Патенти з міткою «антимоніді»

Номер патенту: 115174

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Кладько Василь Петрович, Мельник Віктор Павлович, Голтвянський Юрій Васильович, Сафрюк Надія Володимирівна, Романюк Андрій Борисович, Федулов Віктор Васильович, Сабов Томаш Мар'янович, Оберемок Олександр Степанович

МПК: H01L 21/265, H01L 31/18

Мітки: виготовлення, фотодіодів, антимоніді, спосіб, індію

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіодів, який включає створення на поверхні антимоніду індію 1-го типу провідності з концентрацією легуючих атомів не більше 3·1015 см-3 локальних областей р-n переходу шляхом імплантації іонів, які дозволяють створити 2-ий тип провідності в приповерхневій області підкладки, нанесення маски за допомогою якої долеговують області 1-го типу провідності до концентрації 1017-1019 см-3, зняття маски, після чого...

Номер патенту: 115173

Опубліковано: 10.04.2017

Автори: Попов Валентин Георгієвич, Мусаєв Сергій Мусаєвич, Романюк Борис Миколайович, Гудименко Олександр Йосипович, Педченко Юрій Миколайович, Калистий Геннадій Володимирович, Дубіковський Олександр Володимирович, Сапон Сергій Васильович

МПК: H01L 21/265, H01L 31/18

Мітки: виготовлення, фотодіоду, спосіб, індію, антимоніді

Формула / Реферат:

Спосіб виготовлення фотодіодів на основі кристалів антимоніду індію n-типу провідності, що включає в себе підготовку поверхні вихідної пластини антимоніду індію, формування легованих областей р-типу провідності, формування захисної плівки шляхом анодного окиснення (АОП) в електроліті, нанесення пасивуючої просвітлюючої діелектричної плівки та формування контактної системи, який відрізняється тим, що після формування захисної плівки АОП...