Патенти з міткою «арсенід-галієвих»

Номер патенту: 68203

Опубліковано: 26.03.2012

Автори: Новосядлий Степан Петрович, Вівчарук Володимир Михайлович, Кіндрат Тарас Петрович

МПК: H01L 21/20

Мітки: кремнієвих, монокристалічних, епітаксійних, спосіб, формування, підкладках, шарів, арсенід-галієвих

Формула / Реферат:

1. Спосіб формування епітаксійних арсенід-галієвих шарів на монокристалічних кремнієвих підкладках, який полягає в тому, що епітаксійні шари наносять на наперед підготовлених монокремнієвих підкладках, розорієнтованих на кут <4°, який відрізняється тим, що нанесення вихідних епішарів арсеніду галію здійснюється шляхом використання надвисокочастотного збудження плазми з розподіленим електронно-циклотронним резонансом на основі...

Номер патенту: 8064

Опубліковано: 26.12.1995

Автори: Нагорний Ростислав Леонтійович, Войтович Віктор Євгенович, Поліщук Сергій Михайлович

МПК: H01L 21/20

Мітки: фазі, епітаксіальних, арсенід-галієвих, p-і-n, рідкої, вирощування, спосіб, діодних, структур

Формула / Реферат:

1. Способ выращивания из жидкой фазы арсенид-галлиевых эпитаксиальных диодных P-i-N структур, заключающийся в том, что нагревают раствор-расплав GaAs в кварцевом реакторе и кварцевой кассете в среде водорода, содержащего пары воды, при контроле в процессе нагрева тем­пературы и времени выполнения технологических операций, скорости потока водорода и концентра­ции в нем паров воды, отличающийся тем, что в качестве растворителя для GaAs...