Войтович Віктор Євгенович

Номер патенту: 8065

Опубліковано: 26.12.1995

Автори: Войтович Віктор Євгенович, Нагорний Ростислав Леонтійович, Поліщук Сергій Михайлович

МПК: H01L 21/288

Мітки: невипрямляючих, арсенідгалієвого, спосіб, створення, силового, контактів, прилада

Формула / Реферат:

Способ создания невыцрямляющих контак­тов для силового арсенидгаллисвого прибора, за­ключающийся в том, что осуществляют предварительную обработку и травление подкон-тактных поверхностей полупроводниковой струк­туры выпрямительного элемента, проводят химическое осаждение или напыление никеля на эти поверхности и подвергают полупроводнико­вую структуру термическому воздействию в среде водорода, отличающийся тем, что термическое воздействие...

Номер патенту: 8064

Опубліковано: 26.12.1995

Автори: Поліщук Сергій Михайлович, Нагорний Ростислав Леонтійович, Войтович Віктор Євгенович

МПК: H01L 21/20

Мітки: вирощування, арсенід-галієвих, фазі, спосіб, рідкої, p-і-n, епітаксіальних, діодних, структур

Формула / Реферат:

1. Способ выращивания из жидкой фазы арсенид-галлиевых эпитаксиальных диодных P-i-N структур, заключающийся в том, что нагревают раствор-расплав GaAs в кварцевом реакторе и кварцевой кассете в среде водорода, содержащего пары воды, при контроле в процессе нагрева тем­пературы и времени выполнения технологических операций, скорости потока водорода и концентра­ции в нем паров воды, отличающийся тем, что в качестве растворителя для GaAs...