Сапон Сергій Васильович
Спосіб виготовлення фотодіоду на антимоніді індію
Номер патенту: 115173
Опубліковано: 10.04.2017
Автори: Романюк Борис Миколайович, Калистий Геннадій Володимирович, Педченко Юрій Миколайович, Гудименко Олександр Йосипович, Сапон Сергій Васильович, Мусаєв Сергій Мусаєвич, Попов Валентин Георгієвич, Дубіковський Олександр Володимирович
МПК: H01L 31/18, H01L 21/265
Мітки: спосіб, фотодіоду, індію, виготовлення, антимоніді
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення фотодіодів на основі кристалів антимоніду індію n-типу провідності, що включає в себе підготовку поверхні вихідної пластини антимоніду індію, формування легованих областей р-типу провідності, формування захисної плівки шляхом анодного окиснення (АОП) в електроліті, нанесення пасивуючої просвітлюючої діелектричної плівки та формування контактної системи, який відрізняється тим, що після формування захисної плівки АОП...
Спосіб виготовлення локальних тривимірних структур “кремній-на-ізоляторі”
Номер патенту: 36463
Опубліковано: 27.10.2008
Автори: Сапон Сергій Васильович, Когут Ігор Тимофійович, Дружинін Анатолій Олександрович, Голота Віктор Іванович
МПК: C30B 31/00
Мітки: тривимірних, спосіб, виготовлення, структур, кремній-на-ізоляторі, локальних
Формула / Реферат:
Спосіб виготовлення локальних тривимірних структур "кремній-на-ізоляторі", який включає маскування поверхні пластини за заданою топологією ділянками плівки нітриду кремнію, створення в пластині проміжків, як між ділянками маскуючого покриття, так і на заданій глибині під поверхнею пластини для формування в цих місцях анодуванням пористого кремнію та його проокислення з формуванням ізолюючого окислу кремнію, який відрізняється тим, в...
Спосіб формування локальних мікроструктур типу “кремній-на-ізоляторі”
Номер патенту: 34277
Опубліковано: 11.08.2008
Автори: Когут Ігор Тимофійович, Голота Віктор Іванович, Сапон Сергій Васильович, Дружинін Анатолій Олександрович
МПК: C04B 41/00
Мітки: локальних, формування, спосіб, кремній-на-ізоляторі, мікроструктур, типу
Формула / Реферат:
Спосіб формування локальних мікроструктур типу "кремній-на-ізоляторі", який включає послідовне формування на кремнієвій пластині шару ізолятора, відкриття в ньому вікон для контактів-зародків полікремнію із пластиною, нанесення шару полікремнію, який відрізняється тим, що на поверхні кремнієвої пластини формують локально розташовані ділянки ізолятора із окислу або оксинітриду кремнію товщиною 0,3-1,0 мікрометра, топологія яких є...