Попов Валентин Георгієвич
Спосіб виготовлення фотодіоду на антимоніді індію
Номер патенту: 115173
Опубліковано: 10.04.2017
Автори: Мусаєв Сергій Мусаєвич, Гудименко Олександр Йосипович, Калистий Геннадій Володимирович, Дубіковський Олександр Володимирович, Романюк Борис Миколайович, Сапон Сергій Васильович, Попов Валентин Георгієвич, Педченко Юрій Миколайович
МПК: H01L 31/18, H01L 21/265
Мітки: фотодіоду, антимоніді, індію, спосіб, виготовлення
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення фотодіодів на основі кристалів антимоніду індію n-типу провідності, що включає в себе підготовку поверхні вихідної пластини антимоніду індію, формування легованих областей р-типу провідності, формування захисної плівки шляхом анодного окиснення (АОП) в електроліті, нанесення пасивуючої просвітлюючої діелектричної плівки та формування контактної системи, який відрізняється тим, що після формування захисної плівки АОП...