в том, что осуществляют предварительную обработку и травление подкон-тактных поверхностей полупроводниковой струк­туры выпрямительного элемента, проводят химическое осаждение или напыление никеля на эти поверхности и подвергают полупроводнико­вую структуру термическому воздействию в среде водорода, отличающийся тем, что термическое воздействие...

Номер патенту: 8064

Опубліковано: 26.12.1995

Автори: Нагорний Ростислав Леонтійович, Поліщук Сергій Михайлович, Войтович Віктор Євгенович

МПК: H01L 21/20

Мітки: епітаксіальних, рідкої, фазі, арсенід-галієвих, вирощування, p-і-n, діодних, спосіб, структур

Формула / Реферат:

1. Способ выращивания из жидкой фазы арсенид-галлиевых эпитаксиальных диодных P-i-N структур, заключающийся в том, что нагревают раствор-расплав GaAs в кварцевом реакторе и кварцевой кассете в среде водорода, содержащего пары воды, при контроле в процессе нагрева тем­пературы и времени выполнения технологических операций, скорости потока водорода и концентра­ции в нем паров воды, отличающийся тем, что в качестве растворителя для GaAs...