Спосіб створення невипрямляючих контактів для силового арсенідгалієвого прилада

Изобретение относится к области полупроводниковой техники, главным образом - к способам создания выпрямительного элемента силовых арсенид-галлиевых диодов и других полупроводниковых приборов на основе арсенида галлия. Известен способ формирования контактов, включающий формирование многослойной металлической пленки на поверхности полупроводника [1], и, кроме того, способ получения сплавного контакта металла с полупроводником [2]. Данные способы характерны общим недостатком - необходимостью проведения технологических операций с нестабильным процессом получения конечного продукта. Известен способ, выбранный в качестве прототипа, когда осуществляют предварительную обработку и травление подконтактных поверхностей полупроводниковой структуры выпрямительного элемента, проводят химическое осаждение никеля или его напыление и подвергают полупроводниковую стр уктур у термическому воздействию в среде водорода [3] Однако данный способ создает у полупроводниковой структуры сравнительно высокие значения удельного теплового сопротивления и удельного переходного контактного сопротивления, что приводит к увеличению падения напряжения на полупроводниковом приборе при протекании через него прямого тока. В основу изобретения поставлена задача создания невыпрямляющих контактов к силовым, приборам на основе арсенида-галгия путем специального термического воздействия на никелированную полупроводниковую структур у с целью уменьшения переходных контактных сопротивлений. Настоящее изобретение характеризуется такими существенными признаками, как осуществление предварительной обработки и травление подконтактных поверхностей полупроводниковой структуры выпрямительного элемента, проведение химического осаждения никеля или его напыление, термическое воздействие на полупроводниковую стр уктур у в среде водорода, а также отличными от прототипа существенными признаками, достаточными для достижения технического результата, а именно: термическое воздействие на полупроводниковую структур у осуществляют в процессе пайки к ней термокомпенсаторов при концентрации паров воды в среде водорода не выше 220 ррm при использовании свинцовосодержащего припоя с примесями серебра и олова. Совокупность существенных признаков позволяет достигать указанного технического результата вследствие того, что в результате описанного специального термического воздействия формируется переходная между полупроводниковой GaAs структурой и каждым термокомпенсатором приконтактная область многокомпонентного состава, содержащего GaAs, Ga, Ni, Ag, Sn, Pb толщиной 0,2-2,0 мкм, что возможно использовать для идентификации приконтактной области, получаемой при использовании заявляемого способа создания невыпрямляющего контакта. Изобретение реализуется следующим образом. После предварительной обработки и травления подконтактных поверхностей полупроводниковой структуры выпрямительного элемента проводят химическое осаждение никеля, припаивают термокомпенсаторы свинцовосодержащим припоем с применением примесей серебра и олова в среде водорода при концентрации паров воды не выше 220 ррm. К гарантируемым результатам, получаемым при реализации используемого технологического процесса, относятся: удельное переходное контактное сопротивление составляет 2 · 10-5 - 5 · 10-5 Ом · см 2, удельное тепловое сопротивление не превышает 0,02 К · см 2/Вт, независимо от величины концентрации свободных носителей в приконтактной области полупроводниковой структуры, а сплошность получаемых контактных соединений составляет не менее 96%.